能源变革大时代，这些IGBT值得推荐！-电子发烧友网

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IGBT 是由 4 个交替层 (P-N-P-N) 组成的功率半导体晶体管，通过施加于金属氧化物半导体 (MOS) 栅极的电压进行控制。虽然第三代宽禁带技术碳化硅正获得越来越多的关注，但许多应用仍适合继续使用IGBT，在技术的不断发展和升级下，IGBT可实现更低的开关损耗和更高的功率密度。

作为智能电源和智能感知技术的市场领导者，安森美(onsemi)也推出多款超高能效明星IGBT，具备业界领先的性能水平，能最大程度降低导通损耗和开关损耗，助力客户的系统设计。一起来看看我们的推荐产品吧~

第7代1200V IGBT

安森美FGY75T120SWD正是采用新颖的第7代场截止IGBT和二极管技术，以及TP247三引脚封装，性能极佳，开关损耗和导通损耗低，用于太阳能、不间断电源(UPS)和储能系统(ESS)等基建应用提供高能效。

这款新的1200V沟槽型场截止（FS7）IGBT在高开关频率能源基础设施应用中用于升压电路提高母线电压，及逆变回路以提供交流输出，其低开关损耗可实现更高的开关频率，从而减少磁性元件的尺寸，提高功率密度并降低系统成本。对于高功率能源基础设施应用，FS7器件的正温度系数使其能够轻松实现并联运行。

FS7器件包括高速（S系列）和中速（R系列）版本。所有器件都含一个优化的二极管，实现低VF，减少开关损耗，可在高达175℃的结温（TJ）下工作。S系列器件如FGY75T120SWD的开关性能领先市场现有1200V IGBT。经7倍额定电流的测试，这种高可靠性的IGBT产品展现出出类拔萃的抗闩锁能力。R系列针对以导通损耗为主的中速开关应用如电机控制和固态继电器进行了优化。FGY100T120RWD在100 A时VCESAT低至1.45V，比前一代器件降低了0.4V。

扫码获取更多产品资料 新的IGBT功率集成模块，I型，中性点钳位(NPC)，Q2 Pack NXH400N100H4Q2F2 SiC混合模块是高密度的三电平NPC Q2 Pack集成电源模块，这些电源模块结合了高性能IGBT和坚固的反并联二极管。NXH400N100H4Q2F2电源模块具有场截止技术的高效沟槽IGBT和快速恢复二极管，低开关损耗降低了系统功耗，模块设计提供了高功率密度。这些电源模块具有低电感式布局、低封装高度、最高结温为175℃、最低结温为-40℃的特点，是用于1500V太阳能逆变器和储能系统的理想电源模块。

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高性价比的IGBT，超场截止-1200 V，Power TO247

FGY60T120SQDN IGBT 采用坚固耐用、经济高效的超场截止 (FS) 沟槽结构，能够为要求苛刻的开关应用提供出色性能，提供低导通电压，并最大限度降低开关损耗，非常适合于UPS和太阳能设备的应用。此外，该器件结合了一个软性和快速的组合封装续流二极管，具有低正向电压。具体参数包括工作电压1200V、工作电流60A以及功耗517瓦，采用TO-247-3封装。

扫码获取更多产品资料 隔离型双沟道IGBT栅极驱动器

NCD57252/3/5/6是大电流双通道隔离IGBT栅极驱动器，从输入到每个输出的内部电隔离2.5或5 kVrms，两个输出通道之间也提供功能隔离。该器件在输入端接受3.3 V至20 V的偏置电压和信号电平，在输出端接受高达32V的偏置电压。

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