MOS管的各关键参数计算

MOS管的选型(2)

MOS管的选型需要满足几个重要的要求:

1.足够的漏源电压VDS；

2.足够的漏极电流ID;

3.快速开关切换能力，导通，关断延时；

4.低的导通内阻Rds(on);

举个例子：在以上半桥电路中，若电路的输出功率为850W,负载8ohm,MOS怎么选？

1）Vds电压为多少？

据P=U*U/R,算的输出的平均电压V=82V；只是平均值，转换成峰值VPP=1.414*V = 116V，若转换效率为85%，则实际的VP=VPP/85%=136V，因VN=-136V，则VDS≥136*2=272V；

2）计算ID

P=I*I*R,算的I=10.3A；所以MOS选择要VDS≥272V;ID>10.3A；

可选FDAF59N30，其指标：

1.VDS=300V;

2.ID=34A;

3.上升实际ton=140ns;

4.关断时间toff=120ns;

5.内阻Rds(on)=0.056ohm；

6.栅极电荷Qg=77nc;

从指标看，以上各种电压和电流均满足要求，且在较短开通和关断延时时间保证系统可靠性。

3）MOS驱动怎么选？

通过计算MOS在一个完整开关周期内所需要的功率Pg，计算公式为：Pg=Vgs*Qg*fsw,其中Vgs为栅极驱动电压，Fsw为开关频率。

FDAF59N30在栅极驱动电压为12V，开关频率200Khz,时消耗的功率：P=12*77*10-9*200*103=0.1848W；

驱动所需的平均电流I = P/Vgs = 15.4mA。

在保证正常工作条件下FDAF59N30的典型的开通和关断时间约为200ns,因此可以反推出驱动所需的瞬时电流：Imax = Qg/t=77nc/200ns = 385mA;

高压MOS管，所需要提供浮动栅极驱动能力。

审核编辑 黄宇