0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

越是内卷越需要碳化硅!美的逆势增长20%案例研究

行家说三代半 来源:行家说三代半 2023-07-21 11:21 次阅读
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

俗话说,风浪越大鱼越贵,越是内卷越需要碳化硅

2023年上半年,许多行业都不景气,但优秀的企业总能凭借技术创新实现突围。今天,“行家说三代半”为大家分享一个美的电梯逆势增长20%的案例。

7月5日,美的楼宇科技携LINVOL数智电梯亮相第十五届中国国际电梯展览会,介绍了基于碳化硅的最新电梯解决方案。

美的LINVOL的首条产线位于佛山南海区狮山镇,2022年该基地下线了15000台电梯。2023年,全球电梯市场环比下滑20%,而美的电梯一季度却迎来了近20%正增长。

美的电梯跑赢市场大盘,是得益于他们布局技术门槛更高的高功率密度MECS2群电梯控制系统

高效率、高功率密度是电梯产业核心发展趋势,但这会带来热管理技术的难题。近些年,电梯行业内多起控制柜起火事故就因为变压器过热、驱动功率部件过热、接触器输出来拉弧等引发起火事故。

据美的楼宇科技先行研究中心电梯技术部长严彩忠博士介绍,美的MECS2重新定义了群电梯控制换热系统,取消了传统变压器这个热源配置,采用智能数字电源取而代之;并且采用暖通空调换热技术。

而在电源器件技术上,美的则选用了碳化硅,其灵感来自于曾为威灵汽车的碳化硅压缩机,将效率从96%提升到了99%,开关频率达到40kHz

据“行家说三代半”之前报道,2022年11月29日,美的旗下的威灵电机发布了800V 碳化硅12000rpm高转速电动压缩机。据悉,该产品已上车小鹏G9,使功率密度提升1.1倍。

可以说,美的空调压缩机为碳化硅打开了新的车用场景,美的电梯又一次帮助碳化硅“开疆扩土”。

除美的外,现代公司也将SiC技术应用在电梯上。

现代电梯技术研究所成立于1986年,该研究所采用节能的SiC等开发了超高效电机系统。

例如于2020年3月成功研发出全球速度最快的21m/s电梯,安装在韩国现代牙山塔的EL 1080高速电梯。同时现代还开发了碳化硅双层电梯,这种电梯可以在一个井道内运行两部垂直连接的电梯轿厢,通过减少所需井道来降低建筑成本。

据2017年日立制作所研发集团的论文,他们制作了基于SiC MOSFET的电梯变频器和控制柜,与传统电梯相比,变频器体积减少了85%,控制柜安装宽度减少了57%

6eb02c0e-2230-11ee-962d-dac502259ad0.jpg

而且采用碳化硅的节能效果明显,整个电梯系统在高温条件下单次往返可实现约17%的节能效果,在高温条件下的单次往返过程中的功率损耗降低了56%

根据 Kone 官网数据,2022 年我国整梯销量约 99.7 万台,是全球最大电梯新装市场,占全球电梯新装市场的62%

根据国家质量监督总局,截止 2022 年末我国在用电梯数量达到 964.46 万台(其中 15 年以上梯龄的电梯产品保有量约超过80万台),近五年保有量复合增速达11%

Global Market Insights研究报告指出,到 2032 年,全球电梯市场规模预计将突破 995 亿美元(7100亿人民币),将实现 3% 的复合年增长率。





审核编辑:刘清

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 变压器
    +关注

    关注

    162

    文章

    8171

    浏览量

    148833
  • 变频器
    +关注

    关注

    256

    文章

    7533

    浏览量

    156188
  • 电动机
    +关注

    关注

    75

    文章

    4213

    浏览量

    101944
  • SiC
    SiC
    +关注

    关注

    32

    文章

    3933

    浏览量

    70395
  • 碳化硅
    +关注

    关注

    26

    文章

    3588

    浏览量

    52768

原文标题:越卷越需要SiC!美的逆势增长20%案例研究

文章出处:【微信号:SiC_GaN,微信公众号:行家说三代半】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

    评论

    相关推荐
    热点推荐

    为什么说碳化硅替换硅器件正当时

    碳化硅替换传统硅基功率器件,已经不是一种趋势,而是正在发生的事实。碳化硅不仅在汽车驱动、光伏储能等高压要求领域应用,还有充电桩、PD快充适配器也已经渗透很多,超出了预期。合科泰不仅深耕功率器件多年
    的头像 发表于 05-26 09:36 337次阅读
    为什么说<b class='flag-5'>碳化硅</b>替换硅器件正当时

    《氧化铝、碳化硅、氮化硅,谁才是工业陶瓷老大?》

    如果非要在氧化铝、碳化硅和氮化硅这三大工业陶瓷中选出一个“老大”,我们不妨借用一个形象的比喻来理解它们各自的“江湖地位”:坐镇中枢的氧化铝是“丞相”,攻城拔寨的碳化硅是“征北大将军”,而锐不可当
    发表于 04-29 07:23

    技术突围与市场破局:碳化硅焚烧炉内胆的氮化硅陶瓷升级路径

    耐火材料与纯碳化硅材料面临极限挑战时,氮化硅陶瓷的技术指标为这一领域提供了更具针对性的升级方案。 一、产品细节:氮化硅陶瓷的技术优势 针对焚烧炉内胆的实际工况,氮化硅陶瓷相较于常规
    发表于 03-20 11:23

    碳化硅MOSFET的串扰来源与应对措施详解

    碳化硅为代表的第三代宽禁带半导体器件应用越来广泛,成为高压、大功率应用(如电动汽车、可再生能源并网、工业驱动等)的核心器件。碳化硅MOSFET凭借低导通电阻、高开关频率和优异的耐高温性能,能够显著减小系统尺寸、重量并提升整体
    的头像 发表于 01-13 06:23 1.2w次阅读
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>MOSFET的串扰来源与应对措施详解

    基于SiC碳化硅功率器件的c研究报告

    基于SiC碳化硅功率器件的一级能效超大功率充电桩电源模块深度报告 倾佳电子(Changer Tech)是一家专注于功率半导体和新能源汽车连接器的分销商。主要服务于中国工业电源、电力电子设备和新能源
    的头像 发表于 12-14 07:32 1814次阅读
    基于SiC<b class='flag-5'>碳化硅</b>功率器件的c<b class='flag-5'>研究</b>报告

    探索碳化硅如何改变能源系统

    )、数据中心和电网基础设施日益增长的需求。相比传统的硅器件,碳化硅技术更具优势,尤其是在功率转换效率和热敏感性方面。碳化硅对电子、电力行业的整体影响可带来更强的盈利能力和可持续性。 来自两家行业领先半导体
    的头像 发表于 10-02 17:25 2102次阅读

    Wolfspeed碳化硅技术实现大规模商用

    的专利申请量就增长了约 200%。Wolfspeed 强大的知识产权组合支撑着材料和器件方面的关键突破,这些突破使得碳化硅 (SiC) 技术得以实现大规模商用。
    的头像 发表于 09-22 09:31 1134次阅读

    【新启航】碳化硅外延片 TTV 厚度与生长工艺参数的关联性研究

    作用。深入研究碳化硅外延片 TTV 厚度与生长工艺参数的关联性,有助于优化生长工艺,提升外延片质量,推动碳化硅半导体产业发展。 二、碳化硅外延片生长工艺参数分析
    的头像 发表于 09-18 14:44 1179次阅读
    【新启航】<b class='flag-5'>碳化硅</b>外延片 TTV 厚度与生长工艺参数的关联性<b class='flag-5'>研究</b>

    碳化硅 TTV 厚度在 CMP 工艺中的反馈控制机制研究

    是 CMP 工艺的重要目标。研究碳化硅 TTV 厚度在 CMP 工艺中的反馈控制机制,有助于优化工艺参数,实现 TTV 厚度的精准调控,推动碳化硅产业高质量发展。 二
    的头像 发表于 09-11 11:56 995次阅读
    <b class='flag-5'>碳化硅</b> TTV 厚度在 CMP 工艺中的反馈控制机制<b class='flag-5'>研究</b>

    碳化硅器件的应用优势

    碳化硅是第三代半导体典型材料,相比之前的硅材料,碳化硅有着高击穿场强和高热导率的优势,在高压、高频、大功率的场景下更适用。碳化硅的晶体结构稳定,哪怕是在超过300℃的高温环境下,打破了传统材料下器件的参数瓶颈,直接促进了新能源等
    的头像 发表于 08-27 16:17 2173次阅读
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>器件的应用优势

    碳化硅衬底 TTV 厚度测量中边缘效应的抑制方法研究

    摘要 本文针对碳化硅衬底 TTV 厚度测量中存在的边缘效应问题,深入分析其产生原因,从样品处理、测量技术改进及数据处理等多维度研究抑制方法,旨在提高 TTV 测量准确性,为碳化硅半导体制造提供可靠
    的头像 发表于 08-26 16:52 1451次阅读
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>衬底 TTV 厚度测量中边缘效应的抑制方法<b class='flag-5'>研究</b>

    碳化硅晶圆特性及切割要点

    01衬底碳化硅衬底是第三代半导体材料中氮化镓、碳化硅应用的基石。碳化硅衬底以碳化硅粉末为主要原材料,经过晶体生长、晶锭加工、切割、研磨、抛光、清洗等制造过程后形成的单片材料。按照电学性
    的头像 发表于 07-15 15:00 1565次阅读
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>晶圆特性及切割要点

    EAB450M12XM3全碳化硅半桥功率模块CREE

    EAB450M12XM3全碳化硅半桥功率模块CREEEAB450M12XM3是Wolfspeed(原CREE科锐)生产的1200V、450A全碳化硅半桥功率模块,致力于高功率、高效化技术应用打造
    发表于 06-25 09:13

    碳化硅在多种应用场景中的影响

    碳化硅技术进行商业化应用时,需要持续关注材料缺陷、器件可靠性和相关封装技术。本文还将向研究人员和专业人士介绍一些实用知识,帮助了解碳化硅如何为功率半导体行业实现高效且可靠的解决方案。
    的头像 发表于 06-13 09:34 1712次阅读
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>在多种应用场景中的影响