0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

单片机发生闩锁效应的因素,如何防止发生单片机闩锁效应?

科技观察员 来源:英锐恩 作者:英锐恩 2023-07-10 11:21 次阅读

单片机闩锁效应指的是单片机内部金属配线发生熔断的现象,那么导致单片机闩锁效应的因素是什么?单片机开发工程师表示,已知的导致单片机发生闩锁效应的因素有很多个。现总结如下:

1.来自终端的外来噪声

如果外部噪声的上升/下降很快,而且dV/dt值很大,则它可以到达单片机的内部并在任意位置打开PNPN结。单片机开发工程师表示,通常情况下,噪声是指由电磁场引起的噪声,但是静电产生的高电压也可以视为噪声。

2.来自电源的噪声

首先,即使噪声进入电源并且电源的电位降低。其次,就算表观状态与噪声进入PNPN结的栅极时的状态相同,也会发生闩锁。另外,即使在没有创建单片机电源的情况下,也会在端子上施加电压,这与从终端输入外部噪声的状态相同。

3.单片机内部的电压波动引起的在栅极产生的噪声

当较大的电流在单片机内部流动时,在单片机内部会出现电势差,这与在PNPN结的栅极上施加触发器时的现象相同。在这种情况下也会发生闩锁。当大电流流入电源或大电流流出GND时发生。同样,如果大电流流入或流出引脚,则单片机内部的电压将波动,从而导致闩锁。

如何防止发生单片机闩锁效应?

为了防止闩锁现象,仅需要防止上述因素。具体可以参照以下对策:

1.防止噪声进入端子

在有噪声的环境中操作单片机时,请隔绝外部噪声,以免其进入引脚。单片机开发工程师表示,如果不可避免出现噪声,则必须降低噪声dV/dt。例如,屏蔽、限流电阻器电容器和铁氧体磁芯都是有效的。

2.遵循开机程序

一些单片机具有多个电源,在这种情况下,请遵循技术手册,注意开机步骤或开机注意事项。在打开电源之前,请务必遵循手册中的说明。

3.请勿让过多的电流流过电源线和端子

对于电流过大的问题,请参考单片的“最大额定值”。向电源或端子施加超过“最大额定值”的电流不仅会损坏单片机,而且还会导致单片机内部的电压波动并引起闩锁。

4.提供外部保护电路

如果由于闭锁而使大电流流过单片机,则检测电流并切断电源的保护电路也是有效的。当电源关闭时,产生的大电流可能引起闩锁。因此,如果有保护电路,则不会破坏单片机。如果单片机的内部未被破坏,则在再次打开电源后它将再次正常运行。

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 单片机
    +关注

    关注

    6001

    文章

    43973

    浏览量

    620829
  • 闩锁效应
    +关注

    关注

    1

    文章

    28

    浏览量

    9315
收藏 人收藏

    评论

    相关推荐

    CMOS的闩锁效应:Latch up的原理分析

    本篇主要针对CMOS电平,详细介绍一下CMOS的闩锁效应。 1、Latch up 闩锁效应是指CMOS电路中固有的寄生可控硅结构(双极晶体管)被触发导通,在电源和地之间存在一个低阻抗大电流通路,导致
    的头像 发表于 12-23 16:06 4.8w次阅读
    CMOS的<b class='flag-5'>闩锁效应</b>:Latch up的原理分析

    浅谈IGBT的闩锁效应

    闩锁(Lanch-up)效应,一般我们也可以称之为擎住效应,是由于IGBT超安全工作区域而导致的电流不可控现象,当然,闩锁效应更多的是决定于IGBT芯片本身的构造。实际工作中我们可能很少听到一种失效率,闩锁失效,今天我们就来聊一
    发表于 04-06 17:32 1358次阅读
    浅谈IGBT的<b class='flag-5'>闩锁效应</b>

    单片机闩锁发生的机理?

    什么是“闩锁效应”?这对刚开始做单片机开发的新手来说有点陌生。单片机开发工程师解释,从构造上来看,单片机由大量的PN结组成。有一个由四重结构“PNPN”组成的部分,其中连接了两个PN结
    的头像 发表于 07-10 11:23 582次阅读
    <b class='flag-5'>单片机</b>闩锁<b class='flag-5'>发生</b>的机理?

    闩锁效应(Latch-up)原理及其抑制方法解析

    闩锁效应:实际上是由于CMOS电路中基极和集电极相互连接的两个BJT管子(下图中,侧面式NPN和垂直式PNP)的回路放大作用形成的
    的头像 发表于 12-01 14:10 4189次阅读
    <b class='flag-5'>闩锁效应</b>(Latch-up)原理及其抑制方法解析

    什么是闩锁效应

    什么是闩锁效应闩锁效应是CMOS工艺所特有的寄生效应,严重会导致电路的失效,甚至烧毁芯片。闩锁效应是由NMOS的有源区、P衬底、N阱、PMOS的有源区构成的n-p-n-p结构产生的,
    发表于 08-01 11:04

    max232芯片 闩锁效应

    我买的一块HC6800开发板,下载程序几次后MAX232芯片发烫不能下载程序。查的好像是闩锁效应.有办法解决吗
    发表于 04-01 21:32

    如何解决CMOS电路中的闩锁效应在现实生活中有什么具体的...

    如何解决CMOS电路中的闩锁效应在现实生活中有什么具体的事例应用没有?
    发表于 05-29 17:28

    闩锁效应 的一些理解

    基耦合大环路负反馈放大器受超强干扰时可能发生的故障,不过,由于各级电路是並联的且均有直流负载,闩锁不会导致电源短路或开路,狭义的闩锁效应,是指CMOS或IGBT这类器件的 可控硅效应,这专题
    发表于 09-12 12:05

    什么是闩锁效应闩锁效应的触发方式有哪几种?

    什么是闩锁效应闩锁效应是如何产生的?闩锁效应的触发方式有哪几种?
    发表于 06-17 08:10

    单片机控制场效应

    单片机控制场效应管,单片机外围电路设计之六:场效应管对于场效应管来说,在大学期间老师基本没有讲,让自己自学。到了工作的时候,我们发现场
    发表于 07-14 06:38

    CMOS闩锁效应

    闩锁效应是指CMOS器件所固有的寄生双极晶体管被触发导通,在电源和地之间存在一个低阻通路,大电流,导致电路无法正常工作,
    发表于 09-26 17:04 83次下载

    一种抑制ESD保护电路闩锁效应的版图研究

    一种抑制ESD保护电路闩锁效应的版图研究_柴常春
    发表于 01-07 16:06 0次下载

    IGBT中的闩锁效应到底是什么

    闩锁(Lanch-up)效应,一般我们也可以称之为擎住效应,是由于IGBT超安全工作区域而导致的电流不可控现象,当然,闩锁效应更多的是决定于IGBT芯片本身的构造。实际工作中我们可能很少听到一种失效率,闩锁失效,今天我们就来聊一
    的头像 发表于 02-09 17:05 1.5w次阅读
    IGBT中的<b class='flag-5'>闩锁效应</b>到底是什么

    探究什么是单片机闩锁效应

    什么是“闩锁效应”?这个词儿对我们来讲可能有点陌生。从构造上来看,单片机由大量的PN结组成。有一个由四重结构“PNPN”组成的部分,其中连接了两个PN结。PNPN的结构是用作功率开关元件的“晶闸管
    的头像 发表于 11-18 10:57 3558次阅读
    探究什么是<b class='flag-5'>单片机</b>的<b class='flag-5'>闩锁效应</b>

    避免电路中闩锁效应的3个实用方法!

    闩锁效应 (Latch Up) 是在器件的电源引脚和地之间产生低阻抗路径的条件。这种情况将由触发事件(电流注入或过电压)引起,但一旦触发,即使触发条件不再存在,低阻抗路径仍然存在。这种低阻抗路径可能会由于过大的电流水平而导致系统紊流或灾难性损坏。
    发表于 02-10 11:17 4次下载
    避免电路中<b class='flag-5'>闩锁效应</b>的3个实用方法!