数明半导体高压、高速MOSFET/IGBT 驱动器通过AEC-Q100认证

为满足汽车市场对产品可靠性和安全性的需求，数明半导体近期推出车规级高压、高速MOSFET/IGBT驱动芯片SiLM21814-AQ，该产品通过AEC-Q100认证。600V,2.5A/3.5A的高低边门极驱动SiLM21814-AQ具有驱动电流大、耐压高、抗负压能力强的优势，可广泛应用于AC/DC、DC/DC电源、逆变器、变频压缩机等众多领域。

SiLM21814-AQ提供独立的高边、低边输出驱动信号。采用专有的高压集成电路和锁存免疫CMOS技术，提供可靠的单芯片驱动方案。逻辑输入电平与标准CMOS或LSTTL兼容，最低支持3.3V逻辑输入。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，以减小驱动器交叉导通。精确的匹配延迟适合高频应用。浮动通道可用于驱动高边配置的N型沟道功率MOSFET或IGBT，工作电压可高达600V。

产品特性

Key Features

支持600V高压应用

典型驱动电流：2.5A/3.5A

宽VCC工作范围：10V~20V

为自举供电设计的浮动通道

支持高低边欠压闭锁功能

输入信号兼容3.3V/5V

抗瞬态负压能力：-40V/600ns

典型开通/关断延迟：180ns/200ns

最大通道匹配延迟：35ns

符合车规 AEC-Q100