NP4836高VGS耐压,双N沟道,独立双NMOS,采用SOP8封装,
TDM3478,FP6606C,FP6606AC ,FP6601Q,FP6601AA
一级代理商,源头货源,可靠,优势, 可未税/含税,支持小批量量产,技术支持。



声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。
举报投诉
-
NMOS
+关注
关注
3文章
400浏览量
36628
发布评论请先 登录
相关推荐
热点推荐
合科泰TO-252封装N沟道MOS管HKTD100N03的核心优势
如BMS、电机控制、电力开关的12V系统对低内阻MOS管的需求正增速增长,工程师们迫切需要兼顾大电流承载与小型化设计的解决方案。而HKTD100N03这款采用TO-252封装的N沟道
合科泰TOLL4封装超结MOS管HKTS13N65的应用场景
沟道功率器件实现650伏耐压与13安培连续电流的平衡,采用超结工艺让VGS为10伏时的导通电阻低至300毫欧,比传统平面MOS管显著降低导通损耗。
选型手册:MOT2914J 双 N 沟道增强型 MOSFET
仁懋电子(MOT)推出的MOT2914J是一款双N沟道增强型MOSFET,凭借20V耐压、超低导通电阻及优异的高频开关特性,适用于DC/DC转换器、高频开关电路及同步整流等场景。一、产
选型手册:MOT3920J 双 N 沟道增强型 MOSFET
仁懋电子(MOT)推出的MOT3920J是一款双N沟道增强型MOSFET,凭借30V耐压、超低导通电阻及优异的高频开关特性,适用于DC/DC转换器、高频开关电路及同步整流等场景。一、产
ZK40P80T:P沟道MOS管中的高功率性能担当
中科微电深耕功率器件领域,针对P沟道器件的应用痛点,推出了ZK40P80T这款高性能P沟道MOS管,以-40V耐压、-80A电流的强劲参数,搭配1.5mΩ低导通电阻与成熟Trench工
中科微电ZK150G002P:高耐压大电流N沟槽MOS管的性能突破
在功率半导体器件的迭代浪潮中,N沟槽MOS管凭借其优异的开关特性与电流控制能力,成为高功率电子系统的核心组成部分。当市场对器件的耐压等级、电流承载能力提出更高要求时,一款兼具150V
MOT3910J 双 N 沟道增强型 MOSFET 技术解析
一、产品定位与结构MOT3910J是仁懋电子(MOT)推出的双N沟道增强型MOSFET,采用PDFN3X3封装形式,将两只N沟道MOSFET
中科微电N沟道MOS管:ZK60N20DQ技术解析特性、应用与设计指南
在便携式电子、物联网、小型电机驱动等中小功率场景中,兼具低功耗、快速响应与高可靠性的MOS管成为核心器件。ZK60N20DQ作为一款高性能N沟道增强型
FS8205 20V N 沟道增强型MOS场效应管技术手册
电子发烧友网站提供《FS8205 20V N 沟道增强型MOS场效应管技术手册.pdf》资料免费下载
发表于 09-23 15:03
•2次下载
100V200V250V MOS管详解 -HCK450N25L
施加正电压会使P型硅表面反型形成N型沟道;而对于PMOS管,栅极施加负电压则使N型硅表面反型形成P型沟道。这种沟道的形成与调控机制,构成了
发表于 08-29 11:20
100V15A点烟器N沟道MOS管HC070N10L
N沟道MOS管(金属-氧化物-半导体场效应晶体管)是一种电压控制型器件,依靠N型半导体中的电子导电。当栅极电压超过阈值电压时,源极与漏极之间形成导电
发表于 06-27 17:35
MOS管的工作原理:N沟道与P沟道的区别
MOS管(金属氧化物半导体场效应晶体管)是现代电子设备中最常用的半导体器件之一。它通过电场效应控制电流的导通与截止,广泛应用于放大、开关和信号处理等电路中。MOS管根据沟道类型的不同,主要分为
2N7002KDW SOT363:小封装、高ESD保护的N沟道MOSFET规格书
2N7002KDW 是一款采用 SOT363封装 的双N沟道MOSFET,集成了ESD保护功能,兼具低导通电阻(RDS(ON))与高
发表于 04-29 18:14
•0次下载
2N7002KDW SOT363:小封装、高ESD保护的N沟道MOSFET,助力精密电路设计
2N7002KDW 是一款采用 SOT363封装 的双N沟道MOSFET,集成了ESD保护功能,兼具低导通电阻(RDS(ON))与高
发表于 04-27 16:59
纳祥科技NX7010,PIN TO PIN AP20H03DF的30V 20A双N沟道MOSFET
NAXIANGTECHNOLOGY纳祥科技NX701030V20A双N沟道MOSFET30V20A双N沟

NP4836高VGS耐压,独立双N沟道MOS
评论