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NP4836高VGS耐压,独立双N沟道MOS

深圳市百盛新纪元半导体有限公司 2022-05-07 16:23 次阅读
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NP4836高VGS耐压,双N沟道,独立双NMOS,采用SOP8封装,

TDM3478,FP6606C,FP6606AC ,FP6601Q,FP6601AA

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