0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

第三代半导体“蓝海”市场,对我们是挑战还是机遇?

斯丹麦德电子 2022-01-10 16:34 次阅读
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

5e4473fc-6fd5-11ec-86cf-dac502259ad0.jpg 

伴随着物联网新能源人工智能的发展,对半导体器件的需求日益增长,对相关器件可靠性与性能指标的要求也更加严苛,于是第三代半导体市场应运而生。

近年国内的第三代半导体产业发展如火如荼,同时对高压、高电流的半导体测试也提出了更多新的挑战。斯丹麦德干簧继电器是如何在挑战中发现新的机遇呢?

第三代半导体SiC,GAN 等需要高压,大电流的测试,要求继电器拥有高切换电压和耐压,同时需要耐高电流脉冲能力。斯丹麦德BE系列和最新的BH系列继电器(1A/2A/4A),通过内部严苛的筛选,并采用铑镀层触点,确保干簧管之间的接触电阻偏差控制在5ohms 以内。即使在高脉冲电流情况下,电流也可以平均分配在继电器的每个干簧管上,从而避免了木桶原理和延长了继电器的使用寿命。斯丹麦德BH/E的2A系列产品脉冲电流可以达到10A,4A系列可以达到20A。

客户需要200A的脉冲电流怎么办?不用担心, 斯丹麦德可以使用并联的4A系列产品来满足客户的需求。

5e6a1634-6fd5-11ec-86cf-dac502259ad0.jpg 

产品特点

切换电压高达1000VDC,瞬间可达到2000VDC

切换电流1A,脉冲电流5A/10A/ 20A

耐压3000V以上,绝缘电阻10T以上

切换时间1.2ms以内,寿命10亿次以上

5ea47cac-6fd5-11ec-86cf-dac502259ad0.jpg5ed6cfcc-6fd5-11ec-86cf-dac502259ad0.jpg 

高绝缘电阻:一直是半导体测试追求的目标,客户需要在1000V电压的情况下,高低压漏电必须小于0.1nA,这就要求干簧继电器的绝缘电阻必须在10T ohms 以上。斯丹麦德最新的BH系列继电器采用特殊工艺,确保触点和触点,触点和线圈之间的绝缘电阻完全满足客户的需求。

高耐压作为第三代半导体器件测试首选,斯丹麦德继电器采用自有日本工厂的真空干簧管,拥有高绝缘耐压特性,确保触点耐压达到3000V以上。

切换寿命长:半导体封装测试工厂都是实行24小时生产不停工,对继电器的切换效率要求很高,斯丹麦德干簧继电器切换时间在1.2ms以内,一秒钟可以实现几百次切换,轻松满足客户对效率的需求;同时触点镀层采用稀有金属铑材料,确保在切换上亿次后接触电阻的稳定性,满足高切换寿命的要求。

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 半导体
    +关注

    关注

    339

    文章

    31316

    浏览量

    266955
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

    评论

    相关推荐
    热点推荐

    碳化硅 VS 氮化镓:第三代半导体的“双雄对决”

    以碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)为代表的第三代半导体,正凭借更高的耐压、更低的损耗和更高的工作频率,逐步取代传统硅器件,成为电源系统的“新引擎”。然而,两者虽同属宽禁带半导体,却在材料特性
    的头像 发表于 04-28 14:44 1274次阅读
    碳化硅 VS 氮化镓:<b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>半导体</b>的“双雄对决”

    高频交直流电流探头在第三代半导体功率模块动态测试中的精准测量

    高频交直流电流探头克服磁饱和问题,实现超宽频带响应,适用于第三代半导体动态测试,提升电流测量精度与效率。
    的头像 发表于 03-13 11:56 234次阅读

    深圳市萨科微slkor半导体有限公司是宋仕强于2015年在深圳市华强北成立,当时掌握了行业领先的第三代半导体

    深圳市萨科微slkor半导体有限公司是宋仕强于2015年在深圳市华强北成立,当时掌握了行业领先的第三代半导体碳化硅材料的肖特基二极管和碳化硅mos管的生产技术,开启了在半导体行业高速发
    发表于 01-31 08:46

    龙腾半导体推出全新第三代超结MOSFET技术平台

    今天,龙腾半导体正式交出答卷 -- 基于自主工艺路线开发的全新第三代(G3) 超结 MOSFET技术平台。
    的头像 发表于 01-22 14:44 1166次阅读
    龙腾<b class='flag-5'>半导体</b>推出全新<b class='flag-5'>第三代</b>超结MOSFET技术平台

    行业快讯:第三代半导体驶入快车道,碳化硅器件成本有望年内接近硅基

    行业快讯:第三代半导体驶入快车道,碳化硅器件成本有望年内接近硅基
    的头像 发表于 01-16 11:41 596次阅读

    高频交直流探头在第三代半导体测试中的应用

    高频交直流探头基于法拉第电磁感应原理,具备高带宽、高精度和高分辨率,适用于第三代半导体器件的动态特性、栅极电流测量及开关损耗计算。
    的头像 发表于 01-15 09:16 422次阅读

    Neway第三代GaN系列模块的生产成本

    Neway第三代GaN系列模块的生产成本Neway第三代GaN系列模块的生产成本受材料、工艺、规模、封装设计及市场定位等多重因素影响,整体呈现“高技术投入与规模化降本并存”的特征。一、成本构成:核心
    发表于 12-25 09:12

    芯干线斩获2025行家极光奖年度第三代半导体市场开拓领航奖

    2025年12月4日,深圳高光时刻!由第三代半导体产业标杆机构「行家说三代半」主办的「2025行家极光奖」颁奖晚宴盛大启幕,数百家SiC&GaN领域精英企业齐聚一堂,共襄产业盛事。
    的头像 发表于 12-13 10:56 1169次阅读
    芯干线斩获2025行家极光奖年度<b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>半导体</b><b class='flag-5'>市场</b>开拓领航奖

    第三代半导体碳化硅(Sic)加速上车原因的详解;

    如有雷同或是不当之处,还请大家海涵。当前在各网络平台上均以此昵称为ID跟大家一起交流学习! 碳化硅是第三代半导体材料的代表;而半导体这个行业又过于学术,为方便阅读,以下这篇文章的部分章节会以要点列示为主,如果遗漏
    的头像 发表于 12-03 08:33 825次阅读
    <b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>半导体</b>碳化硅(Sic)加速上车原因的详解;

    CINNO出席第三代半导体产业合作大会

    10月25日,第三代半导体产业合作大会在盐城高新区召开。省工业和信息化厅二级巡视员余雷、副市长祁从峰出席会议并致辞。盐都区委书记马正华出席,盐都区委副书记、区长臧冲主持会议。
    的头像 发表于 10-27 18:05 1595次阅读

    基本半导体B3M平台深度解析:第三代SiC碳化硅MOSFET技术与应用

    基础,将其定位为平面栅碳化硅(SiC)MOSFET技术的一次重要演进,其目标不仅在于追赶,更在于在特定性能维度上超越市场现有成熟方案。 1.1 第三代(B3M)平台概述 B3M系列是基本半导体推出的
    的头像 发表于 10-08 13:12 1102次阅读
    基本<b class='flag-5'>半导体</b>B3M平台深度解析:<b class='flag-5'>第三代</b>SiC碳化硅MOSFET技术与应用

    电镜技术在第三代半导体中的关键应用

    第三代半导体材料,以碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)为代表,因其在高频、高效率、耐高温和耐高压等性能上的卓越表现,正在成为半导体领域的重要发展方向。在这些材料的制程中,电镜技术发挥着不可或缺的作用
    的头像 发表于 06-19 14:21 940次阅读
    电镜技术在<b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>半导体</b>中的关键应用

    SiC碳化硅第三代半导体材料 | 耐高温绝缘材料应用方案

    发展最成熟的第三代半导体材料,可谓是近年来最火热的半导体材料。尤其是在“双碳”战略背景下,碳化硅被深度绑定新能源汽车、光伏、储能等节能减碳行业,万众瞩目。陶瓷方面,
    的头像 发表于 06-15 07:30 1768次阅读
    SiC碳化硅<b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>半导体</b>材料 |  耐高温绝缘材料应用方案

    第三代半导体的优势和应用领域

    随着电子技术的快速发展,半导体材料的研究与应用不断演进。传统的硅(Si)半导体已无法满足现代电子设备对高效能和高频性能的需求,因此,第三代半导体材料应运而生。
    的头像 发表于 05-22 15:04 2925次阅读

    瑞能半导体第三代超结MOSFET技术解析(1)

    随着AI技术井喷式快速发展,进一步推动算力需求,服务器电源效率需达97.5%-98%,通过降低能量损耗,来支撑高功率的GPU。为了抓住市场机遇,瑞能半导体先发制人,推出的第三代超结MO
    的头像 发表于 05-22 13:58 1110次阅读
    瑞能<b class='flag-5'>半导体</b><b class='flag-5'>第三代</b>超结MOSFET技术解析(1)