0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

9.2.3 开关特性∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

深圳市致知行科技有限公司 2022-03-25 14:40 次阅读
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

9.2.3开关特性

9.2绝缘栅双极型晶体管IGBT

第9章双极型功率开关器件

《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

619c9154-ab50-11ec-82f6-dac502259ad0.jpg

61c3dc1e-ab50-11ec-82f6-dac502259ad0.jpg

61e70b12-ab50-11ec-82f6-dac502259ad0.jpg

6210d802-ab50-11ec-82f6-dac502259ad0.jpg

622bebba-ab50-11ec-82f6-dac502259ad0.jpg

626036c2-ab50-11ec-82f6-dac502259ad0.jpg

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 开关
    +关注

    关注

    20

    文章

    3307

    浏览量

    97490
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

    评论

    相关推荐
    热点推荐

    【新启航】碳化硅外延片 TTV 厚度与生长工艺参数的关联性研究

    一、引言 碳化硅外延片作为功率半导体器件的核心材料,其总厚度偏差(TTV)是衡量产品质量的关键指标,直接影响器件的性能与可靠性 。外延片的 TTV 厚度受多种因素影响,其中生长工艺参
    的头像 发表于 09-18 14:44 558次阅读
    【新启航】<b class='flag-5'>碳化硅</b>外延片 TTV 厚度与<b class='flag-5'>生长</b>工艺参数的关联性研究

    碳化硅功率器件的基本特性和主要类型

    随着全球对能源效率和可持续发展的关注日益加深,碳化硅(SiC)功率器件作为一种新兴的半导体材料,正在快速崛起。SiC以其优异的电气性能、高温稳定性和抗辐射性,成为现代电力电子技术中不可或缺的重要组成部分。本文将探讨
    的头像 发表于 09-03 17:56 1321次阅读

    碳化硅器件的应用优势

    碳化硅是第三代半导体典型材料,相比之前的硅材料,碳化硅有着高击穿场强和高热导率的优势,在高压、高频、大功率的场景下更适用。碳化硅的晶体结构稳定,哪怕是在超过300℃的高温环境下,打破了传统材料下
    的头像 发表于 08-27 16:17 1112次阅读
    <b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>器件</b>的应用优势

    碳化硅晶圆特性及切割要点

    01衬底碳化硅衬底是第三代半导体材料中氮化镓、碳化硅应用的基石。碳化硅衬底以碳化硅粉末为主要原材料,经过晶体生长、晶锭加工、切割、研磨、抛光
    的头像 发表于 07-15 15:00 856次阅读
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>晶圆<b class='flag-5'>特性</b>及切割要点

    基本半导体碳化硅 MOSFET 的 Eoff 特性及其在电力电子领域的应用

    。其中,关断损耗(Eoff)作为衡量器件开关性能的重要指标,直接影响着系统的效率、发热和可靠性。本文将聚焦于基本半导体碳化硅 MOSFET 的 Eoff 特性,深入探讨其
    的头像 发表于 06-10 08:38 742次阅读
    基本半导体<b class='flag-5'>碳化硅</b> MOSFET 的 Eoff <b class='flag-5'>特性</b>及其在电力电子领域的应用

    碳化硅功率器件有哪些特点

    随着全球对绿色能源和高效能电子设备的需求不断增加,宽禁带半导体材料逐渐进入了人们的视野。其中,碳化硅(SiC)因其出色的性能而受到广泛关注。碳化硅功率器件在电力电子、可再生能源以及电动汽车等领域的应用不断拓展,成为现代电子
    的头像 发表于 04-21 17:55 997次阅读

    碳化硅功率器件的种类和优势

    在现代电子技术飞速发展的背景下,功率器件的性能和效率面临着越来越高的要求。碳化硅(SiC)作为一种新兴的宽禁带半导体材料,凭借其优异的电气特性和热性能,逐渐成为功率电子
    的头像 发表于 04-09 18:02 1150次阅读

    碳化硅功率器件特性和应用

    )功率器件,成为电力电子领域的核心技术之一。本文将详细介绍碳化硅功率器件的基本特性、主要类型、应用领域、市场前景以及未来发展趋势。
    的头像 发表于 02-25 13:50 1470次阅读
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>功率<b class='flag-5'>器件</b>的<b class='flag-5'>特性</b>和应用

    碳化硅功率器件的散热方法

    碳化硅(SiC)作为一种宽禁带半导体材料,因其耐高压、耐高温、高开关速度和高导热率等优良特性,在新能源、光伏发电、轨道交通和智能电网等领域得到广泛应用。然而,碳化硅功率
    的头像 发表于 02-03 14:22 1173次阅读

    碳化硅功率器件的封装技术解析

    碳化硅(SiC)功率器件因其低内阻、高耐压、高频率和高结温等优异特性,在电力电子系统中得到了广泛关注和应用。然而,要充分发挥SiC器件的性能,封装
    的头像 发表于 02-03 14:21 1183次阅读

    碳化硅的缺陷分析与解决方案

    碳化硅作为一种新型半导体材料,因其高热导率、高电子饱和速度和高击穿电场等特性,被广泛应用于高温、高压和高频电子器件中。然而,碳化硅材料中的缺陷,如微管、位错、堆垛层错等,会严重影响
    的头像 发表于 01-24 09:17 2323次阅读

    碳化硅在半导体中的作用

    碳化硅(SiC)在半导体中扮演着至关重要的角色,其独特的物理和化学特性使其成为制作高性能半导体器件的理想材料。以下是碳化硅在半导体中的主要作用及优势: 一、
    的头像 发表于 01-23 17:09 2427次阅读

    什么是MOSFET栅极氧化层?如何测试SiC碳化硅MOSFET的栅氧可靠性?

    随着电力电子技术的不断进步,碳化硅MOSFET因其高效的开关特性和低导通损耗而备受青睐,成为高功率、高频应用中的首选。作为碳化硅MOSFET
    发表于 01-04 12:37

    8英寸单片高温碳化硅外延生长室结构

    随着碳化硅(SiC)材料在电力电子、航空航天、新能源汽车等领域的广泛应用,高质量、大面积的SiC外延生长技术变得尤为重要。8英寸SiC晶圆作为当前及未来一段时间内的主流尺寸,其外延生长
    的头像 发表于 12-31 15:04 398次阅读
    8英寸单片高温<b class='flag-5'>碳化硅</b>外延<b class='flag-5'>生长</b>室结构

    青铜剑技术推出全新碳化硅驱动核

    近年来,随着碳化硅技术的不断成熟,行业对碳化硅功率器件的应用需求正日益趋向多样化、集成化及轻量化。碳化硅功率
    的头像 发表于 12-12 11:45 1170次阅读
    青铜剑<b class='flag-5'>技术</b>推出全新<b class='flag-5'>碳化硅</b>驱动核