0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

9.2.3 开关特性∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

深圳市致知行科技有限公司 2022-03-25 14:40 次阅读
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

9.2.3开关特性

9.2绝缘栅双极型晶体管IGBT

第9章双极型功率开关器件

《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

619c9154-ab50-11ec-82f6-dac502259ad0.jpg

61c3dc1e-ab50-11ec-82f6-dac502259ad0.jpg

61e70b12-ab50-11ec-82f6-dac502259ad0.jpg

6210d802-ab50-11ec-82f6-dac502259ad0.jpg

622bebba-ab50-11ec-82f6-dac502259ad0.jpg

626036c2-ab50-11ec-82f6-dac502259ad0.jpg

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 开关
    +关注

    关注

    20

    文章

    3322

    浏览量

    98444
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

    评论

    相关推荐
    热点推荐

    碳化硅 (SiC) MOSFET 双脉冲实验 (DPT) 数据处理与开关损耗精准提取

    碳化硅 (SiC) MOSFET 双脉冲实验 (DPT) 数据处理与开关损耗精准提取技术研究报告 1. 碳化硅功率器件动态
    的头像 发表于 04-02 15:37 135次阅读
    <b class='flag-5'>碳化硅</b> (SiC) MOSFET 双脉冲实验 (DPT) 数据处理与<b class='flag-5'>开关</b>损耗精准提取

    技术突围与市场破局:碳化硅焚烧炉内胆的氮化硅陶瓷升级路径

    耐火材料与纯碳化硅材料面临极限挑战时,氮化硅陶瓷的技术指标为这一领域提供了更具针对性的升级方案。 一、产品细节:氮化硅陶瓷的技术优势 针对
    发表于 03-20 11:23

    碳化硅MOS管测试技术及仪器应用(上)

    碳化硅(SiC)MOS管作为宽禁带半导体的核心器件,凭借高耐压、高频化、低损耗及耐高温特性,在新能源汽车、光伏逆变、工业电源等领域逐步替代传统硅基IGBT器件。精准的测试
    的头像 发表于 02-28 11:51 285次阅读
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>MOS管测试<b class='flag-5'>技术</b>及仪器应用(上)

    高功率密度碳化硅MOSFET软开关三相逆变器损耗分析

    MOSFET 逆变器的功率密度,探讨了采用软开关技术碳化硅 MOSFET 逆变器。 比较了不同开关频率下的零电压开关三相逆变器及硬
    发表于 10-11 15:32 38次下载

    [新启航]碳化硅 TTV 厚度测量技术的未来发展趋势与创新方向

    一、引言 碳化硅(SiC)作为宽禁带半导体材料的代表,在功率器件、射频器件等领域发挥着关键作用。总厚度偏差(TTV)是衡量碳化硅衬底及外延片质量的重要指标,其精确测量对保障
    的头像 发表于 09-22 09:53 1994次阅读
    [新启航]<b class='flag-5'>碳化硅</b> TTV 厚度测量<b class='flag-5'>技术</b>的未来发展趋势与创新方向

    Wolfspeed碳化硅技术实现大规模商用

    的专利申请量就增长了约 200%。Wolfspeed 强大的知识产权组合支撑着材料和器件方面的关键突破,这些突破使得碳化硅 (SiC) 技术得以实现大规模商用。
    的头像 发表于 09-22 09:31 1012次阅读

    【新启航】碳化硅外延片 TTV 厚度与生长工艺参数的关联性研究

    一、引言 碳化硅外延片作为功率半导体器件的核心材料,其总厚度偏差(TTV)是衡量产品质量的关键指标,直接影响器件的性能与可靠性 。外延片的 TTV 厚度受多种因素影响,其中生长工艺参
    的头像 发表于 09-18 14:44 1062次阅读
    【新启航】<b class='flag-5'>碳化硅</b>外延片 TTV 厚度与<b class='flag-5'>生长</b>工艺参数的关联性研究

    碳化硅功率器件的基本特性和主要类型

    随着全球对能源效率和可持续发展的关注日益加深,碳化硅(SiC)功率器件作为一种新兴的半导体材料,正在快速崛起。SiC以其优异的电气性能、高温稳定性和抗辐射性,成为现代电力电子技术中不可或缺的重要组成部分。本文将探讨
    的头像 发表于 09-03 17:56 1782次阅读

    数明半导体SiLM27531H栅极驱动器在碳化硅器件中的应用

    碳化硅 MOSFET 凭借显著的开关性能优势,在许多大功率应用中得到青睐。然而它的特性要求栅极驱动电路有较高要求,以优化碳化硅器件
    的头像 发表于 09-03 17:54 4851次阅读
    数明半导体SiLM27531H栅极驱动器在<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>器件</b>中的应用

    碳化硅器件的应用优势

    碳化硅是第三代半导体典型材料,相比之前的硅材料,碳化硅有着高击穿场强和高热导率的优势,在高压、高频、大功率的场景下更适用。碳化硅的晶体结构稳定,哪怕是在超过300℃的高温环境下,打破了传统材料下
    的头像 发表于 08-27 16:17 1953次阅读
    <b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>器件</b>的应用优势

    碳化硅晶圆特性及切割要点

    01衬底碳化硅衬底是第三代半导体材料中氮化镓、碳化硅应用的基石。碳化硅衬底以碳化硅粉末为主要原材料,经过晶体生长、晶锭加工、切割、研磨、抛光
    的头像 发表于 07-15 15:00 1405次阅读
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>晶圆<b class='flag-5'>特性</b>及切割要点

    简述碳化硅功率器件的应用领域

    碳化硅(SiliconCarbide,SiC)是一种新兴的半导体材料,因其优越的电气特性和热稳定性,正在逐渐取代传统的硅(Si)材料,成为功率器件领域的重要选择。SiC功率器件以其高效
    的头像 发表于 06-18 17:24 1797次阅读

    基本半导体碳化硅 MOSFET 的 Eoff 特性及其在电力电子领域的应用

    。其中,关断损耗(Eoff)作为衡量器件开关性能的重要指标,直接影响着系统的效率、发热和可靠性。本文将聚焦于基本半导体碳化硅 MOSFET 的 Eoff 特性,深入探讨其
    的头像 发表于 06-10 08:38 1174次阅读
    基本半导体<b class='flag-5'>碳化硅</b> MOSFET 的 Eoff <b class='flag-5'>特性</b>及其在电力电子领域的应用

    碳化硅MOS驱动电压如何选择

    碳化硅MOS驱动电压选择15V还是18V,是电力电子设计中的关键权衡问题。这两种电压对器件的导通损耗、开关特性、热管理和系统可靠性有显著影响。
    的头像 发表于 06-04 09:22 2389次阅读
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>MOS驱动电压如何选择

    碳化硅功率器件在能源转换中的应用

    随着全球对可持续能源的需求不断增加,能源转换技术的提升已成为实现低碳经济的重要一环。碳化硅(SiC)功率器件因其在高温、高电压和高频率下优越的性能,正逐渐成为现代电力电子设备的选择,特别是在能源转换领域的应用越来越广泛。本文将深
    的头像 发表于 04-27 14:13 1151次阅读