0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

车用功率器件,成长速度惊人

qq876811522 来源: 万众一芯 半导体投资联盟 2023-06-15 17:00 次阅读
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

据Yole分析报道,全球主要市场的汽车电气化正在加速。到 2028 年,全球轻型 (LD) 汽车市场将达到 9300 万辆,xEV 的市场份额将达到 53.5%。在各种电气化技术中,BEV 在 2022 年至 2028 年间以 19.1% 的复合年增长率领先市场,而同期 xEV 的总体年增长率为 14.1%。

在一些电气化领先的国家,内燃机市场已经开始崩溃。例如,在中国,NEV(新能源汽车,包括 BEV、PHEV 和 FCEV)的份额从 2021 年的 13.4% 跃升至 2022 年的 25.6%(整个汽车市场)。因此,拥有大量 ICE 产品组合的原始设备制造商已经开始失去市场。

由于采取了持续的成本削减措施,所有电源转换器的总市值将在 2028 年达到290亿美元,2022 年至 2028 年的复合年增长率为 12.2%。

在支持电气化趋势的过程中,xEV 的功率器件市场将达到98亿美元,受到 SiC MOSFET 模块的大力推动,到 2028 年仅此一项就价值55亿美元。

特斯拉正在极力推动与 ICE 的成本平价。它声称可以大大减少昂贵的 SiC 使用,并详细分析了可能的场景。以比亚迪为首的中国电动汽车品牌紧随其后,该品牌最近以与同行品牌内燃机相同的价格推出了 C 级 PHEV。

电气化不仅仅限于乘用车。在“最后一英里交付”中越来越多地采用电动轻型商用车需要特定型号与乘用车或中型商用车协同作用。一个新的生态系统正在快速发展。

新一波消费电子厂商,如小米、索尼,可能还有苹果,正在加入这场游戏。这可能会为现有的一级供应商创造新的机会,部分抵消 EV OEM 增加内部制造的趋势。

944a425e-0b53-11ee-962d-dac502259ad0.png

中国原始设备制造商对功率模块封装表现出痴迷

垂直整合改变了汽车业务格局,因为功率器件的重要性在电气化时代得到了更多认可:

原始设备制造商制造自己的逆变器:宝马、大众、蔚来等。

OEM 制造自己的功率模块(一些通过合资企业):Li Auto、GWM、Dongfeng 等。

整车厂自己制造动力装置(部分通过子公司):比亚迪、丰田、吉利等。

Si IGBT 模块供应商正专注于 650/750V 和 1200V 额定设备,而 SiC MOSFET 模块供应商则专注于 1200V,非常适合 800V 电压平台。

SiC 供应链特别关注衬底材料。大多数设备巨头,如意法半导体安森美罗姆,都在通过并购向上游发展 SiC 晶圆。原始设备制造商和一级供应商正在制定各种战略,例如合资企业、长期供应协议和战略合作伙伴关系,以确保他们的 SiC 衬底供应。

中国在汽车电气化方面的领先地位,由本土原始设备制造商主导,培育了一个与国际参与者混合的本土供应链。一级供应商正在本地化,而二级供应商仍由国际企业主导,许多本地供应商处于水下。Si IGBT 和 SiC MOSFET 都适用于汽车功率器件。中国原始设备制造商表现出对内部功率模块封装的痴迷。

供应链中的另一个潜力已被确定为发展中国家。一些国家正在电气化大趋势中寻找机会,主要是汽车市场增长迅速的国家。新品牌正在建立,这为现有的一级和二级供应商带来了新的业务前景,而由于原始设备制造商增加内部制造,它们在发达国家的可用市场面临压力。

94b7e584-0b53-11ee-962d-dac502259ad0.png

碳化硅仍是焦点,降本刻不容缓

特斯拉声称减少 75% 的 SiC 使用;尽管承认其卓越的性能,但仍有一定的潜力实现这一目标。实际情况是多种措施的组合:

混合:模块或系统级别的 SiC MOSFET 和 Si IGBT 的混合体

模块冷却:在较低功率水平(OBC)下实施的模块冷却改进将应用于逆变器;

平面到沟槽:器件改进将节省 SiC 面积

车队和多重采购:非技术措施,但有效降低成本

随着 OEM 和一级供应商的更多案例,系统集成趋势仍在继续:

多合一解决方案:结合三合一电桥和其他动力单元(OBC、DC/DC、PDU),并可能更多地集成 BMS 和 VCU。越来越多的原始设备制造商,尤其是中国的原始设备制造商,正在转向这种战略

扩展电池组:从电机变速箱到电池组的全集成系统。这是朝着完全集成的 BEV 底盘迈出的一步

800V,尤其是完整的800V架构,正在成为大功率充电的主流。这由 LD 和 M&HD(中型和重型)车辆共享。SiC是最适合800V的器件类型

设备创新:

Si IGBT:迈向12寸晶圆以节省成本;

SiC MOSFET:需要更多专用解决方案,而不是Si IGBT解决方案,才能充分受益;

GaN:渗透到低功率应用(DC/DC或OBC),处于逆变器应用的非常早期阶段;

其他新兴衬底:Ga2O3更适合低工作频率的大功率应用

94f93eda-0b53-11ee-962d-dac502259ad0.png
















声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 特斯拉
    +关注

    关注

    66

    文章

    6429

    浏览量

    131575
  • 功率器件
    +关注

    关注

    43

    文章

    2275

    浏览量

    95648

原文标题:车用功率器件,成长速度惊人

文章出处:【微信号:汽车半导体情报局,微信公众号:汽车半导体情报局】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

    评论

    相关推荐
    热点推荐

    用功率单元/放大器P702B:性能与特性解析

    用功率单元/放大器P702B:性能与特性解析 在电子工程领域,一款性能出色的功率单元/放大器对于众多应用场景来说至关重要。今天我们就来详细探讨一下Wilcoxon Sensing
    的头像 发表于 05-19 12:15 273次阅读

    功率器件的寿命评估

    功率器件,工业的CPU,其工业应用非常广泛,如电源管理(开关电源、逆变器)、电驱动(变频器)、医疗设备(医用电源、医用动力)、工业自动化、轨道交通,新能源(光伏、风电、新能源汽车)、电力传输等等诸多
    的头像 发表于 04-28 17:55 1033次阅读
    <b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>的寿命评估

    使用功率分析仪 PW8001对SiC功率器件的铁路逆变器的效率评估

    使用功率分析仪 PW8001 和 AC/DC 高压分压器 VT1005,可以测量使用 SiC 功率半导体的逆变器的效率。 测试对象 支持高压输入/输出的高效率逆变器 问题 用于铁路等运输设备的逆变器
    的头像 发表于 04-24 16:34 260次阅读
    使<b class='flag-5'>用功率</b>分析仪 PW8001对SiC<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>的铁路逆变器的效率评估

    左蓝微电子荣获2025年度电子元器件行业国产品牌芯片设计创新成长企业奖

    ,依托“零温漂高功率小型化声表面波滤波器”核心技术成果,从众多参评企业中脱颖而出,荣获“2025年度电子元器件行业国产品牌芯片设计创新成长企业”奖。
    的头像 发表于 04-14 13:59 383次阅读
    左蓝微电子荣获2025年度电子元<b class='flag-5'>器件</b>行业国产品牌芯片设计创新<b class='flag-5'>成长</b>企业奖

    一文看懂 | 中国华北、华东地区SiC功率器件厂商2026年最新动态【上】

    。 2026 年 1 月,与深向科技签约,聚焦规 SiC 功率器件联合开发与上车验证。 2025 年 12 月,入选安徽省 “专精特新” 中小企业,SiC MOSFET/SBD 批量送样车载与工业电源
    发表于 03-24 13:48

    规级单通道低边驱动器SiLM27531M,助力GaN/SiC功率系统高效运行

    ,SiLM27531M规级低边单通道门极驱动器。该产品支持30V供电,提供5A强驱动电流与纳秒级传输延迟,具备优异的抗噪特性与负压耐受能力,可高效、可靠地驱动MOSFET、SiC及GaN功率器件,助力系统实现更高
    发表于 01-07 08:07

    SiLM27531H面向宽禁带器件的高性能规级低边驱动器

    在高效开关电源、车载充电机等应用中,驱动电路的性能直接影响着GaN、SiC等新一代功率器件的潜力发挥。为满足高频、高压驱动的严苛要求,SiLM27531H——一款通过规认证的单通道低边门极驱动器
    发表于 12-26 08:20

    12V应用通用功率评估板设计:SSO8与TLE9879QXA40的完美结合

    12V应用通用功率评估板设计:SSO8与TLE9879QXA40的完美结合 作为电子工程师,我们常常面临着为特定应用设计高效、可靠评估板的挑战。今天,就来和大家分享一款专为12V应用设计的通用功率
    的头像 发表于 12-19 16:50 1166次阅读

    深度解析规级低边单通道门极驱动SiLM27531H

    门极驱动器,正是为驱动先进功率器件、解锁高效电源系统潜能而量身打造的一款高性能解决方案。它不仅满足规级AEC-Q100标准,更在驱动能力、开关速度、鲁棒性及供电灵活性上实现了卓越平衡
    发表于 12-12 08:39

    功率半导体器件——理论及应用

    本书较全面地讲述了现有各类重要功率半导体器件的结构、基本原理、设计原则和应用特性,有机地将功率器件的设计、器件中的物理过程和
    发表于 07-11 14:49

    电源功率器件篇:线路寄生电感对开关器件的影响

    、降低线路寄生电感影响的方案 1、优化PCB布局设计 ▍缩短功率回路路径 ▷ 将功率开关器件、直流母线电容、驱动电路等尽可能靠近布局,减少功率回路的面积。 ▷ 采用双面布线的方式,在
    发表于 07-02 11:22

    SGS亮相第四届功率半导体产业论坛

    近日,第四届功率半导体产业论坛在苏州召开,作为国际公认的测试、检验和认证机构,SGS受邀出席并发表《功率器件可靠性认证与SiC适用性探讨》主题演讲,为
    的头像 发表于 06-17 18:08 1300次阅读

    功率器件电镀的原理和步骤

    功率半导体制程里,电镀扮演着举足轻重的角色,从芯片前端制程到后端封装,均离不开这一关键工序。目前,我国中高档功率器件在晶圆背面金属化方面存在技术短板,而攻克这些技术难题的关键在于电镀。借助电镀实现
    的头像 发表于 06-09 14:52 2898次阅读
    <b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>电镀的原理和步骤

    初级元器件知识之功率MOSFET

    复合因子低的大量少数载流子,开关在闭合之前要对它们进行处理,换言之,与所有少数载流子器件相关的存储电荷问题限制了最大工作速度。FET 的主要优势目前带来了一线曙光:作为多数载流子器件,不存在已存储
    发表于 06-03 15:39

    浮思特 | 在工程衬底上的GaN功率器件实现更高的电压路径

    电压(BV)GaNHEMT器件的研究成果。Qromis衬底技术(QST®)硅基氮化镓(GaN-on-Si)是目前商用功率HEMT器件的首选技术,其主流最高工作电压范
    的头像 发表于 05-28 11:38 1047次阅读
    浮思特 | 在工程衬底上的GaN<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>实现更高的电压路径