什么是IGBT IPM（Intelligent Power Module）？
本文的关键要点
・IPM是“Intelligent Power Module”的缩写，IPM是集成了IGBT、MOSFET等元器件单体（分立产品）与驱动电路、保护电路等电路的模块的统称。
什么是IGBT IPM（Intelligent Power Module）？
IPM是“Intelligent Power Module”的缩写，IPM是集成了IGBT、MOSFET等元器件单体（分立产品）与驱动电路、保护电路等电路的模块的统称。因其驱动条件和保护功能根据所搭载的功率元器件进行了优化，且易于使用，故被称为“IPM”，一种智能（Intelligent）的功率模块（Power Module）。
功率元器件的主要形态包括元器件单体（分立产品）、功率模块和IPM。功率模块和IPM之间的区别在于，功率模块是将多个分立元器件组合在一个封装中的产品，驱动电路和保护电路需要另备。
而IPM，下面给出了由6个IGBT和三相栅极驱动器组成的逆变器结构的IGBT IPM的框图以及封装示例，这是最常见的IPM。在该示例中，还内置了用来驱动高边N沟道IGBT的自举二极管和再生用的快速恢复二极管。
审核编辑黄宇
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
-
IGBT
+关注
关注
1286文章
4258浏览量
260377 -
IPM
+关注
关注
5文章
180浏览量
40026
发布评论请先 登录
相关推荐
热点推荐
Dual Coupler Module skyworksinc
电子发烧友网为你提供()Dual Coupler Module相关产品参数、数据手册，更有Dual Coupler Module的引脚图、接线图、封装手册、中文资料、英文资料，Dual
发表于 10-28 18:34
一文详解IGBT IPM的控制输入
控制引脚HINU、HINV、HINW分别对应高边IGBT的U相、V相、W相控制输入；LINU、LINV、LINW则分别对应低边IGBT的U相、V相、W相控制输入。
BM64378S-VA智能电源模块IPM文档介绍
BM64378S-VA是将栅极驱动器、自举二极管、IGBT、再生用快速反向恢复二极管一体化封装的智能电源模块（IPM），集成 600V/35AIGBT、栅极驱动器（HVIC/LVIC）、自举二极管
BM63377S-VA智能电源模块IPM文档介绍
BM63377S-VA是将栅极驱动器、自举二极管、IGBT、再生用快速反向恢复二极管一体化封装的智能电源模块（IPM）。集成 600V/30AIGBT、栅极驱动器（HVIC/LVIC）、自举二极管
高速吹风机，IPM是刚需
电子发烧友网综合报道 智能功率模块IPM岁随着家电对变频等需求的增长，比如变频空调、直驱洗衣机、冰箱等，应用越来越广泛。而随着一些小家电对控制和功率的要求也在不断提高，像微波炉、电磁炉、风扇
发表于 09-19 08:03
•1810次阅读
深爱半导体 代理 SIC213XBER / SIC214XBER 高性能单相IPM模块
深爱半导体推出新品IPM模块
IPM（Intelligent Power Module，智能功率模块） 是集成了功率器件、驱动电路、保护功能
发表于 07-23 14:36
硅基时代的黄昏：为何SiC MOSFET全面淘汰IGBT？
，助力电力电子行业自主可控和产业升级！ 倾佳电子杨茜咬住SiC碳化硅MOSFET功率器件三个必然，勇立功率半导体器件变革潮头： 倾佳电子杨茜咬住SiC碳化硅MOSFET模块全面取代IGBT模块和IPM模块的必然趋势！ 倾佳电子杨茜咬住SiC碳化硅MOSFET单管全面取代
MOSFET与IGBT的区别
MOSFET和IGBT内部结构不同,决定了其应用领域的不同.
1,由于MOSFET的结构,通常它可以做到电流很大,可以到上KA,但是前提耐压能力没有IGBT强,IXYS有一款MOSFET
发表于 03-25 13:43
IGBT模块失效开封方法介绍
IGBT模块（Insulated Gate Bipolar Transistor Module，绝缘栅双极型晶体管模块）是一种高性能的电力电子器件，广泛应用于高电压、大电流的开关和控制场合。它结合了
功耗对IGBT性能的影响，如何降低IGBT功耗
在电力电子的广阔领域中，绝缘栅双极型晶体管（IGBT）作为核心器件，其性能优劣直接关乎整个系统的运行效率与稳定性。而功耗问题，始终是IGBT应用中不可忽视的关键环节。今天，就让我们一同深入探究IGBT功耗背后的奥秘。
IGBT IPM的热关断保护功能
BM6337xS系列配备了可监控LVIC（Low Side Gate Driver）温度的热关断电路，当LVIC的Tj达到规定温度以上时，热关断电路将启动，会关断下桥臂各相的IGBT，并输出FO信号。
金融界：江西万年芯取得一种 IPM 封装装置专利
据金融界近期消息称，江西万年芯微电子有限公司取得一项名为“一种IPM封装装置”的专利，该专利可更好地对IPM进行封装，性能更优。专利摘要显示，本实用新型涉及IPM封装装置技术领域，尤其为一种I
IGBT的温度监控与安全运行
（每个IGBT开关） Rthch per FWD（每个FWD开关）或Rthch per module（每个模块） IGBT/FWD芯片尺寸越大，Rthjc值越小；模块尺寸越大，Rthch值越小；散热器
工商网监
评论