垂直GaN获得重大突破，旨在取代SiC

一家基于专有的氮化镓（“GaN”）加工技术开发创新型高压功率开关元件的半导体器件公司Odyssey Semiconductor Technologies, Inc今天宣布，公司的垂直GaN产品样品制作完成，并于 2023 年第一季度开始向客户发货。

该公司的首席执行官评论道：“我们积压的客户一直在热切地等待这些垂直 GaN 产品样品。我很自豪地报告说，制造已按计划于 2022 年第四季度完成，现在正在准备样品，以便在本季度晚些时候运送给客户。”“我们将与这些初始客户密切合作，以获得有关他们产品功能的宝贵反馈。我们希望在 2023 年第二季度末与客户达成产品开发协议。”他接着说。

CEO进一步指出，产品样品制造的完成巩固了 Odyssey 作为功率应用垂直 GaN 技术领导者的地位。它需要我们的重要知识产权来制造适用于客户用例的产品。展望未来，Odyssey 继续开发和保护所需的 IP，并将通过与主要客户合作获得更多优势，这些客户将提供更多见解以确保产品成功。

据报道，Odyssey 的垂直 GaN 方法将比碳化硅或横向 GaN 提供比硅更大的商业优势。垂直 GaN 在竞争技术无法达到的性能和成本水平上比碳化硅 (SiC) 具有 10 倍的优势。

报道指出，650 伏部分是当今更大的市场，预计将以 20% 的复合年增长率增长。1200 伏产品细分市场预计将以 63% 的复合年增长率更快地增长，并将在本十年的下半年成为更大的市场。根据法国市场研究公司 Yole Group 的数据，到 2027 年，650 伏和 1200 伏功率设备市场预计将超过 50 亿美元，复合年增长率为 40%。

从报道可以看到，Odyssey Semiconductor Technologies, Inc开发了一项专有技术，旨在让 GaN 取代 SiC 作为新兴的高压功率开关半导体材料。公司总部位于纽约州伊萨卡，拥有并经营一个 10,000 平方英尺的半导体晶圆制造设施，配备 1,000 级和 10,000 级洁净空间以及用于先进半导体开发和生产的工具。Odyssey Semiconductor 还提供世界一流的半导体器件开发和代工服务。

审核编辑 ：李倩