长电科技实现4nm工艺制程手机芯片封装

长电科技积极推动传统封装技术的突破，率先在晶圆级封装、倒装芯片互连、硅通孔 (TSV) 等领域中采用多种创新集成技术，以开发差异化的解决方案，帮助客户在其服务的市场中取得成功。

长电科技近期在互动平台表示，公司已经实现 4nm 工艺制程手机芯片的封装。公司在芯片和封装设计方面与客户展开合作，提供满足客户对性能、质量、周期和成本要求的产品。

公司的全面晶圆级技术平台为客户提供丰富多样的选择，帮助客户将 2.5D 和 3D 等各类先进封装集成到智能手机和平板电脑等高级移动设备中，帮助不同客户实现更高的集成度、模块的功能和更小的尺寸的封装技术要求。在提升散热性能的技术方案中，公司和业界客户一起提倡芯片、封装及系统协同设计以实现成本和性能的共同最优化。

在成品制造技术上，公司将芯片背面金属化技术应用到先进封装中可以显著提升系统导热性。长电科技开发的背面金属化技术不仅可以改善封装散热，同时能够根据设计需要增强封装的电磁屏蔽能力。公司已将芯片背面金属化技术及其制造工艺应用到大批量量产产线中去。

封装技术从 2D 封装向更先进的 2.5D 和 3D 封装设计转变。为了满足这些需求，各种类型的堆叠集成技术被用于将多个具有不同功能的芯片集成到越来越小的尺寸中。

长电科技面向高密度多维异构集成应用的 XDFOI 系列工艺已经按计划在本月进入稳定量产阶段，长电科技 XDFOI 系列技术可以为高性能计算应用提供多层极高密度走线和极窄节距凸块互联，并可集成多颗芯片、高带宽内存和无源器件，在优化成本的同时实现更好的性能及可靠性。

公开信息显示长电科技成立于1972年，主营业务包括有：集成电路封装测试、分立器件制造销售,产品主要应用于通讯类、家电类、资讯类、工业自动化等方面。是全球领先的集成电路制造和技术服务企业，拥有3200多项专利。长电科技在中国、韩国和新加坡设有六大生产基地和两大研发中心。

（综合整理）