0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

又一碳化硅功率模块即将量产!

jf_izSRQyuK 来源:变频器世界 2022-12-22 15:39 次阅读
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

近期,东风汽车宣布智新半导体碳化硅功率模块项目将于2023年实现量产装车。

同时,东风汽车与中国信科共建的汽车芯片联合实验室,正在推进车规级MCU芯片在汉落地,预计2024年实现量产;与中芯国际合作,已完成设计首款MCU芯片。

作为 IGBT 模块的升级产品、第三代半导体,碳化硅功率模块有着更低损耗、更高效率、更耐高温和高电压的特性。据介绍,碳化硅功率模块项目于 2021 年 1 月在智新立项,目前课题已经顺利完成,将于 2023 年搭载东风自主新能源乘用车,实现量产。该模块能推动新能源汽车电气架构从 400V 到 800V 的迭代,从而实现 10 分钟充电 80%,并进一步提升车辆续航里程,降低整车成本。

据了解,东风汽车总投资 2.8 亿元的功率模块二期项目目前正在加速推进中。据悉,该项目一方面优化现有产线,提高 IGBT 模块产量,另一方面开辟两条全新产线,按订单需求生产 IGBT 模块及碳化硅功率模块。到 2025 年,每年可为东风新能源汽车生产提供约 120 万只功率模块。

据悉,智新半导体成立于2019年6月,由东风公司与中国中车两大央企在武汉合资成立。2021年7月,智新半导体正式将IGBT生产线投入量产,该产线以第六代IGBT技术为基础,首批下线的IGBT模块将搭载于东风风神、岚图等自主品牌车型上。

当下,汽车功率半导体材料正在由硅转向碳化硅,碳化硅逐渐成为功率半导体行业的重要发展方向。碳化硅应用在新能源汽车上,可以大大提高电能利用率,让汽车的系统效率更高,减少能量损耗。电动汽车采用碳化硅芯片还可以减少零部件的数量,让车更轻,结构更紧凑,既能节省成本,又可以在一定程度上提升续航里程。

加之目前车芯依旧短缺,今年以来,越来越多的车企纷纷投身布局碳化硅芯片。

市场规模方面,TrendForce集邦咨询预估,2022年车用碳化硅功率元件市场规模将达到10.7亿美元,至2026年将攀升至39.4亿美元。

8f8e5b5c-7f84-11ed-8abf-dac502259ad0.png

Source:TrendForce集邦咨询

因此,包括特斯拉、比亚迪、保时捷、奥迪、理想汽车、小鹏、蔚来、福特等在内的众多汽车品牌,纷纷将碳化硅功率器件作为提升新能源汽车性能的“秘密武器”。

8月,理想汽车宣布功率半导体研发及生产基地在江苏苏州高新区正式启动建设,这标志着理想汽车正式启动下一代高压电驱动技术的自主产业链布局。

据悉,该基地由理想汽车与三安半导体共同出资组建的苏州斯科半导体公司打造。基地主要专注于第三代半导体碳化硅车规功率模块的自主研发及生产,旨在打造汽车专用功率模块的自主设计和生产制造能力。

同月,长城控股集团与江苏省锡山经济技术开发区签约战略合作,无锡极电光能科技有限公司(以下简称“极电光能”) 全球总部及钙钛矿创新产业基地项目、长城旗下蜂巢易创第三代半导体模组封测制造基地项目落地锡山经济技术开发区,计划投资38亿元。

第三代半导体模组封测制造基地项目总投资约8亿元,占地面积约30亩,建筑面积约28000平方米,规划车规级模组年产能120万套。

10月,长城汽车与魏建军先生、稳晟科技(天津)有限公司共同出资设立芯动半导体科技有限公司(暂定名,最终以工商登记为准),注册资本人民币5000万元。

审核编辑 :李倩

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 功率器件
    +关注

    关注

    43

    文章

    2057

    浏览量

    94622
  • 功率模块
    +关注

    关注

    11

    文章

    612

    浏览量

    46648
  • 碳化硅
    +关注

    关注

    25

    文章

    3328

    浏览量

    51740

原文标题:又一碳化硅功率模块即将量产!

文章出处:【微信号:变频器世界,微信公众号:变频器世界】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

    评论

    相关推荐
    热点推荐

    碳化硅 (SiC) MOSFET 分立器件与功率模块规格书深度解析与应用指南

    倾佳电子碳化硅 (SiC) MOSFET 分立器件与功率模块规格书深度解析与应用指南 倾佳电子(Changer Tech)是家专注于功率
    的头像 发表于 11-24 09:00 318次阅读
    <b class='flag-5'>碳化硅</b> (SiC) MOSFET 分立器件与<b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>模块</b>规格书深度解析与应用指南

    EAB450M12XM3全碳化硅半桥功率模块CREE

    EAB450M12XM3全碳化硅半桥功率模块CREEEAB450M12XM3是Wolfspeed(原CREE科锐)生产的1200V、450A全碳化硅半桥
    发表于 06-25 09:13

    基本股份SiC功率模块的两电平全碳化硅混合逆变器解决方案

    倾佳电子(Changer Tech)-专业汽车连接器及功率半导体(SiC碳化硅MOSFET单管,SiC碳化硅MOSFET模块碳化硅SiC-
    的头像 发表于 06-24 17:26 425次阅读

    基于SiC碳化硅功率模块的高效、高可靠PCS解决方案

    亚非拉市场工商业储能破局之道:基于SiC碳化硅功率模块的高效、高可靠PCS解决方案 —— 为高温、电网不稳环境量身定制的技术革新 倾佳电子杨茜致力于推动国产SiC碳化硅
    的头像 发表于 06-08 11:13 982次阅读
    基于SiC<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>模块</b>的高效、高可靠PCS解决方案

    国产SiC碳化硅功率模块全面取代进口IGBT模块的必然性

    国产SiC模块全面取代进口IGBT模块的必然性 ——倾佳电子杨茜 BASiC基本半导体级代理倾佳电子(Changer Tech)-专业汽车连接器及功率半导体(SiC
    的头像 发表于 05-18 14:52 1212次阅读
    国产SiC<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>模块</b>全面取代进口IGBT<b class='flag-5'>模块</b>的必然性

    碳化硅功率器件有哪些特点

    随着全球对绿色能源和高效能电子设备的需求不断增加,宽禁带半导体材料逐渐进入了人们的视野。其中,碳化硅(SiC)因其出色的性能而受到广泛关注。碳化硅功率器件在电力电子、可再生能源以及电动汽车等领域的应用不断拓展,成为现代电子技术的
    的头像 发表于 04-21 17:55 1012次阅读

    碳化硅功率器件的种类和优势

    在现代电子技术飞速发展的背景下,功率器件的性能和效率面临着越来越高的要求。碳化硅(SiC)作为种新兴的宽禁带半导体材料,凭借其优异的电气特性和热性能,逐渐成为功率电子器件领域的热门选
    的头像 发表于 04-09 18:02 1174次阅读

    全球功率半导体变革:SiC碳化硅功率器件中国龙崛起

    SiC碳化硅模块在电力电子应用中全面取代进口IGBT模块,助力电力电子行业自主可控和产业升级! 倾佳电子杨茜跟住SiC碳化硅MOSFET功率
    的头像 发表于 03-13 00:27 706次阅读

    博世碳化硅功率模块生产基地落成

    近日,博世汽车电子中国区(ME-CN)在苏州五厂建成碳化硅(SiC)功率模块生产基地,并于2025年1月成功下线首批产品。这标志着博世在全球碳化硅
    的头像 发表于 03-06 18:09 1072次阅读

    国内碳化硅功率器件设计公司的倒闭潮是市场集中化的必然结果

    器件设计公司正在加速被市场抛弃:碳化硅功率器件设计公司出现倒闭潮,这是是市场集中化的必然结果。结合英飞凌、安森美等企业的业务动态,可从以下维度分析这趋势: 1. 技术壁垒与产能竞赛:头部企业构建护城河 技术门槛高企 :
    的头像 发表于 02-24 14:04 886次阅读
    国内<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>功率</b>器件设计公司的倒闭潮是市场集中化的必然结果

    高频电镀电源国产SiC碳化硅模块替代富士IGBT模块损耗对比

    模块,助力电力电子行业自主可控和产业升级! 倾佳电子杨茜咬住SiC碳化硅MOSFET功率器件三个必然,勇立功率半导体器件变革潮头: 倾佳电子杨茜咬住SiC
    的头像 发表于 02-09 20:17 1012次阅读
    高频电镀电源国产SiC<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>模块</b>替代富士IGBT<b class='flag-5'>模块</b>损耗对比

    碳化硅功率器件的散热方法

    碳化硅(SiC)作为种宽禁带半导体材料,因其耐高压、耐高温、高开关速度和高导热率等优良特性,在新能源、光伏发电、轨道交通和智能电网等领域得到广泛应用。然而,碳化硅功率器件在高密度和高
    的头像 发表于 02-03 14:22 1190次阅读

    碳化硅在半导体中的作用

    碳化硅(SiC)在半导体中扮演着至关重要的角色,其独特的物理和化学特性使其成为制作高性能半导体器件的理想材料。以下是碳化硅在半导体中的主要作用及优势: 碳化硅的物理特性
    的头像 发表于 01-23 17:09 2487次阅读

    产SiC碳化硅MOSFET功率模块在工商业储能变流器PCS中的应用

    *附件:国产SiC碳化硅MOSFET功率模块在工商业储能变流器PCS中的应用.pdf
    发表于 01-20 14:19

    什么是MOSFET栅极氧化层?如何测试SiC碳化硅MOSFET的栅氧可靠性?

    随着电力电子技术的不断进步,碳化硅MOSFET因其高效的开关特性和低导通损耗而备受青睐,成为高功率、高频应用中的首选。作为碳化硅MOSFET器件的重要组成部分,栅极氧化层对器件的整体性能和使用寿命
    发表于 01-04 12:37