超低工作电流的开关电源芯片U6113

UN超低工作电流的开关电源芯片U6113

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开关电源芯片U6113典型值为140uA超低的工作电流，降低了对于VDD电容大小的要求，同时也可以帮助系统获得更高的效率。为了保证系统工作在准谐振模式下，U6113利用检测流经内部高压MOSFET漏极和门极间寄生的米勒电容Crss的电流实现电流过零点的检测。当电感电流续流到零后，电感和高压MOSFET的输出电容开始谐振过程。此过程中MOSFET的Drain端电压开始下降，同时会有一由地到MOSFET Drain端的负向电流流经Crss电容。反之，当MOFET关断Drain端电压上升时，会有一正向电流流经Crss 电容。

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U6113在同一晶元上集成了高压功率MOSFET和控制器，是一款内部高度集成的降压型准谐振式（QR-Buck）LED照明恒流驱动功率开关电源芯片。此外，芯片还集成有高压启动电路和无需辅助绕组的电感电流过零检测电路，利用此功能，系统工作在准谐振模式下并且最大程度地简化了系统的设计。U6113 集成有完备的保护功能以保障系统安全可靠的运行，如VDD欠压保护功能、逐周期电流限制、过热保护、LED开路和短路保护等。

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当LED开路故障发生时，系统的开关频率开始增加而电感电流续流到零时间开始缩短。当电感电流续流到零的时间小于5.5us时，MOSFET停止导通，同时芯片进入到自动重启和VDD振荡模式。在VDD振荡模式里，VDD管脚电压在5.3V和5.8V之间震荡。当VDD振荡模式持续4个周期后，开关电源芯片U6113会复位内部逻辑并重新开始工作，如果故障仍然存在，则再重复以上过程，否则系统进入到正常工作模式下。

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开关电源芯片U6113引脚名称：

1 Drain 内部功率 MOSFET 漏极。

2 CS 芯片地，也用作电感峰值电流控制脚。

3 VDD 芯片电源供电。

CS 管脚作为开关电源芯片U6113的参考地，同时也用来检测电感电流峰值。当MOSFET导通时，VDD管脚和CS管脚之间的差分电压开始下降，当此差分电压大于峰值电流基准500mV时MOSFET关断。为了避免MOSFET导通瞬间的噪声引起错误检测，芯片设计有典型值为500ns的前沿消隐时间，在此时间内逐周期电流限制比较器停止工作且MOSFET不允许关断。

审核编辑 ：李倩