在先进工艺上,台积电今年底量产3nm工艺,2025年则是量产2nm工艺,这一代会开始使用GAA晶体管,放弃现在的FinFET晶体管技术。
再往后呢?2nm之后是1.4nm工艺,Intel、台积电及三星这三大芯片厂商也在冲刺,其中三星首个宣布2027年量产1.4nm工艺,台积电没说时间点,预计也是在2027年左右。
1.4nm之后就是1nm工艺了,这个节点曾经被认为是摩尔定律的物理极限,是无法实现的,但是现在芯片厂商也已经在攻关中。
台积电已经启动了先导计划,传闻中的1nm晶圆厂将落户新竹科技园下属的桃园龙潭园区,这意味着台积电已经开始为1nm做规划了,毕竟工厂需要提前一两年建设。
不过真正量产1nm还需要很长时间,其中关键的设备就是下一代EUV光刻机,要升级下一代的高NA(数值孔径)标准,从现在的0.33 NA提升到0.55 NA,更高的NA意味着更分辨率更高,是3nm之后的工艺必备的条件。
按照ASML的计划,下一代EUV光刻机的试验型号最快明年就开始出货,2025年后达到正式量产能力,售价将达到4亿美元以上。
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