第三代半导体中的明星元器件产品

近年来，「第三代半导体」这个名词频频进入我们的视野。尤其近年来「第三代半导体」在电动车、充电桩、高功率适配器等应用中的爆发式增长，使得其越来越贴近我们的生活。

业界一般把禁带宽度（Eg）大于或等于2.3eV的半导体材料称之为宽带隙半导体（Wide Band Gap Semiconductors）材料，也称「第三代半导体」材料。相比较以Si（硅）、Ge（锗）为代表的第一代半导体，「第三代半导体」可以承受更高功率、更高频率，并且拥有更优异的散热性。

近年来，特别是在全球变暖的大环境下，低碳减排已然是大势所趋，与此同时，5G通讯技术趋于成熟，而电动车、数据中心与能源应用也在大量落地和全面铺开，这使得以GaN（氮化镓）、SiC（碳化硅）为代表的「第三代半导体」已经开始在很多行业逐渐崭露头角。

其中，GaN（氮化镓）主要应用于光电器件和微波射频器件，诸如4G / LTE基站的RF包络跟踪、自动驾驶汽车、机器人、无人机和安全系统的光检测和测距（激光雷达）系统等应用，这些都是能够充分发挥高速GaN（氮化镓）器件性能优势的应用场景。与此同时，SiC（碳化硅）在高功率、高电压电力电子应用上性能优异，能提供更高效率的电源转换能力，带来更好的节能效果，有望部分取代原本以硅为基础的功率元件，其主要用途包括变频、整流、变压、功率放大、通讯、消费电子、新能源交通等领域，特别是在延长电动车电池的续航力，被给予厚望。

既然第三代半导体的性能优势这么突出，那么你想不想认识一些第三代半导体中的明星元器件产品？在本期视频中，我们就跟着达尔闻妮姐来结识几款——

看完了视频，我们现在将视频中介绍的几款元器件及其相关技术资源总结如下，供大家参考：

LMG3410R050RWHT

具有集成驱动器和保护功能的600V 50mΩ氮化镓MOSFET

LMG341xR050 氮化镓功率级具有集成驱动器和保护功能，可让设计人员在电力电子系统中实现更高水平的功率密度和效率。LMG341x 的固有优势超越了硅MOSFET，包括超低输入和输出电容值、可将开关损耗降低80%的零反向恢复特性，以及可降低 EMI 的低开关节点振铃。这些优势特性使得该器件可支持诸如图腾柱 PFC 之类的高功率密度、高效率拓扑。

Digi-Key在线购买链接

TI官网资料链接

Digi-Key零件编号: 296-LMG3410R050RWHTTR-ND -卷带（TR） 296-LMG3410R050RWHTCT-ND -剪切带（CT） 296-LMG3410R050RWHTDKR-ND -Digi-Reel得捷定制卷带

MASTERGAN1

高功率密度600V双增强模式氮化镓HEMT半桥驱动器

MASTERGAN1 是一款先进的系统级功率封装，在半桥配置中集成了栅极驱动器和两个增强模式 GaN 晶体管。集成功率 GaN 具有150mΩ的 RDS（ON）和650V漏源击穿电压，而嵌入式栅极驱动器的高侧可由集成式自举二极管轻松提供。

Digi-Key在线购买链接

ST官网资料链接

Digi-Key零件编号: 497-MASTERGAN1-ND

GAN041-650WSB

650V，35mΩ氮化镓MOSFET，TO-247封装

GAN041-650WSB 是一款650V，35mΩ TO-247封装氮化镓（GaN）场效应晶体管。结合Nexperia最新的高压 GaN HEMT H2 技术和低压硅MOSFET技术，可提供卓越的可靠性和性能。

Digi-Key在线购买链接

Nexperia官网资料链接

Digi-Key零件编号: 1727-GAN041-650WSBQ-ND

NTH4L040N120SC1

碳化硅MOSFET，N沟道，1200V，40mΩ，TO247−4L封装

NTH4L040N120SC1碳化硅（SiC）MOSFET采用了一种全新技术，与硅器件相比，它提供了优越的开关性能和更高的可靠性。此外，低ON阻值和紧凑的芯片尺寸确保低电容和栅电荷。因此，该器件的应用可以为系统设计带来诸多好处，包括更高的效率、更快的工作频率、更大功率密度、减少 EMI ，以及减小产品尺寸。

Digi-Key在线购买链接

Onsemi官网资料链接

Digi-Key零件编号: 488-NTH4L040N120SC1-ND

E3M0280090D

碳化硅功率MOSFET，E系列汽车级N沟道增强型产品

Wolfspeed 公司发布了全新的E系列产品，这是一个强大的 SiC 半导体器件家族，用于电动汽车（EV）和可再生能源市场，为车载汽车电源转换系统、车载充电、太阳能逆变器和其他户外应用提供最高的可用功率密度和耐用性。

Digi-Key在线购买链接

Wolfspeed官网资料链接

Digi-Key零件编号: E3M0280090D-ND

审核编辑：汤梓红