要素的解析: 一、核心化学溶液体系 SPM(硫酸/双氧水混合液) 作用 :通过强氧化性分解有机物(如光刻胶残留),并去除金属杂质。 典型配比 :浓硫酸与双氧水按7:3体积比混合,高温(100~150℃)
发表于 11-24 15:07
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半导体清洗中SPM(硫酸-过氧化氢混合液)的最佳使用温度需根据具体工艺目标、污染物类型及设备条件综合确定,以下是关键分析: 高温场景(120–150℃) 适用场景:主要用于光刻胶剥离、重度有机污染
发表于 11-11 10:32
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浓度升高,不仅降低对新硅片的清洗效果,还可能因饱和而析出沉淀,造成二次污染。例如,溶解的铜离子若达到一定浓度后,反而可能重新附着在晶圆表面形成缺陷。过氧化氢分解产物
发表于 10-20 11:21
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选择合适的SC1溶液清洗硅片需要综合考虑多个因素,以下是具体的方法和要点:明确污染物类型与污染程度有机物污染为主时:如果硅片表面主要是光刻胶、油脂等有机污染物,应适当增加过氧化氢(H₂O₂)的比例
发表于 10-20 11:18
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SC-1和SC-2可以一起使用,但需遵循特定的顺序和工艺条件。以下是其协同应用的具体说明:分步实施的逻辑基础SC-1的核心作用:由氨水(NH₄OH)、过氧化氢(H₂O₂)和水组成,主要去除硅片表面
发表于 10-13 10:57
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溶液处理负性胶时溶解效率低),可能导致分解反应停滞,留下未反应的聚合物碎片。例如,某些强氧化体系(如硫酸-双氧水混合液)在碳化严重的区域难以彻底氧化有机物,形成难溶
发表于 09-23 11:10
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半导体RCA清洗工艺中使用的主要药液包括以下几种,每种均针对特定类型的污染物设计,并通过化学反应实现高效清洁:SC-1(碱性清洗液)成分组成:由氢氧化铵(NH₄OH)、过氧化氢(H₂O₂)和去离子水
发表于 09-11 11:19
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溶液体系。随后用去离子水(DIW)喷淋冲洗,配合氮气枪吹扫表面以去除溶剂痕迹,完成基础脱脂操作。标准RCA清洗协议实施第一步:碱性过氧化氢混合液处理(SC-1)配
发表于 09-03 10:05
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过氧化氢(H2O2)是重要大宗化学品,在化工、医疗、能源、半导体和环保等领域应用广泛,但其工业主要生产方法为蒽醌法,安全风险和环保压力大,开发绿色安全的H2O2绿色生产工艺是工业亟需,针对以上困局,作者前期提出了无催化剂光合成H2O2新方案,即室温条件下光子激发有机物,
发表于 09-02 09:30
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通过电化学作用使颗粒与基底脱离;同时增强对有机物的溶解能力124。过氧化氢(H₂O₂):一种强氧化剂,可将碳化硅表面的颗粒和有机物氧化为水溶性化合物,便于后续冲洗
发表于 08-26 13:34
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),避免引入二次污染。 适用场景:用于RCA标准清洗(SC1/SC2配方)、去除硅片表面金属离子和颗粒。 典型应用: SC1溶液(H₂SO₄/H₂O₂):去除有机物和金属污染; SC2溶液(HCl/H₂O₂):去除重金属残留。 技术限制: 传统SPM(硫酸+过氧化氢)清洗中,过氧
发表于 06-04 15:15
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半导体清洗SC1是一种基于氨水(NH₄OH)、过氧化氢(H₂O₂)和去离子水(H₂O)的化学清洗工艺,主要用于去除硅片表面的有机物、颗粒污染物及部分金属杂质。以下是其技术原理、配方配比、工艺特点
发表于 04-28 17:22
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的潜在影响。 SPM清洗的化学特性 SPM成分:硫酸(H₂SO₄)与过氧化氢(H₂O₂)的混合液,通常比例为2:1至4:1(体积比),温度控制在80-120℃35。 主要作用: 强氧化性:分解有机物(如光刻胶残留)、氧化金属污染
发表于 04-27 11:31
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法) RCA清洗是晶圆清洗的经典工艺,分为两个核心步骤(SC-1和SC-2),通过化学溶液去除有机物、金属污染物和颗粒124: SC-1(APM溶液) 化学配比:氢氧化铵(NH₄OH,28%)、过氧化氢(H₂O₂,30%)与去离
发表于 04-22 09:01
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可能来源于前道工序或环境。通常采用超声波清洗、机械刷洗等物理方法,结合化学溶液(如酸性过氧化氢溶液)进行清洗。 刻蚀后清洗 目的与方法:在晶圆经过刻蚀工艺后,表面会残留刻蚀剂和其他杂质,需要通过清洗去除。此步骤通常
发表于 01-07 16:12
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