0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

瑞森碳化硅功率器件,国产替代的助推器

jf_19612427 来源:jf_19612427 作者:jf_19612427 2022-08-15 11:44 次阅读
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

瑞森半导体经多年研发,目前成功推出的第三代碳化硅功率器件产品,拥有强大的抗冲击能力、优良的温度特性和开关特性,性能品质比肩国外品牌,能大大增强应用系统可靠性、显巨提升效率和节省空间。

1.半导体材料发展趋势

pYYBAGL5uIaADbFwAASPrwg4wBE299.jpg

2.半导体材料参数对比

需求:应用于效率很关键的电力电子设备中。

优势:禁带宽度是硅的3倍,临界击穿电场强度是硅的7-10倍,导热系数是硅的3倍。

效益:良好的高温特性,耐高压,实现电源系统小型化。

poYBAGL5uN2AK0yHAASFODW4SBI352.jpg

3.瑞森碳化硅功率器件产品

瑞森碳化硅功率器件产品包括 碳化硅二极管 和 碳化硅MOS 两大系列。

碳化硅二极管产品系列

对标 Cree、Rohm、ST;

已成功量产650V~1700V(国内领先); 3300V 试产中;

低VF,高浪涌电流耐量;

极小的反向恢复电荷,大幅降低开关损耗;

Trr温度特性更加稳定,利于高温应用;

军用考核标准:GJB33A-1997;民用考核标准:GJB 7400-2011;

内、外绝缘插件封装、薄片贴片封装(TO-252/263,DFN5*6/8*8); 应用领域:PFC线路,太阳能/风能发电用的DC/AC逆变器,不间断电源UPS,植物大棚电源,远洋渔业电源,新能源汽车充电桩等。

pYYBAGL5uSuAUOx7AANZYYrOTn8021.png

pYYBAGL5vS2Ae9sKAADWyraagbs1.image

pYYBAGL5vS6AesEHAABDHPCePe40.image

碳化硅MOS产品系列

产品优势 对标 Cree、Rohm、ST;

已成功量产650V,1200V,1700V;

采用沟道自对准工艺制作,器件一致性优异;

具有竞争力的Ronsp,与1代产品相比,Ronsp减小20%,与2代产品相比也具有竞争力;

产品规格:650V-1700V 30mΩ-1Ω;

应用领域:太阳能逆变器,高压DC/DC变换器,UPS,新能源汽车充电桩。

poYBAGL5vS6ALQQqAACDX4RT0F80.image

pYYBAGL5vS6AdeIDAABKx91-dik8.image

4.市场前景&应用领域


碳化硅功率器件在太阳能光伏、新能源汽车和工业及商业电源三个领域已取得了较大进展。
国内的通信设备供应商也在基站电源开始采用第三代半导体材料。消费类电源方面,受成本影响,将会出现分化,价格敏感程度较低的应用将接受度较高,但整体渗逶速度会比较慢。

pYYBAGL5vS-AQaRbAAILEmOYcPQ0.image

依据产业调研情况,在新能源汽车领域,每个充电桩需要碳化硅功率器件6只,新能源汽车大约需要碳化硅功率器件13只,到2020年,中国新能源 汽车年保有量按照500万量计算,分散式充电桩 保有量480万个。到2020年仅新能源汽车贡献的碳化硅潜在市场空间就超过百亿元。

pYYBAGL5vS-ASgq8AAEBWoDnbn05.image

5.碳化硅器件典型应用

poYBAGL5vTCAGWyfAAC0ZgxvTI01.image

6. 瑞森研发方向

pYYBAGL5vTCAFSS9AASqPkLU6eQ3.image

湖南大学半导体学院(集成电路研究院)与瑞森半导体就技术合作和产品开发等方面进行深入合作。瑞森半导体作为国家高新技术型企业,也是少数几家成功量产碳化硅二极管和碳化硅 MOS的国内企业之一。通过与湖南大学半导体学院在功率半导体技术研究方向上的不断深入合作,将极大提升瑞森产品的性能和可靠性,全面提升在功率半导体产业的影响力和市场占有率。

poYBAGL5vTGAPUepAAflroQ44cA5.image


审核编辑 黄昊宇

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 功率器件
    +关注

    关注

    43

    文章

    2055

    浏览量

    94611
  • 碳化硅
    +关注

    关注

    25

    文章

    3320

    浏览量

    51729
  • 半导体企业
    +关注

    关注

    0

    文章

    11

    浏览量

    8840
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

    评论

    相关推荐
    热点推荐

    倾佳电子市场报告:国产SiC碳化硅功率器件在全碳化硅户用储能领域的战略突破

    倾佳电子市场报告:国产SiC碳化硅功率器件在全碳化硅户用储能领域的战略突破 ——以基本半导体B2M065120Z在15kW混合逆变器中的应用
    的头像 发表于 11-24 04:57 142次阅读
    倾佳电子市场报告:<b class='flag-5'>国产</b>SiC<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>在全<b class='flag-5'>碳化硅</b>户用储能领域的战略突破

    碳化硅器件的应用优势

    碳化硅是第三代半导体典型材料,相比之前的硅材料,碳化硅有着高击穿场强和高热导率的优势,在高压、高频、大功率的场景下更适用。碳化硅的晶体结构稳定,哪怕是在超过300℃的高温环境下,打破了
    的头像 发表于 08-27 16:17 1118次阅读
    <b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>器件</b>的应用优势

    国产SiC碳化硅功率半导体全面取代Wolfspeed进口器件的路径

    在Wolfspeed宣布破产的背景下,国产碳化硅(SiC)功率器件厂商如BASiC(基本股份)迎来了替代其市场份额的重大机遇。
    的头像 发表于 06-19 16:43 693次阅读

    国产SiC碳化硅功率半导体企业引领全球市场格局重构

    SiC碳化硅MOSFET国产替代浪潮:国产SiC碳化硅功率半导体企业引领全球市场格局重构 1
    的头像 发表于 06-07 06:17 796次阅读

    深度分析650V国产碳化硅MOSFET的产品力及替代高压GaN器件的潜力

    深度分析B3M040065Z和B3M040065L的产品力及替代高压GaN器件的潜力 倾佳电子(Changer Tech)-专业汽车连接功率半导体(SiC
    的头像 发表于 05-04 11:15 440次阅读
    深度分析650V<b class='flag-5'>国产</b><b class='flag-5'>碳化硅</b>MOSFET的产品力及<b class='flag-5'>替代</b>高压GaN<b class='flag-5'>器件</b>的潜力

    碳化硅功率器件有哪些特点

    随着全球对绿色能源和高效能电子设备的需求不断增加,宽禁带半导体材料逐渐进入了人们的视野。其中,碳化硅(SiC)因其出色的性能而受到广泛关注。碳化硅功率器件在电力电子、可再生能源以及电动
    的头像 发表于 04-21 17:55 1005次阅读

    碳化硅功率器件的种类和优势

    在现代电子技术飞速发展的背景下,功率器件的性能和效率面临着越来越高的要求。碳化硅(SiC)作为一种新兴的宽禁带半导体材料,凭借其优异的电气特性和热性能,逐渐成为功率电子
    的头像 发表于 04-09 18:02 1170次阅读

    碳化硅(SiC)MOSFET替代硅基IGBT常见问题Q&amp;A

    碳化硅(SiC)MOSFET作为替代传统硅基IGBT的新一代功率器件,在电动汽车、可再生能源、高频电源等领域展现出显著优势,随着国产
    的头像 发表于 03-13 11:12 1381次阅读
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>(SiC)MOSFET<b class='flag-5'>替代</b>硅基IGBT常见问题Q&amp;A

    全球功率半导体变革:SiC碳化硅功率器件中国龙崛起

    功率器件变革中SiC碳化硅中国龙的崛起:从技术受制到全球引领的历程与未来趋势 当前功率器件正在经历从传统的硅基
    的头像 发表于 03-13 00:27 698次阅读

    SiC碳化硅二极管公司成为国产碳化硅功率器件行业出清的首批对象

    结合国产碳化硅功率半导体市场的竞争格局和技术发展趋势,SiC碳化硅二极管公司已经成为国产碳化硅
    的头像 发表于 02-28 10:34 685次阅读

    国内碳化硅功率器件设计公司的倒闭潮是市场集中化的必然结果

    碳化硅行业观察:国内碳化硅功率器件设计公司加速被行业淘汰的深度分析 近年来,碳化硅(SiC)功率
    的头像 发表于 02-24 14:04 883次阅读
    国内<b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>功率</b><b class='flag-5'>器件</b>设计公司的倒闭潮是市场集中化的必然结果

    高频电镀电源国产SiC碳化硅模块替代富士IGBT模块损耗对比

    倾佳电子杨茜以50KW高频电镀电源应用为例,分析BASiC基本股份国产SiC碳化硅模块替代富士IGBT模块损耗对比: 倾佳电子杨茜致力于推动国产SiC
    的头像 发表于 02-09 20:17 1007次阅读
    高频电镀电源<b class='flag-5'>国产</b>SiC<b class='flag-5'>碳化硅</b>模块<b class='flag-5'>替代</b>富士IGBT模块损耗对比

    碳化硅功率器件的散热方法

    碳化硅(SiC)作为一种宽禁带半导体材料,因其耐高压、耐高温、高开关速度和高导热率等优良特性,在新能源、光伏发电、轨道交通和智能电网等领域得到广泛应用。然而,碳化硅功率器件在高密度和高
    的头像 发表于 02-03 14:22 1185次阅读

    产SiC碳化硅MOSFET功率模块在工商业储能变流器PCS中的应用

    *附件:国产SiC碳化硅MOSFET功率模块在工商业储能变流器PCS中的应用.pdf
    发表于 01-20 14:19

    什么是MOSFET栅极氧化层?如何测试SiC碳化硅MOSFET的栅氧可靠性?

    随着电力电子技术的不断进步,碳化硅MOSFET因其高效的开关特性和低导通损耗而备受青睐,成为高功率、高频应用中的首选。作为碳化硅MOSFET器件的重要组成部分,栅极氧化层对
    发表于 01-04 12:37