拆解|QR架构、功率密度0.91W/cm³的国产30W 氮化镓快充

电子发烧友网报道（文/李诚）随着电子设备充电功率的不断提高，具有耐高温 、高压、高开关频率的氮化镓，在消费类快充领域进入了发展的快车道。氮化镓不仅能够替代传统硅基器件降低导通电阻，还能够实现更高的开关频率，减小变压的尺寸，助力充电器的小型化设计。

近日，笔者拆解了一款倍思的30W氮化镓快充，并针对产品设计、用料、工作原理以及电源架构进行了分析，具体内容见下文。

设计与基本参数

此款氮化镓充电器的最高输出功率为30W，它主要是针对iPhone用户消费群体推出的。顶部为单Type-C的功率输出接口，并且为了提升产品的便携性，充电器底部采用了可折叠式插脚的设计，减小收纳体积。

该充电器支持100V~240V宽压输入，以及5V/3A、9V/5A、12V/2.5A、15V/2A、20V/1.5A多功率等级的输出，并兼容PD、QC、PPS等多制式快充协议，具体尺寸为：长3cm*宽2.85cm*高3.85cm（测量结果可能存在1mm误差），以最高输出功率30W计算，充电器的功率密度可达到0.91W/cm3，在同行业产品中属于中等水平。

充电器的内部采用的是U型拼接的设计，主要是为了将空间利用率实现最大化，提高充电器的功率密度。U型的拼接设计，也是目前行业内为提升功率密度，运用得较为广泛的一种设计。

为了避免初、次级电路耦合，此款充电器还巧妙地使用了黑色塑料块对初、次级电路器件固定，同时完成二者之间的电气隔离。

工作原理解析

电流会先从电源的正极流入耐压值为250V的保险电阻，再流向共模电感、工字型电感，消除共模干扰、滤波，使通过的电流更加稳定。经过消除共模干扰后的电流会流入板子背面一体化封装的整流管，将与市电连接的交流电转化为直流电，再经过两颗高压电容滤波后流向变压器。

电流从原边流向副边需要主控芯片与开关管的配合。此时，充电器的主控芯片会通过控制开关管的导通与关断，在变压器原边形成不断变化的电流，经过变压器降压后流向副边。由于变压器副边输出的还是是交流电，需要经过整流滤波后方可向手机输出。

电源架构及主要元器件

通过观察电路得知，此款充电器采用了经典的QR开关电源架构设计。电路中没有看到主控电路的开关管是因为，主控芯片是一颗与氮化镓开关管合封的南芯SC3056高频准谐振反激PWM转换器，在QR工作模式下，可支持最高170kHz开关频率。

通过采用合封芯片不仅消除了寄生参数对高频开关造成的干扰，简化了外围电路器件的使用，还有利于功率密度的提高。

上图分别为充电器输入端和输出端的滤波电容，输入端分别为一颗永明电子的33μF电容和一颗创宜兴科技的22μF电容，这两颗电容的耐压值选型均为400V，这主要是为了提高充电器的可靠性，避免电压波动造成电容的击穿。当充电器接入220V市电经过滤波、整流后，电压会升高至311V，如果电压源存在波动的话，滤波、整流后的电压会更高。

上图为次级端电路，主要有同步整流控制器、同步整流管、协议识别芯片和VBUS开关构成。同步整流控制器为南芯的SC3503，与并排的华瑞微HRG100N068GL开关管，构成一套同步整流电路，下方为一颗南芯的SC2151A协议识别芯片。板子背面是一颗华瑞微HRT30N08J开关管，这颗开关管位于VBUS输出电路上，做VBUS开关使用。

在初级侧的小板上有一颗用于电路反馈的光电耦合器OR1009。实际上，它介于初级侧与次级侧之间，其主要是在次级协议芯片与充电设备完成协议识别后，将所需的电压信息反馈给初级侧的主控芯片，通过调整开关管的占空比来改变输出端的电压。

总结

这款倍思的30W氮化镓快充，在做工方面还是相当精细的，元器件之间摆放位置的契合度也非常之高，将空间的利用率实现了最大化，可见开发工程师在器件布局方面花了不少心思。在元器件选择方面，这款充电器的电路中一共使用到了3颗开关管，不过只在初级侧使用了氮化镓，同步整流以及VBUS开关依然还是传统的硅基器件，并没有实现全氮化镓。