瑞盟MS35711T器件是一款步进电机控制器, 它使用外部 N 沟道MOSFET 来驱动一个双极步进电机或两个刷式直流电机。完美替代TI DRV8711。 MS35711T 支持全步进到 1/256 步进驱动模式。通过使用自适应消隐时间和包括自动混合衰减模式在内的多种不同的电流衰减模式, 可实现非常平滑的运动过程。 电机运动采用标准的 DIR/STEP 控制方法。器件运行通过一个 SPI 串行接口控制。 输出电流(扭矩)、步进模式、衰减模式和堵转检测功能都可以通过 SPI 串行接口进行编程。
主要特点
PWM 调制微步进电机驱动控制器
内置 256 细分
可选 STEP/DIR 接口控制或者直接 PWM 控制接口
直接 PWM 控制逻辑包括 IN1,IN2 控制和 EN,PH 控制
灵活的衰减模式
SPI 串行接口控制
带可选 BEMF 输出的堵转检测
8V-55V 电源电压范围
驱动双 N 功率管,预驱能力可调整
完备的保护功能:过流保护,过热保护,欠压保护
故障指示位



审核编辑 黄昊宇
声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。
举报投诉
-
步进马达
+关注
关注
0文章
37浏览量
8600
发布评论请先 登录
相关推荐
热点推荐
探索 onsemi FDPF2710T N 沟道 MOSFET:性能与应用解析
探索 onsemi FDPF2710T N 沟道 MOSFET:性能与应用解析 在电子工程领域,MOSFET 作为关键的半导体器件,广泛应用
探索 onsemi FDPF33N25T N 沟道 MOSFET:特性、参数与应用
探索 onsemi FDPF33N25T N 沟道 MOSFET:特性、参数与应用 在电子设计领域,MOSFET 作为关键的功率开关元件,其
FDPF44N25T:高性能N沟道UniFET™ MOSFET解析
FDPF44N25T:高性能N沟道UniFET™ MOSFET解析 Fairchild已成为ON Semiconductor的一部分,在系统整合过程中,部分Fairchild可订购的零
Onsemi N沟道UniFET MOSFET:高性能开关利器
Onsemi N沟道UniFET MOSFET:高性能开关利器 在电子设计的领域中,MOSFET 作为关键的开关元件,广泛应用于各种电路中。今天咱们就来深入了解一下 Onsemi 推出
LT1336:高效半桥N沟道功率MOSFET驱动芯片的全面解析
LT1336:高效半桥N沟道功率MOSFET驱动芯片的全面解析 在电子工程师的日常设计工作中,选择一款合适的功率MOSFET
LT1160:高效半/全桥N沟道功率MOSFET驱动器的设计与应用
LT1160/LT1162:高效半/全桥N沟道功率MOSFET驱动器的设计与应用 在电子工程师的日常工作中,功率MOSFET
选型手册:VSE011N10MS-G N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管
威兆半导体推出的VSE011N10MS-G是一款面向100V中压场景的N沟道增强型功率MOSFET,采用PDFN3333封装,适配中压小型高功率密度电源管理、负载开关等领域。一、产品基
选型手册:VST018N10MS N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管
威兆半导体推出的VST018N10MS是一款面向100V中压大功率场景的N沟道增强型功率MOSFET,采用TO-220AB封装,适配中压大功率电源管理、负载开关等领域。一、产品基本信息
选型手册:VSP004N10MS-G N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管
威兆半导体推出的VSP004N10MS-G是一款面向100V中压场景的N沟道增强型功率MOSFET,采用PDFN5060X封装,适配中压大功率电源管理、DC/DC转换器等领域。一、产品
选型手册:VSD011N10MS-G N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管
威兆半导体推出的VSD011N10MS-G是一款面向100V中压场景的N沟道增强型功率MOSFET,采用TO-252封装,适配中压中功率电源管理、负载开关等领域。一、产品基本信息器件类
选型手册:VSD090N10MS N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管
威兆半导体推出的VSD090N10MS是一款面向100V中压场景的N沟道增强型功率MOSFET,采用TO-252封装,适配中压中功率电源管理、负载开关等领域。一、产品基本信息器件类型:
选型手册:VSE090N10MS N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管
威兆半导体推出的VSE090N10MS是一款面向100V中压场景的N沟道增强型功率MOSFET,采用PDFN3x3封装,适配中压小型电源管理、负载开关等领域。一、产品基本信息器件类型:
探索英飞凌OptiMOS™ 7 40V N沟道MOSFET:电机驱动的新突破
探索英飞凌OptiMOS™ 7 40V N沟道MOSFET:电机驱动的新突破 在电子工程师的日常工作中,为电机驱动系统挑选合适的
选型手册:VST002N06MS-K N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管
威兆半导体推出的VST002N06MS-K是一款面向60V低压超大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET,采用TO-220AB封装,适配低压大电流DC/DC转换器、电源管理等领域。一、
选型手册:VSE002N03MS-G N 沟道增强型功率 MOSFET 晶体管
威兆半导体推出的VSE002N03MS-G是一款面向30V低压超大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET,基于VeriMOS®II技术实现极致低导通电阻,适配低压大电流DC/DC转换器
使用外部N沟道MOSFET驱动的步进马达MS35711T
评论