参数指标
| 项目 | 参数 | |
| 集电极-发射极 | Z大电压. | 3000V |
| Z大电流 | 1000A | |
| 精度 | 0.10% | |
| 漏电流测试量程 | 1uA~100mA | |
| 栅极-发射极 | Z大电压. | 300V |
| Z大电流 | 1A(直流)/10A(脉冲) | |
| 精度 | 0.10% | |
| Z小电压分辨率 | 30uV | |
| Z小电流分辨率 | 10pA |
可测项目
集电极-发射极电压Vces,集电极-发射极击穿电压V(br)ces
集电极-发射极饱和电压Vce sat
集电极电流Ic,集电极截止电流Ices
栅极漏电流Iges,栅极-发射极阈值电压Vge(th)
栅极电阻Rg
电容测量
I-V特性曲线扫描,C-V特性曲线扫描等
PMST功率器件静态参数测试系统特色:
单台Z大3000V输出;
单台Z大1000A输出,可并联后Z大4000A;
10us的超快电流上升沿;
同步测量;
国标全指标的自动化测试
审核编辑 黄昊宇
声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。
举报投诉
-
系统测试
+关注
关注
2文章
37浏览量
15198 -
功率器件
+关注
关注
43文章
2225浏览量
95495
发布评论请先 登录
相关推荐
热点推荐
「聚焦半导体分立器件综合测试系统」“测什么?为什么测!用在哪?”「深度解读」
器件(如 IGBT 模块),测试其高功率、高频特性。
新能源行业:光伏逆变器、储能系统中的整流二极管、MOSFET,测试耐高压、低损耗
发表于 01-29 16:20
半导体分立器件静态参数测试仪系统STD2000X使用价值和选型参考
半导体分立器件静态参数测试仪系统在半导体研发、生产、质量控制及应用中具有重要的使用价值和意义,主要体现在以下几个方面: 1. 技术价值:确保
STD2000X:半导体分立器件静态电性测试的全场景解决方案
在半导体设计与制造过程中,器件性能的精确测试是确保产品可靠性与一致性的关键环节。苏州永创智能科技有限公司推出的 STD2000X 半导体静态电性测试
半导体器件CV特性/CV特性测试的定义、测试分析和应用场景
一、基本概念 CV特性 (电容-电压特性)是指半导体器件在不同偏置电压下表现出的电容变化规律,主要用于分析器件的介电特性、载流子分布和界面状态。该特性是评估功率器件性能的核心
半导体分立器件测试的对象与分类、测试参数,测试设备的分类与测试能力
半导体分立器件测试是对二极管、晶体管、晶闸管等独立功能半导体器件的性能参数进行系统性检测的过程,旨在评估其电气特性、可靠性和适用性。以下是主
功率器件静态参数系统测试项目和指标
评论