3nm工艺是继5nm技术之后的下一个工艺节点,台积电、三星都已经宣布了3nm的研发和量产计划,预计可在2022年实现。
台积电和三星的3nm使用的技术不一样,三星是基于3nm全环绕栅极(Gate-All-AroundT,简称 GAA)制程工艺节点的芯片,打破了FinFET技术的性能限制,通过降低工作电压提高能耗比,增加芯片的性能。而台积电的N3制程节点仍使用FinFET晶体管的结构,推出的时候将成为业界最先进的PPA和晶体管技术。
3nm工艺制程这么厉害是不是已经到达了芯片的工艺极限了呢?答案是否定的,在2022年的5月,ibm宣布研制出了全球首颗2nm芯片,这颗芯片比DNA的单链还要小,能够容纳500亿个晶体管。
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