豪威集团推出两款MOSFET 为数字电路应用的新时代助力赋能

电源管理系统要实现高能源转换效率、完善可靠的故障保护，离不开高性能的开关器件。近日，豪威集团全新推出两款 MOSFET：业内最低内阻双 N 沟道 MOSFET WNMD2196A 和 SGT 80V N 沟道 MOSFET WNM6008。

WNMD2196A 超低 Rss（ON），专为手机锂电池保护设计

近几年，手机快充技术飞速发展，峰值充电功率屡创新高。在极大地缓解消费者电量焦虑的同时，高功率充电下的安全问题不容小觑。MOSFET 在电池包装中起到安全保护开关的作用，其本身对功率的损耗也必须足够低才能满足高效、低发热的要求。

双 N 沟道增强型 MOSFET，WNMD2196A 具有业内同类产品最低内阻，RSS（ON） 低至 1mΩ，专为手机锂电池电路保护设计。WNMD2196A 采用先进的沟槽技术设计，提供卓越的 RSS（ON） 的同时实现低栅极电荷。载流子迁移速度快，阙值电压低，开关速率高。

WNMD2196A 兼顾性能与设计灵活性。该产品采用 CSP 封装，更紧凑，方便电池应用布板设计。同时，优化的 SOA 特性，提高承受冲击电流的能力；超低 RSS（ON），可实现更高的效率和更低的温升，提升了产品的可靠性。

WNM6008 80V 高功率 MOSFET 适用太阳能、电池供电应用

WNM6008——80V 高功率 MOSFET，采用最新一代 Shield Gate 技术，针对电信和服务器电源中使用的更高开关频率进行了优化，具备超低 FOM 值（开关应用重要优值系数）。WNM6008 低开关和导通损耗，可实现更高效率、更优 EMI 性能。适用于同步整流应用，优化了反向恢复电荷从而实现更低的尖峰电压，提供最高水平的功率密度和能效，继而为电源提供更高的效率和更强的可靠性。

WNM6008 适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路。可有效赋能太阳能、电源和电池供电（例如电动代步车）等应用。该产品符合 RoHS 环保标准，采用 QFN5x6 标准紧凑封装，在实现高功率密度的能量传输的同时，方便对市场上同类产品进行升级替换。

豪威集团凭借多年技术沉淀，紧跟市场需求，在 MOSFET 工艺上具有导通阻抗低、封装紧凑、类型齐全，能够满足多种定制化需求的独特优势。未来，豪威集团将持续发力电路保护领域，不断升级创新，为数字电路应用的新时代助力赋能。

审核编辑：彭静