在2022年6月16日北美技术论坛会议上,台积电首次宣布将推出下一代先进N2工艺制程,同时也介绍和说明了n2工艺制程的相关研发进展和未来规划。
n2工艺制程将采用基于全新的纳米片电晶体架构,用环绕栅极晶体管 (GAAFET)技术取代鳍式场效应晶体管(FinFET)进行制程节点设计。
GAA晶体管的静电特性比FinFET更为出色,因此在产品相同尺寸的结构下,GAA将为技术芯片提供更高性能。采用GAAFET技术的2nm工艺在在相同功率和复杂度下速度得到至少15%以上的提升,同时功耗降低超30%,芯片密度提高约1.1倍。
同时台积电官方透露2nm工艺制程将会在2025年实现量产。
综合Tech情报局整合
审核编辑:郭婷
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