成功实现功率器件热设计的四大步骤

铁路、汽车、基础设施、家电等电力电子一直在与我们息息相关的生活中支持着我们。为节省能源和降低含碳量（实现脱碳），需要高度高效的电力电子技术。IGBT、SiC、GaN等次时代功率器件的存在是实现这一目标的重要一环，但一旦使用不当则会导致意想不到的不良或降低可靠性，严重时可能会因为市场不良导致召回。其中尤为重要的是直接影响可靠性的热设计。一旦发生问题，则可能会需要重新进行器件选型，修改基板布局，重新进行散热设计等，从而导致返工工时以及成本的增加。

为此，罗姆准备了一系列的应用笔记，汇总了与热设计相关的信息，将有助于提高设备可靠性，减少设计返工。应用笔记汇总了用户开发流程各阶段所需的技术信息的文档，从基础到实践性内容全方位支持客户。在此本白皮书中，将分4大步骤介绍为成功进行热设计所准备的应用笔记。点击下方图片，即可下载白皮书。

步骤 1 学习热设计的基础

步骤 2 了解所使用元器件的热特性

步骤 3 活用热仿真

步骤 4 正确进行热测量

以上四个步骤涵盖了提高应用设备可靠性、削减设计返工工时所需的相关热设计信息，您可在白皮书中查看详细内容以及相关内容参考文件。同时，针对从元器件选型到仿真、评价、基板制作等各个流程，罗姆还备有解决用户课题的最佳解决方案。通过这些内容，可以提高用户应用开发的速度，并为防止故障、不良的发生做出贡献。

除此以外，您还可以在关于第4代SiC MOSFET的相关介绍和罗姆官网的应用笔记和设计模型中下载该白皮书。

原文标题：白皮书 | 独家资料，点击下载！

文章出处：【微信公众号：罗姆半导体集团】欢迎添加关注！文章转载请注明出处。

审核编辑：汤梓红