随着全球对能源效率和可持续发展的关注日益加深,碳化硅(SiC)功率器件作为一种新兴的半导体材料,正在快速崛起。SiC以其优异的电气性能、高温稳定性和抗辐射性,成为现代电力电子技术中不可或缺的重要组成部分。本文将探讨碳化硅功率
发表于 09-03 17:56
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一、基本概念 CV特性 (电容-电压特性)是指半导体器件在不同偏置电压下表现出的电容变化规律,主要用于分析器件的介电特性、载流子分布和界面状
发表于 09-01 12:26
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主要的功率半导体器件特性分为静态特性、动态特性、开关特性。这些测试中最基本的测试就是静态参数测试
发表于 08-05 16:06
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(Wafer Sort),剔除不良品,提升后端封装良率。 功率器件研发与特性分析:全面表征器件静态参数(IV特性:BVdss, Rds(on
发表于 07-29 16:21
本书较全面地讲述了现有各类重要功率半导体器件的结构、基本原理、设计原则和应用特性,有机地将功率器件的设计、
发表于 07-11 14:49
碳化硅(SiliconCarbide,SiC)是一种新兴的半导体材料,因其优越的电气特性和热稳定性,正在逐渐取代传统的硅(Si)材料,成为功率器件领域的重要选择。SiC功率
发表于 06-18 17:24
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功率器件作为电子系统中的核心元件,其动态特性直接影响着系统的效率、稳定性和可靠性。因此,对功率器件动态特
发表于 06-12 17:03
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随着技术的不断进步,新型功率器件如碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)因其优异的性能被广泛应用于各种电子设备中。然而,这些器件在长期连续使用后会出现老化现象,导致性能退化。如何在短时间内准确评估这些
发表于 06-03 16:03
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在现代电子技术飞速发展的背景下,功率器件的性能和效率面临着越来越高的要求。碳化硅(SiC)作为一种新兴的宽禁带半导体材料,凭借其优异的电气特性和热性能,逐渐成为功率电子
发表于 04-09 18:02
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在研究逆变电路的损耗时,所使用的功率器件选型也非常重要。不仅要实现预期的电路工作和特性,同时还需要进行优化以将损耗降至更低。本文将功率器件的
发表于 03-27 14:20
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)功率器件,成为电力电子领域的核心技术之一。本文将详细介绍碳化硅功率器件的基本特性、主要类型、应用领域、市场前景以及未来发展趋势。
发表于 02-25 13:50
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功率器件热设计是实现IGBT、碳化硅SiC等高功率密度器件可靠运行的基础。掌握功率半导体的热设计基础知识,不仅有助于提高
发表于 02-03 14:17
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大电流 Si IGBT 和小电流 SiC MOSFET 两者并联形成的混合器件实现了功率器件性能和成本的折衷。 但是SIC MOS和Si IGBT的器件
发表于 01-21 11:03
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/前言/功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础,只有掌握功率半导体的热设计基础知识,才能完成精确热设计,提高功率器件的
发表于 01-13 17:36
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/前言/功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础,只有掌握功率半导体的热设计基础知识,才能完成精确热设计,提高功率器件的
发表于 01-06 17:05
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