一文详解IGBT技术参数

一、开通延时。

t1时刻Vge上升到10%，t2时刻Ic上升到10%，开通延时td(on)=t2-t1。

二、关断延时。

t1时刻Vge下降到90%，t2时刻Ic下降到90%，关断延时td(off)=t2-t1。

三、上升时间。

t1时刻Ic上升到10%，t2时刻Ic上升到90%（不算过冲部分），上升时间tr=t2-t1。

四、下降时间。

t1时刻Ic下降到90%，t2时刻Ic下降到10%，下降时间tr=t2-t1。

五、Vce饱和电压。

IGBT导通时，CE两端呈现低阻抗，所以压降也很小。

六、Vces。

IGBT截止时，CE两端的最大击穿电压。

七、开通耗损和关断耗损。

IGBT开通时Vce减少，Ic增大，虚线之间，Eon=Vce、Ic、t所围成的面积；

IGBT关断时Vce增大，Ic减少，虚线之间，Eoff=Vce、Ic、t所围成的面积。

八、输入电容。

输出短路（CE短接），输入电容Cies=CGC+CGE。

九、输出电容。

输入短路（GE短接），输出电容Coes=CGC+CEC。

十、米勒电容。

跨接在G、C之间的电容，叫米勒电容Cres，也叫反向传输电容。

十一、门极电荷。

也称栅极电荷，用于衡量驱动门极，所需要能量。

十二、SOA。

安全工作区。分为FBSOA（正偏安全工作区）、RBSOA（反偏安全工作区）、SCSOA（短路安全工作区）。

FBSOA，与工艺相关，得到电压-电流密度曲线，如下图所示。

RBSOA，与Vce电压、Ic电流相关，得到电压-电流曲线，曲线所包围的面积为安全工作区，如下图所示。

SCSOA，与门极开通时间、Ic电流相关。逐步增大门极开通时间，再测Ic电流，得到时间-电流曲线，如下图所示。

十三、结温。

IGBT内部的温度。

十四、壳温。

IGBT外壳的温度。

十五、短路电流。

10us内瞬时流过IGBT，CE两端的最大电流。

十六、集电极重复峰值电流。

可以重复地让IGBT，CE两端在短时间内导通，所能承受的最大电流。

审核编辑：汤梓红