芯片制造过程图解 CMP是什么意思
本文我们就来简单介绍一下关于芯片制造过程图解。芯片的制造包含数百个步骤，整个过程中，空气质量和温度都受到严格控制，下面我们就来看看芯片制造过程。
芯片制造过程具体步骤为将材料薄膜沉积到晶圆上，进行光刻胶涂覆、 离子注入、曝光、计算光刻、烘烤与显影、等离子冲洗、热处理、化学气相淀积、物理气相淀积、电镀处理、封装芯片等。
CMP为集成电路制造关键制程，CMP具体指化学机械抛光，是集成电路生产制造过程中实现晶圆表面平坦化的核心技术。CMP 成为关键制程，每一片晶圆在生产过程中都会经历几道甚至几十道的CMP 抛光工艺步骤，成为了目前最有效的抛光工艺。
本文综合整理自ASML 芯智讯 程序员大本营
审核编辑：彭菁
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
-
芯片
+关注
关注
447文章
47802浏览量
409170 -
晶圆
+关注
关注
52文章
4527浏览量
126445 -
CMP
+关注
关注
6文章
136浏览量
25667
发布评论请先 登录
相关推荐
半导体制造工艺 - 晶圆制造的过程
芯片制造是当今世界最为复杂的工艺过程。这是一个由众多顶尖企业共同完成的一个复杂过程。本文努力将这一工艺过程做一个汇总，对这个复杂的
发表于 03-29 11:25
•386次阅读
什么是MEMS？4步图解MEMS芯片制造
以最清晰明了的方式，图解直观阐述MEMS传感器芯片的制造过程和原理！ MEMS是Micro Electro Mechanical Systems（微机电系统）的缩写，具有微小的立体结构
AT32F421 CMP使用指南
AT32F421 CMP 使用指南描述了怎么使用AT32F421xx的比较器(CMP)。AT32F421系列内置一个超低功耗比较器CMP，它可用作独立器件（I/O上提供了全部接口），也可以与定时器结合使用。
发表于 10-24 08:07
AT32F415 CMP使用指南
这篇应用笔记描述了怎么使用AT32F415xx的比较器(CMP)。AT32F415系列内置两个超低功耗比较器CMP1和CMP2，可以用于多种功能，包括：外部模拟信号的监测控制及从低功耗模式唤醒，与内置定时器结合使用，进行脉冲宽度
发表于 10-24 07:38
化学机械抛光(CMP) 技术的发展应用及存在问题
器件制造具有以下优点[1]
(1) 片子平面的总体平面度: CMP 工艺可补偿亚微米光刻中步进机大像场的线焦深不足。
(2) 改善金属台阶覆盖及其相关的可靠性: CMP工艺显著地提高了芯片
发表于 09-19 07:23
CMP抛光液市场高速增长，到2023年市场规模将达到25亿美元
得益于半导体业界的繁荣，世界cmp抛光液市场正在经历明显的增长。cmp抛光液是半导体制造中的关键成分，在实现集成电路制造的精度和效率方面发挥了关键作用。随着技术的发展，半导体的格局不断
如何实现CMP步骤的仿真？广立微重磅发布CMPEXP建模工具
近日，为填补国内集成电路市场上产业化CMP建模工具的空白，满足芯片设计公司和晶圆制造厂的需求，广立微正式推出CMP EXPLORER（简称“CMPEXP”）工具，保障
智能汽车芯片设计及制造过程
至现在的2000-3000颗左右，它们应用于汽车上的感知、交互、通信、控制、存储等等不同的场景，可以说，智能汽车的方方面面都离不开车规级芯片的支持，那这块承载着十亿甚至数百亿的晶体管的芯片，是怎么被设计制造出来的呢？本文将为你揭
CMP的概念、重要性及工作原理
化学机械抛光（CMP）是晶圆制造的关键步骤，其作用在于减少晶圆表面的不平整，而抛光液、抛光垫是CMP技术的关键耗材，价值量较高，分别占CMP耗材49%和33%的价值量，其品质直接影响着
cmp是什么意思 cmp工艺原理
CMP 主要负责对晶圆表面实现平坦化。晶圆制造前道加工环节主要包括7个相互独立的工艺流程：光刻、刻蚀、薄膜生长、扩散、离子注入、化学机械抛光、金属化 CMP 则主要用于衔接不同薄膜工艺，其中根据工艺
发表于 07-18 11:48
•4064次阅读
晶亦精微科创板IPO获受理！主打8英寸CMP设备，募资16亿研发及扩产
所CMP事业部早在2017年便研制出国内首台拥有自主知识产权的8英寸CMP设备，在CMP设备领域技术积累深厚，是国内唯一实现8英寸CMP设备境外批量销售的设备供应商。目前，晶亦精微主要
晶亦精微科创板IPO获受理！主打8英寸CMP设备，募资16亿研发及扩产
所CMP事业部早在2017年便研制出国内首台拥有自主知识产权的8英寸CMP设备，在CMP设备领域技术积累深厚，是国内唯一实现8英寸CMP设备境外批量销售的设备供应商。目前，晶亦精微主要
一文详解CMP设备和材料
在前道加工领域：CMP 主要负责对晶圆表面实现平坦化。晶圆制造前道加工环节主要包括7个相互独立的工艺流程：光刻、刻蚀、薄膜生长、扩散、离子注入、化学机械抛光、金属化 CMP 则主要用于衔接不同薄膜工艺，其中根据工艺段来分可以分为
工商网监
评论