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SiT8008:单端低抖动有源晶振,1-110MHz任意频率

晶圆电子硅晶振 2021-11-19 10:45 次阅读
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关于作者--SiTime样品中心

为了加速SiTime MEMS硅晶振产品的应用普及,让中国电子工程师能快速体验MEMS硅晶振的高稳定性、高可靠性、超小封装、超低功耗、超低抖动等更多优势,SiTime公司联合本土半导体分销商北京晶圆电子有限公司共同建立SiTime样品中心,为用户提供免费样品申请,小批量试产、现货应急、特价申请、技术支持等便捷服务,更多信息请访问www.sitimechina.com,客户服务热线400-888-2483。

SiT8008是美国SiTime公司推出的一款1-110MHz任意频率低功耗单端MEMS硅晶振,输出电平兼容LVCMOS/LVTTL,低功耗可达到3.6mA,是SiTime早期推出的SiT8102/SiT8103/SiT8002/SiT8003/SiT8004/SiT8003XT等产品的升级型号。

SiT8008低功耗有源晶振在视频监控、FPGA控制、高端交换机工业控制器、乃至消费电子等领域得到广泛的应用。

SiT8008低功耗有源晶振工作电流低于传统石英产品,其优异的抗震性,抗冲击能力是传统石英无法比拟的,尤其是其全温范围的水平温漂曲线特性,优化了传统石英晶振精度随时间变化剧烈的固有弊端。SiT8008已经成为当下智能硬件设计团队首选的精准、低耗的主流时钟源。

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SiT8008选型参数

频率:1 - 110MHz任意频率,精确到小数点后6位

精度:±20ppm、±25ppm、±50ppm

相位抖动:1.3ps

输出类型:LVCMOS

工作温度:-10℃ ~ +70℃,-40℃ ~ +85℃

工作电压:1.62V-3.63V宽压和固定电压(1.8V,2.5V,2.8V,3.0V,3.3V)可选

封装尺寸:2.0mm x 1.6mm、2.5mm x 2.0mm、3.2mm x 2.5mm、5.0mm x 3.2mm、7.0mm x 5.0mm

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SiT8008特征

适用于所有频率、电压和稳定性的小型 2016 和 2520 封装

在不影响性能和可用性的情况下节省更多电路板空间

低功耗

1.2 µA 典型待机电流 (1.8 V)

3.6 mA 典型有功电流 (1.8 V)

延长便携式应用中的电池寿命

降低绿色系统的功耗

FlexEdge™ 可配置驱动强度

更慢的上升/下降时间,最大限度地减少来自振荡器的 EMI

通过驱动多个负载来节省成本并消除额外的时序组件


SiT8008应用

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关于作者--SiTime样品中心

为了加速SiTime MEMS硅晶振产品的应用普及,让中国电子工程师能快速体验MEMS硅晶振的高稳定性、高可靠性、超小封装、超低功耗、超低抖动等更多优势,SiTime公司联合本土半导体分销商北京晶圆电子有限公司共同建立SiTime样品中心,为用户提供免费样品申请,小批量试产、现货应急、特价申请、技术支持等便捷服务,更多信息请访问www.sitimechina.com,客户服务热线400-888-2483。


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