关于光刻的原理、光刻设备等知识点集合

最近光博会上看到一本关于光刻的小册子，里面有一点内容，分享给大家。

关于光刻的原理、光刻设备、光刻胶的种类和选择等。

开篇 光刻的原理

表面处理：一般的晶圆光刻前都需要清洁干净，特别是有有机物的、颗粒的、会影响光刻胶的厚度。

涂胶：根据工艺要求，目前常用的两种涂胶工艺，一个就是旋转涂覆、一个就是喷涂。根据工艺要求和光刻胶的性能、可以有不同厚度的光刻胶。

前烘：就比较讲究了，因为这东西肉眼看不见变化。只有最后出来光刻了才知道好坏，有时候还不明显。

上图是曝光机的汞灯光源光谱图。

关于曝光剂量的问题：

通常我们监控曝光机的光强，主要针对单一波长测量。比如常用的UV探测器测试的波段一般是365nm和436nm，有的光刻机带有滤波片，可以选择其中一个波段使用。比如有的光刻胶给的曝光量是针对365nm的，也有光刻胶给的是436nm的，因此再没有加滤光片的前提下，计算曝光时间时是不能直接用曝光剂量除以光强的，但是也不是上文中的再除以2.5~3的样子，在2~3的样子，还要看具体的设备和汞灯的寿命使用情况。

其他的曝光机根据曝光波段不同，分了很多种类型的曝光。

常用工艺和光刻胶选择

编辑：jq