0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

荣耀V40值得买吗?拆解评测荣耀V40参数配置

智能移动终端拆解开箱图鉴 来源:eWisetech 作者:eWisetech 2021-04-08 09:55 次阅读
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

荣耀V40作为在独立后荣耀的首部旗舰机,因为各方面的原因最终搭载了联发科天玑1000+处理器,小e也不免好奇,失去了麒麟处理器,那么V40内部还用海思芯片吗?要解决问题,那就必须购入拆解

本次购入的荣耀 V40是8GB RAM+128GB ROM版本,文内对拆解分析内容均以拆解设备为主。(注:所说成本仅为物料成本预估值,影响元器件物料成本的因素有很多,与真实的物料成本会有一定的差异。)

拆解

关机取出带有防水硅胶圈的卡托。V40后盖由胶固定,通过热风枪加热后,利用吸盘和撬片打开后盖。在后盖对应电池位置以及后置镜头盖内侧,都贴有用于保护的泡棉。

2.jpg

顶部主板盖和底部扬声器通过螺丝固定。主板盖和扬声器上贴有大面积石墨片,可以起到散热作用。主板盖上还有通过金属盖板保护的闪光灯软板BTB接口

3.jpg

取下主板盖上的NFC线圈、闪光灯软板和麦克风板。在主板盖上贴有液冷管对应NFC线圈和主板上电源区域。

4.jpg

相继取下主板、副板和前后摄像头模组。在内支撑对应主板处理器&内存芯片位置处涂有导热硅脂起散热作用。副板USB接口处套有硅胶圈用于防水。

5.jpg

电池通过塑料胶纸固定,便于拆卸。

6.jpg

取下用胶固定在内支撑的按键软板、听筒、指纹识别软板、振动器等部件。

7.jpg

V40屏幕与内支撑通过胶固定,最后使用加热台加热后,分离屏幕。在内支撑正面贴有大面积石墨片,石墨片下是液冷管。

8.jpg

回顾整机拆解过程,一共采用20颗螺丝固定,采用比较常见的三段式结构。拆解简单,可还原性强。防水方面USB接口、SIM卡托和扬声器处采用硅胶保护,能起到一定的防尘防水作用。采用液冷管+导热硅脂+石墨片的方式进行散热。不仅除内支撑上大面积的液冷管外,主板盖上还贴有小面积的液冷管。

9.jpg

E分析

拆解后对荣耀 V40的整机组件进行整理,在整机的1472个组件中,国产组件共有190个,占比约为12.9%,在物料的成本上占比约59.5%。那么为什么会占比那么高呢?首先在一些主要组件上例如屏幕,V40选择的是京东方6.72英寸,型号为BF067DYM,成本仅次于处理器芯片。

当然主要的还是IC,联发科的天玑1000+必定占组件成本榜首,那么除了处理器外,我们再来看看荣耀V40还有哪些国产芯片。

主板正面主要IC:

12.jpg

1:VANCHIP-VC****-射频功放芯片

2NXP-PN***-NFC控制芯片

3:SanDisk-SDINEDK4-128G-128GB闪存芯片

4:SK Hynix-H9HKNNNFBMAV-8GB内存芯片

5:Media Tek-MT6885Z69-天玑1000+处理器芯片

6:Media Tek-MT****PP-电源管理芯片

7Lansus Technologies-FX5566-射频功放芯片

8Hisilicon-Hi6526-电源管理芯片

9:Media Tek-MT****-WiFi/BT芯片

主板背面主要IC(下图):

13.jpg

1:Media Tek-MT****V-电源管理芯片

2:Media Tek- MT****QP-电源管理芯片

3:Media Tek-MT****RP-电源管理芯片

4:STMicroelectronics-六轴加速度传感器+陀螺仪芯片

5:Murata-功率放大器

6:Media Tek- MT*W-射频收发芯片

7:Murata-多路调制器芯片

8:Murata-多路调制器芯片

9Hisilicon- Hi6D05-功率放大器芯片

综合整机的IC BOM后,发现V40的国产芯片的占比也有所增加,联发科的配套芯片,以及两款海思芯片。甚至我们还发现了一颗来自深圳飞骧科技的射频功放芯片。当然这只是整机分析的一部分,完整的BOM目前已在eWisetech搜库上线。记得前去查看哦!

往期推荐

vivo X60

荣耀 30

红米 K30

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 智能手机
    +关注

    关注

    66

    文章

    18700

    浏览量

    186286
  • 联发科
    +关注

    关注

    57

    文章

    2750

    浏览量

    259872
  • 荣耀
    +关注

    关注

    6

    文章

    2023

    浏览量

    44287
  • 麒麟处理器
    +关注

    关注

    2

    文章

    83

    浏览量

    9346
  • 天玑1000
    +关注

    关注

    0

    文章

    44

    浏览量

    9755
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

    评论

    相关推荐
    热点推荐

    ON Semiconductor FGAF40N60SMD 600V 40A场截止IGBT深度解析

    ON Semiconductor FGAF40N60SMD 600V 40A场截止IGBT深度解析 在电子工程领域,功率半导体器件的性能对整个系统的效率和稳定性起着关键作用。今天我们要深入探讨
    的头像 发表于 04-23 14:25 118次阅读

    Onsemi FGAF40S65AQ:650V40A场截止沟槽IGBT的深度剖析

    Onsemi FGAF40S65AQ:650V40A场截止沟槽IGBT的深度剖析 作为电子工程师,在设计功率转换电路时,IGBT(绝缘栅双极型晶体管)是关键功率器件之一。今天我们就来深入探讨
    的头像 发表于 04-23 14:20 105次阅读

    安森美1200V40A IGBT:FGH4L40T120LQD的技术剖析

    安森美1200V40A IGBT:FGH4L40T120LQD的技术剖析 在电力电子领域,IGBT(绝缘栅双极晶体管)一直扮演着至关重要的角色。今天我们要深入探讨安森美(onsemi)推出的一款
    的头像 发表于 04-22 17:15 433次阅读

    FGHL40T65MQDT:650V40A场截止沟槽IGBT应用指南

    FGHL40T65MQDT:650V40A场截止沟槽IGBT应用指南 在电子设计的领域中,功率半导体器件的性能直接影响到整个系统的效率和稳定性。今天,我们就来深入探讨一下
    的头像 发表于 04-22 15:50 67次阅读

    FGY40T120SMD:1200 V40 A场截止沟槽IGBT技术解析

    FGY40T120SMD:1200 V40 A场截止沟槽IGBT技术解析 在电子工程领域,IGBT(绝缘栅双极型晶体管)是功率电子设备中的关键组件,广泛应用于太阳能逆变器、UPS、焊机和PFC等硬
    的头像 发表于 04-22 14:50 95次阅读

    FDD8447L 40V N - Channel PowerTrench® MOSFET:特性、参数与应用解析

    FDD8447L 40V N - Channel PowerTrench® MOSFET:特性、参数与应用解析 一、引言 在电子工程领域,MOSFET 作为重要的功率器件,广泛应用于各种电路设计中
    的头像 发表于 04-17 15:20 199次阅读

    TPS929120AQPWPRQ1 12 通道 40V 高侧 LED 驱动器

    TPS929120AQPWPRQ112通道40V高侧LED驱动器产品型号:TPS929120AQPWPRQ1产品品牌:TI/德州仪器产品封装:HTSSOP24产品功能:12通道40V高侧LED驱动器TPS929120AQPWPRQ1特征●高电流精度:5–75mA时
    的头像 发表于 12-30 11:23 519次阅读
    TPS929120AQPWPRQ1   12 通道 <b class='flag-5'>40V</b> 高侧 LED 驱动器

    40V、1.5kW BLDC电机驱动逆变器REF_40VDC_1.5KW_SAW设计解析

    40V、1.5kW BLDC电机驱动逆变器REF_40VDC_1.5KW_SAW设计解析 在电子工程师的日常工作中,电机驱动设计是一个关键且富有挑战性的领域。今天,我们就来深入探讨一下
    的头像 发表于 12-18 14:50 752次阅读

    探索英飞凌OptiMOS™ 7 40V N沟道MOSFET:电机驱动的新突破

    探索英飞凌OptiMOS™ 7 40V N沟道MOSFET:电机驱动的新突破 在电子工程师的日常工作中,为电机驱动系统挑选合适的MOSFET至关重要。英飞凌最新推出的OptiMOS™ 7 40V N
    的头像 发表于 12-18 14:30 934次阅读

    超低成本 | 3A 同步降压单 / 双节锂电池充电管理芯片,40V 热插拔耐压、支持 5V 与 12V 适配器充电

    PST5530是一款3A同步降压单/双节锂电池充电管理芯片,40V热插拔耐压、支持5V与12V适配器充电管理芯片。■支持USB输入和高压适配器输入:4.5V-13V输入电压范围,
    的头像 发表于 11-11 10:36 1134次阅读
    超低成本 | 3A 同步降压单 / 双节锂电池充电管理芯片,<b class='flag-5'>40V</b> 热插拔耐压、支持 5<b class='flag-5'>V</b> 与 12<b class='flag-5'>V</b> 适配器充电

    Nexperia推出40-100V汽车MLPAK MOSFET

    Nexperia(安世半导体)近日推出40-100 V汽车MOSFET产品组合,该系列采用行业标准微引脚封装,专为车身控制、信息娱乐、电池防反保护及LED照明应用设计。
    的头像 发表于 09-12 09:38 990次阅读

    京东方助力荣耀Magic V5发布

    近日,荣耀召开新品发布会,重磅推出全新折叠屏旗舰机型荣耀Magic V5,以8.8mm的极致纤薄机身重塑行业典范。
    的头像 发表于 07-11 14:40 1408次阅读

    8999元起!荣耀Magic V5首发,树立折叠屏手机新标杆

    电子发烧友网报道(文 / 章鹰)7月2日晚间,荣耀Magic V5暨AI终端生态发布会正式开启,荣耀带来正式转型后的首款手机产品Magic V5,这款折叠屏手机达到全球最薄8.8mm,
    的头像 发表于 07-04 09:10 9517次阅读
    8999元起!<b class='flag-5'>荣耀</b>Magic <b class='flag-5'>V</b>5首发,树立折叠屏手机新标杆

    8999元起!荣耀Magic V5发布,树立折叠屏手机新标杆

    7月2日晚间,荣耀Magic V5暨AI终端生态发布会正式开启,荣耀带来正式转型后的首款手机产品Magic V5,这款折叠屏手机达到全球最薄8.8mm,重量仅为217g, 是目前全球最
    的头像 发表于 07-03 14:23 1.3w次阅读
    8999元起!<b class='flag-5'>荣耀</b>Magic <b class='flag-5'>V</b>5发布,树立折叠屏手机新标杆

    LMR14030 具有 40uA IQ 的 SIMPLE SWITCHER® 40V、3.5A、2.2MHz 降压转换器数据手册

    LMR14030 是一款 40V、3.5A 降压型稳压器,集成了高侧 MOSFET。该器件具有 4V40V 的宽输入范围,专为从工业到汽车的各种应用而设计,用于非稳压电源的电源调节。稳压器在
    的头像 发表于 06-23 16:43 1094次阅读
    LMR14030 具有 <b class='flag-5'>40</b>uA IQ 的 SIMPLE SWITCHER® <b class='flag-5'>40V</b>、3.5A、2.2MHz 降压转换器数据手册