台积电3nm工艺技术研发超预期

近日，2021年国际固态电路会议正式召开。在会议上，台积电董事长刘德音向外界公布了公司3nm工艺的研发进度。

据刘德音透露，目前台积电3nm工艺技术的研发超出预期。此前预计的2022年量产节点有望提前。

要知道，在不久前多方媒体报道，台积电和三星的3nm工艺研发陷入瓶颈。对此消息，业内外传出不少认为两巨头3nm量产时间会延后的声音。

就连也有这样的看法，但出人意料的是，台积电却扭转乾坤，非但没有延后量产时间，反而有希望提前进入3nm时代。

台积电的技术实力之强大可见一斑，不愧是中国第一大芯片代工巨头。

世界第一芯片代工巨头

值得注意的是，台积电不仅在中国市场稳居龙头地位，在全球晶圆代工领域同样是难以撼动的霸主。

公开资料显示，台积电还是全球第一家专业晶圆代工厂，堪称晶圆代工领域的鼻祖。毫不客气地说，是台积电一手推动半导体芯片行业走向垂直分工。

自台积电将业务规模扩张开来后，公司便一直占据着全球晶圆代工领域50%以上的市场份额。

而之所以台积电的市场占有率在数十年来都遥遥领先，一方面得益于公司口碑，另一方面就要归功于能够长期引领整个行业的工艺精度。

以7nm时代和现如今正是市场主流的5nm工艺为例，台积电都是全球第一家实现相关工艺芯片量产的晶圆代工厂。

尤其是在5nm时代，台积电不仅领先三星近半年时间，而且制造出来的产品功耗稳定性，远超基于三星5nm工艺的芯片。

诚然，芯片的功耗稳定性也与架构设计有关，但这也的确在一定程度上，受制作工艺的影响。

正因如此，苹果、高通、华为之流的全球各大芯片设计商，才会将台积电视为首选合作伙伴。

3nm节点战况激烈

不过，像三星这样的科技巨头，自然不甘心一直戴着“万年老二”的帽子。

了解到，早在2019年，三星就开始为赶超台积电制定计划；2020年，三星更是迫不及待地启动了“半导体2030计划”。

该计划内容是，三星要在2030年之前投资133万亿韩元，并将全球最大的半导体公司视为现行目标。

同时，三星方面也屡屡透露出，要在3nm工艺节点追上台积电的决心。为此，三星除了加大研发投入之外，还决定在3nm工艺上应用全新的GAA技术。

相比传统的FinFET，GAA技术能够更加精准地控制跨通道的电流，在缩小芯片面积的同时降低芯片功耗。

据悉，台积电在3nm工艺上会保守采用成熟的FinFET技术。如果GAA技术能够成功应用，届时台积电恐怕真的会被三星追平甚至赶超。

三星反超希望渺茫

不过，想要追上稳居世界霸主之位多年的台积电，并没有那么容易。

虽然三星大胆采用新技术，但这项技术毕竟不成熟，量产的风险性相对较大。

对此，英哈大学材料科学与工程学教授崔瑞诺表示：如果三星在初始阶段不能够快速提高高级节点的产量，则可能会亏损。

反观台积电却胜券在握。相比GAA技术，传统FinFET的缺点确实明显，但得益于技术的成熟度高，台积电在3nm上的量产难度并不会太大。

而且，据刘德音透露，该公司在EUV光源上也获得了较大突破，其电源功率被提升到350W。

需要注意的是，台积电不仅在EUV光源技术有进展，EUV光刻机的拥有量也在三星之上。

写在最后

随着芯片制程的微缩，高端EUV光刻机的数量，也成为了高精度芯片能否顺利量产的关键。更何况，如今台积电的3nm研发进度已经超出预期。

综合多方因素来看，认为，此次三星想要追平台积电的希望又要落空。
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