台积电宣布将在2023推3nm Plus工艺

除了台积电与三星以外，英特尔也表现出对3nm的极大期望。

日前，台积电官方正式宣布，将在2023年推出3nm工艺的增强版，该工艺将被命名为“3nm Plus”，首发客户依然是苹果。按苹果一年更新一代芯片的速度，届时使用3nm Plus工艺的将是“A17”芯片。

台积电官方并未透露出3nm Plus工艺的详细信息，从以往的升级可以推测，3nm Plus将比3nm拥有更多的晶体管密度以及更低功耗。

参照台积电此前公布的3nm工艺，晶体管密度提升了70%。相比较5nm工艺，3nm工艺将减少25～30%的功耗，并且带来10～15%的性能提升。

在今年九月，台积电就公布其3nm工艺量产目标，2022年下半年的单月生产能力上升到5．5万张，到2023年的单月上升到10万张。同时，苹果已经包揽下最早一批3nm产能。

而三星一直希望在3nm工艺上实现对台积电的反超。在核心技术方面，三星的3nm将改用Gate-All-Around（GAA，环绕栅极晶体管），台积电则坚持使用FinFET（鳍式场效应晶体管）。三星也希望抢在明年就推出3nm产品，这也给台积电极大的压力。

目前来看，3nm工艺将成为各家晶圆代工厂竞争的关键点，除了台积电与三星以外，英特尔也表现出对3nm抱有极大期望，并且在5nm工艺阶段就放弃FinFET，转向GAA。
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