世界首个嵌入硅基半桥驱动芯片和一对氮化镓晶体管的MasterGaN产品平台

横跨多重电子应用领域的全球领先的半导体供应商意法半导体(STMicroelectronics,简称ST；纽约证券交易所代码:STM) 推出世界首个嵌入硅基半桥驱动芯片和一对氮化镓(GaN)晶体管的MasterGaN产品平台，这个集成化解决方案将有助于加快下一代400W以下轻便节能的用于消费电子和工业充电器和电源适配器的开发速度。

GaN技术使电子设备能够处理更大功率，同时设备本身变得更小、更轻、更节能，这些改进将会改变用于智能手机的超快充电器和无线充电器、用于PC和游戏机的USB-PD紧凑型适配器，以及太阳能储电系统、不间断电源或高端OLED电视机和云服务器等工业应用。

在当今的GaN市场上，通常采用分立功率晶体管和驱动IC的方案，这要求设计人员必须学习如何让它们协同工作，实现最佳性能。意法半导体的MasterGaN方案绕过了这一挑战，缩短了产品上市时间，并能获得预期的性能，同时使封装变得更小、更简单，电路组件更少，系统可靠性更高。凭借GaN技术和意法半导体集成产品的优势，采用新产品的充电器和适配器比普通硅基解决方案缩减尺寸80％，减重70％。 意法半导体执行副总裁、模拟产品分部总经理Matteo Lo Presti表示：

ST独有的MasterGaN产品平台是基于我们的经过市场检验的专业知识和设计能力，整合高压智能功率BCD工艺与GaN技术而成，能够加快节省空间、高能效的环境友好型产品的开发。

MasterGaN1是意法半导体新产品平台的首款产品，集成两个半桥配置的GaN功率晶体管和高低边驱动芯片。

MasterGaN1现已量产，采用9mm x 9mmGQFN封装，厚度只有1mm。

意法半导体还提供一个产品评估板，帮助客户快速启动电源产品项目。

技术细节:

MasterGaN平台借用意法半导体的STDRIVE600V栅极驱动芯片和GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)。9mm x 9mm GQFN薄型封装保证高功率密度，为高压应用设计，高低压焊盘间的爬电距离大于2mm。 该产品系列有多种不同RDS(ON) 的GaN晶体管，并以引脚兼容的半桥产品形式供货，方便工程师成功升级现有系统，并尽可能少地更改硬件。在高端的高能效拓扑结构中，例如，带有源钳位的反激或正激式变换器、谐振变换器，无桥图腾柱PFC（功率因数校正器），以及在AC/DC和DC/DC变换器和DC/AC逆变器中使用的其它软开关和硬开关拓扑，GaN晶体管的低导通损耗和无体二极管恢复两大特性，使产品可以提供卓越的能效和更高的整体性能。 MasterGaN1有两个时序参数精确匹配的常关晶体管，最大额定电流为10A，导通电阻(RDS(ON)) 为150mΩ。逻辑输入引脚兼容3.3V至15V的信号，还配备全面的保护功能，包括高低边UVLO欠压保护、互锁功能、关闭专用引脚和过热保护。

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