电子显微镜下英特尔的14nm+++和台积电的7nm

单纯从名字上看，台积电在工艺制成方面明显领先于英特尔，不过情况似乎并不是这样，此前英特尔也表示，台积电的命名方式有争议，并非按照实际物理数值。台积电也表示，很早就不按照物理数值命名了。那么英特尔和台积电的制程工艺差多少呢？ 一位加拿大博主拿来电子显微镜，专门对比了英特尔的14nm+++和台积电的7nm，对应产品为i9-10900K和锐龙9 3950X。结果比较有意思，虽然两者命名差距很大，但从电子显微镜中看，两者差别很小。

英特尔14nm+++和台积电的7nm

英特尔14nm+++和台积电的7nm 实际上英特尔14nm+++的晶体管栅格宽度为24nm，而台积电7nm的晶体管栅格宽度为22nm，而且栅格高度也很相似。从数据上看台积电7nm确实领先英特尔14nm+++，但领先幅度非常有限。如此看来，英特尔的10nm超越台积电7nm是没有问题的，看来在营销方面，台积电还是有一手啊。

原文标题：电子显微镜下看英特尔14nm+++和台积电7nm

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