SK海力士年底前量产DDR5，支持的平台却要到2021年

近日消息，SK海力士正式宣布，将在年底前量产并提供业界频率达到8400MHz的DDR5存储器，单颗最大密度64Gb，并且会带有ECC错误修正的功能，工作电压仅1.1V。

根据SK海力士公布的资料显示，DDR5存储器的工作频率从3200MHz到8400MHz，这个范围超越现在DDR4存储器主频在1600MHz到3200MHz的范围。

虽然，部分厂商推出的DDR4存储器超频版主频能到5000MHz，不过，频率超过4000MHz的DDR4是相当稀少的。至于容量方面，现在DDR4单颗最大是16Gb，而DDR5则有8Gb、16Gb、24Gb、32Gb、64Gb这5种不同的大小。

现在的DDR4存储器要实达到ECC错误修正的功能，必须增加额外的芯片，但DDR5就不需要，ECC错误修正的功能已经整合到每颗DRAM里面，这是之前每一代DDR存储器都不曾做到的。而这项功能的导入，这有望降低存储器的总体成本。

另外DFE决策反馈等化功能也被整合到DRAM内部，这可以消除高频存储器工作时的杂讯，这将大大提高每个引脚的速度。

另外，DDR5存储器共有32个储存区，划分成8个储存区组，而DDR4存储器则有16个储存区和4个储存区组，这使得DDR5存储器的频宽和访问性能翻了一倍，可提供更多的频宽。至于，DDR5的VDD和VPP电压从DDR4时代的1.2V/2.5V，降低到1.1V/1.8V，使得整体功耗下降了20%，再加上DFE的降噪，可进一步降低高频下的发热量。

SK海力士指出，2020年底前DDR5存储器将会量产，初期以生产10纳米级的16Gb为主，单条存储器容量最大达32GB，而未来还会有更高的容量出现。

美光出样DDR5内存：1Znm工艺、性能提升85%

2020年1月7日，美光宣布开始向客户出样最新的DDR5内存，基于1Znm工艺，性能提升了85%。

与DDR4内存相比，DDR5标准性能更强，功耗更低，起步频率至少4800MHz，最高6400MHz。其它变化还有，电压从1.2V降低到1.1V，同时每通道32/40位（ECC）、总线效率提高、增加预取的BankGroup数量以改善性能等。

美光现在出样的DDR5内存使用了最新的1Znm工艺，大概是12-14nm节点之间，ECCDIMM规格，频率DDR5-4800，比现在的DDR4-3200内存性能提升了87%左右，不过距离DDR5-6400还有点距离，后期还有挖掘的空间。

对DDR5内存来说，平台的支持才是最大的问题，目前还没有正式支持DDR5内存的平台，AMD预计会在2021年的Zen4处理器上更换插槽，支持DDR5内存，而Intel这边14nm及10nm处理器都没有明确过DDR5内存支持，官方路线图显示2021年的7nm工艺SapphireRapids处理器才会上DDR5，而且是首发服务器产品，消费级的估计还要再等等。

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