0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

新型工艺研究,将3D打印结合碳化硅结构应用

牵手一起梦 来源:南极熊3D打印网 作者:佚名 2020-04-01 16:45 次阅读
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

碳化硅(SiC)具有良好的抗热震性和化学稳定性,因此在高温和极端条件下具有良好的应用前景,在工程陶瓷领域具有广泛的应用,如轴承、燃气轮机和以及换热器等。但SiC陶瓷很难加工,尤其是形成复杂形状,而传统工艺如粉末烧结和薄膜沉积固结存在诸多限制,影响其高温性能、环境抗性和高强度等优良性能的发挥。

德国纽伦堡大学开展了一种制备反应结合碳化硅结构的新型工艺研究。研究者把SiC粉以及碳粉分散在粘结剂中作为材料,用安装在六轴机械臂上的喷嘴挤出堆积成形,在700℃高温热解和1850 ℃高温热处理后,采用液态硅渗透技术对样品进行渗透,获得致密的近净形RBSC结构。利用直径为1.5 mm和 0.5 mm的喷嘴打印出如图1所示的网格微观结构,具有不错的精度。

新型工艺研究,将3D打印结合碳化硅结构应用

图1 1.5mm(a)和0.5mm(b)喷嘴打印的网格结构

从CAD模型到打印出一个流线结构,再对其进行热解和反应烧结,该过程证明了该工艺能够成形复杂形状,并具有良好的结构稳定性和近净成形能力,如图2。

新型工艺研究,将3D打印结合碳化硅结构应用

图2 流线结构的CAD模型(d)、成形件(e)及渗硅件(f)

样品的微观图像如图3,经热解除去有机物后, SiC与C颗粒清晰可见,随后经过渗硅处理,Si与C反应生成新的SiC使微观结构变得致密,最后用酸蚀除去残余的Si,整个过程中,微观结构均匀性较好。

新型工艺研究,将3D打印结合碳化硅结构应用

图3 不同状态样品的微观结构:a)烧结,b)渗硅,c) 酸蚀

样品的杨氏模量为356.3±7.9 GPa,与其他文献报道的20vol%残留硅的反应烧结碳化硅相当,还具有19.8 GPa的维氏硬度,能与传统工艺生产的反应结合碳化硅相媲美,但经四点弯曲试验得到的弯曲强度为224.4±86.0 MPa,略低于其他文献报道的190 ~ 350 MPa。

责任编辑:gt

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 碳化硅
    +关注

    关注

    25

    文章

    3331

    浏览量

    51741
  • 3D打印
    +关注

    关注

    27

    文章

    3630

    浏览量

    116611
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

    评论

    相关推荐
    热点推荐

    【新启航】碳化硅外延片 TTV 厚度与生长工艺参数的关联性研究

    作用。深入研究碳化硅外延片 TTV 厚度与生长工艺参数的关联性,有助于优化生长工艺,提升外延片质量,推动碳化硅半导体产业发展。 二、
    的头像 发表于 09-18 14:44 575次阅读
    【新启航】<b class='flag-5'>碳化硅</b>外延片 TTV 厚度与生长<b class='flag-5'>工艺</b>参数的关联性<b class='flag-5'>研究</b>

    碳化硅 TTV 厚度在 CMP 工艺中的反馈控制机制研究

    是 CMP 工艺的重要目标。研究碳化硅 TTV 厚度在 CMP 工艺中的反馈控制机制,有助于优化工艺参数,实现 TTV 厚度的精准调控,推动
    的头像 发表于 09-11 11:56 542次阅读
    <b class='flag-5'>碳化硅</b> TTV 厚度在 CMP <b class='flag-5'>工艺</b>中的反馈控制机制<b class='flag-5'>研究</b>

    碳化硅器件的应用优势

    碳化硅是第三代半导体典型材料,相比之前的硅材料,碳化硅有着高击穿场强和高热导率的优势,在高压、高频、大功率的场景下更适用。碳化硅的晶体结构稳定,哪怕是在超过300℃的高温环境下,打破了
    的头像 发表于 08-27 16:17 1127次阅读
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>器件的应用优势

    EAB450M12XM3碳化硅半桥功率模块CREE

    EAB450M12XM3碳化硅半桥功率模块CREEEAB450M12XM3是Wolfspeed(原CREE科锐)生产的1200V、450A全碳化硅半桥功率模块,致力于高功率、高效化技
    发表于 06-25 09:13

    切割进给量与碳化硅衬底厚度均匀性的量化关系及工艺优化

    引言 在碳化硅衬底加工过程中,切割进给量是影响其厚度均匀性的关键工艺参数。深入探究二者的量化关系,并进行工艺优化,对提升碳化硅衬底质量、满足半导体器件制造需求具有重要意义。 量化关系
    的头像 发表于 06-12 10:03 497次阅读
    切割进给量与<b class='flag-5'>碳化硅</b>衬底厚度均匀性的量化关系及<b class='flag-5'>工艺</b>优化

    SiC碳化硅二极管公司成为国产碳化硅功率器件行业出清的首批对象

    结合国产碳化硅功率半导体市场的竞争格局和技术发展趋势,SiC碳化硅二极管公司已经成为国产碳化硅功率器件行业出清的首批对象,比如2024已经有超过两家SiC
    的头像 发表于 02-28 10:34 690次阅读

    碳化硅MOSFET的优势有哪些

    随着可再生能源的崛起和电动汽车的普及,全球对高效能、低能耗电力电子器件的需求日益增加。在这一背景下,碳化硅(SiC)MOSFET作为一种新型宽禁带半导体器件,以其优越的性能在功率电子领域中崭露头角
    的头像 发表于 02-26 11:03 1292次阅读

    碳化硅薄膜沉积技术介绍

    多晶碳化硅和非晶碳化硅在薄膜沉积方面各具特色。多晶碳化硅以其广泛的衬底适应性、制造优势和多样的沉积技术而著称;而非晶碳化硅则以其极低的沉积温度、良好的化学与机械性能以及广泛的应用前景而
    的头像 发表于 02-05 13:49 1811次阅读
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>薄膜沉积技术介绍

    碳化硅的缺陷分析与解决方案

    碳化硅作为一种新型半导体材料,因其高热导率、高电子饱和速度和高击穿电场等特性,被广泛应用于高温、高压和高频电子器件中。然而,碳化硅材料中的缺陷,如微管、位错、堆垛层错等,会严重影响器件的性能和可靠性
    的头像 发表于 01-24 09:17 2367次阅读

    碳化硅的耐高温性能

    、高强度和高耐磨性。它由硅和碳原子以1:1的比例组成,形成一种稳定的晶体结构碳化硅的晶体结构赋予了它许多独特的性质,其中最引人注目的是其耐高温能力。 2. 耐高温性能 碳化硅的耐高温
    的头像 发表于 01-24 09:15 2844次阅读

    产SiC碳化硅MOSFET功率模块在工商业储能变流器PCS中的应用

    *附件:国产SiC碳化硅MOSFET功率模块在工商业储能变流器PCS中的应用.pdf
    发表于 01-20 14:19

    什么是MOSFET栅极氧化层?如何测试SiC碳化硅MOSFET的栅氧可靠性?

    具有决定性的影响。因此,深入理解栅极氧化层的特性,并掌握其可靠性测试方法,对于推动碳化硅 MOSFET的应用和发展具有重要意义。今天的“SiC科普小课堂”聚焦于“栅极氧化层”这一新话题:“什么是栅极
    发表于 01-04 12:37

    8英寸单片高温碳化硅外延生长室结构

    设计直接关系到外延层的质量和生产效率。本文详细介绍一种8英寸单片高温碳化硅外延生长室的结构及其特点。 结构概述 8英寸单片高温碳化硅外延生
    的头像 发表于 12-31 15:04 398次阅读
    8英寸单片高温<b class='flag-5'>碳化硅</b>外延生长室<b class='flag-5'>结构</b>

    沟槽结构碳化硅的外延填充方法

    一、引言 沟槽结构碳化硅的外延填充方法是指通过在碳化硅衬底上形成的沟槽内填充高质量的外延层,以实现器件的电学和热学性能要求。这一过程中,不仅要保证外延层的填充率,还要避免空洞和缺陷的产生,从而确保
    的头像 发表于 12-30 15:11 504次阅读
    沟槽<b class='flag-5'>结构</b><b class='flag-5'>碳化硅</b>的外延填充方法

    全方位解析碳化硅:应用广泛的高性能材料!

    碳化硅(SiC),又称碳硅石,是当代C、N、B等非氧化物高技术耐火原料中应用最广泛、最经济的一种。它以其优异的物理和化学性质,在多个领域展现了不可替代的优势。本文深入探讨碳化硅的性质、制备
    的头像 发表于 12-30 11:22 4160次阅读
    全方位解析<b class='flag-5'>碳化硅</b>:应用广泛的高性能材料!