GaN Systems和安森美半导体的半桥评估板展示氮化镓的下一个性能飞跃

GaN功率半导体的全球领袖GaN Systems和全球领先的电源半导体IC供应商安森美半导体今天宣布，采用GaN Systems的650 V、30 A GaN增强型高电子迁移率晶体管(E-HEMT) 和安森美半导体屡获殊荣的NCP51820高速门极驱动器评估板的高速半桥GaN子板已面市。

该评估板针对现有和新的PCB设计而开发，设计人员可轻易评估用于现有半桥或全桥电源中的GaN。该评估套件采用25 mm x 25 mm超小布板，减少了器件数量，从而最小化PCB占板空间。快速开关GaN功率晶体管的特性，包括1+ MHz工作频率和200 V/ns 共模瞬态抗扰度(CMTI)额定值，提供更高的功率密度和更高的性能。

【GaN Systems和安森美半导体的半桥评估套件使设计人员可轻易地在超小布板评估GaN，从而获得极具性价比的方案。】

这评估板的优势包括显著减小损耗、重量、尺寸（布板尺寸可减小达80％）和系统成本（可节省达60％的BOM成本），非常适用于如AC-DC适配器、数据中心电源、光伏逆变器、储能系统和无桥图腾柱拓扑等应用。该方案是两家公司正在开发的众多即将推出的基于GaN的电源系统方案之一。 安森美半导体营销总监Ryan Zahn说：

GaN器件生态系统的扩展，包括我们的NCP51820等驱动器IC，消除了设计障碍，并充分利用GaN E-HEMT的众多优势。随着人们对GaN的兴趣不断提高和采用，我们期待与GaN Systems保持合作，以支援和满足许多行业中出现的新的功率要求。

GaN Systems全球业务拓展高级总监Charles Bailley说：

与安森美半导体合作开发的新评估板使得用GaN进行设计更容易，性价比更高，为实现更小、更轻、更高能效的电源转换器开启了大门。这合作不仅标志着创新不仅发生在采用GaN设计的最终产品上，还在优化GaN使用的器件、设计工具和参考设计中。