0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

谷歌宣布升级了新版TF-GAN,这是TensorFlow 2.0的轻量级GAN库

DPVg_AI_era 来源:lq 2019-09-13 16:13 次阅读
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

谷歌刚刚宣布升级了新版TF-GAN,这是TensorFlow 2.0的轻量级GAN库。此次升级和新功能包括:云TPU支持、用于自学GAN的课程、GAN的衡量指标、无痛pip安装TF-GAN等。

2017年谷歌推出了TF-GAN。这是一个用于训练和评估生成对抗网络(GAN)的轻量级工具库,已在GitHub开源。

TF-GAN为开发者提供了轻松训练 GAN 的基础条件、经过完整测试的损失函数和评估指标,以及易于使用的范例,受到广泛的好评。

TF-GAN中的训练通常包括以下步骤:

指定网络的输入

使用GANModel设置生成器和鉴别器

使用GANLoss指定损失

使用GANTrainOps创建训练操作

开始训练模型

而就在今天,谷歌宣布了TF-GAN的升级版。下面我们就来看看都有哪些升级和新功能。

新版更新及新增功能介绍

云TPU支持

开发者现在可以使用TF-GAN在谷歌的云TPU上训练GAN。TPU是谷歌定制开发的专用集成电路ASIC),用于加速机器学习工作负载。在其他硬件平台上需要花费数周时间进行训练的模型,在TPU上可能只需要数小时即可完成。

下面这个开源示例演示了如何利用TPU,通过ImageNet训练图像生成GAN:

https://github.com/tensorflow/gan/tree/master/tensorflow_gan/examples/self_attention_estimator

开发者还可以免费使用colaboratory,在TPU教程中运行TF-GAN:

https://colab.research.google.com/github/tensorflow/gan/blob/master/tensorflow_gan/examples/colab_notebooks/tfgan_on_tpus.ipynb

用于自学GAN的课程

当知识能够免费提供时,机器学习效果最佳。为此,谷歌发布了一个自学GAN的课程,该课程基于谷歌内部已经教授多年的GAN课程。

开发者只需要观看视频,阅读说明,进行练习;执行代码示例是精通机器学习的好方法。

GAN指标

学术论文有时会“发明一个标杆”,然后用它来衡量其他的结果。

为了便于比较论文的结果,TF-GAN使得使用标准指标变得更加容易。除了能够纠正某些困扰标准开源实现的数值精度和统计偏差之外,TF-GAN指标在计算上是高效的,并且在语法上易于使用。

添加更多范例供开发者学习

GAN研究节奏更新换代特别快。TF-GAN并不打算持续保留所有GAN模型的实例,不过谷歌还是添加了一些他们觉得比较相关的内容,包括在TPU上训练的Self-Attention GAN。

PyPi包:无痛安装TF-GAN

TF-GAN现在可以用'pip install tensorflow-gan'安装,配合'import tensorflow_gan as tfgan'一起服用,效果颇佳。

Colaboratory教程

谷歌改进了之前的教程,现在可以与谷歌的免费GPU和TPU一起使用。

独立的GitHub仓库

TF-GAN现在有了自己独立的GitHub仓库,便于更轻松地追踪更改,并正确地为开源贡献者提供回报。

Github:

https://github.com/tensorflow/gan

兼容TensorFlow 2.0

TF-GAN目前与TF 2.0兼容,但谷歌仍在继续使其与Keras兼容。开发者可以在tensorflow.org/beta找到一些不使用TF-GAN的GAN Keras示例,包括DCGAN,Pix2Pix和CycleGAN。

使用TF-GAN的范例项目

云TPU上的Self-Attention GAN

Self-Attention GAN使用两个指标,即初始分数和Frechet初始距离,在图像生成方面取得了最先进的结果。谷歌开源了这个模型的两个版本,其中一个在Cloud TPU上以开源方式运行。TPU版本与GPU版本相同,但训练速度提高了12倍。

下面3张图片依次为:TPU生成的fake图片、GPU生成的fake图片以及真实照片:

图像扩展

基于周围环境填充图像的缺失部分进行图像修复,已经是一个研究的很成熟的问题,但相关的图像扩展问题的研究较少。

图像扩展要求算法以“合理且一致”的方式将图像扩展到其边界之外。这在虚拟现实环境中是有用的,其中通常需要模拟不同的相机特性,以及诸如全景拼接之类的计算摄影应用,其中不同的图像需要被平滑地缝合在一起。

谷歌研究工程师最近开发了一种新算法,该算法使用比以前的方法更少的工件扩展图像,并使用TPU对其进行训练。

BigGAN

DeepMind研究团队使用新更改的体系结构、更大的网络、更大的batch大小和Google TPU相结合,改进了本文中最先进的图像生成。

他们使用TF-GAN的评估模块来标准化指标,并且能够展示各种图像尺寸的质量改进。

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 谷歌
    +关注

    关注

    27

    文章

    6259

    浏览量

    111969
  • 机器学习
    +关注

    关注

    67

    文章

    8564

    浏览量

    137221
  • tensorflow
    +关注

    关注

    13

    文章

    336

    浏览量

    62370

原文标题:谷歌TF-GAN大升级!云TPU支持,兼容TF 2.0,全新免费教程!

文章出处:【微信号:AI_era,微信公众号:新智元】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

    评论

    相关推荐
    热点推荐

    NXP 产品包装革新:轻量级卷轴的引入

    NXP 产品包装革新:轻量级卷轴的引入 一、通知概述 NXP 在 2014 年 3 月 30 日发布编号为 201403006I 的客户信息通知,该通知于 2014 年 4 月 30 日生效
    的头像 发表于 03-25 14:10 224次阅读

    Neway第三代GaN系列模块的生产成本

    采购与维护成本。例如,中微公司已实现5nm刻蚀机量产,GaN设备国产化可期。智能制造升级:引入AI算法优化生产流程(如缺陷检测、工艺参数调整),提升良率至90%以上,进一步摊薄成本。生态合作供应链垂直
    发表于 12-25 09:12

    Leadway GaN系列模块的工作温度范围

    Leadway GaN系列模块通过材料创新、工艺优化和严格测试,实现-40℃至+85℃(部分+93℃)的宽温工作范围,同时兼顾高功率密度(120W/in³)和高效率(≥92%),为工业自动化
    发表于 11-12 09:19

    应用指导 | CGAN003: GaN switching behavior analysis

    云镓半导体应用指导CGAN003:GaNswitchingbehavioranalysis众所周知,GaN功率器件具有传统功率器件无可比拟的性能优势,如大幅提升的开关速度和显著降低的开关损耗,从而
    的头像 发表于 11-11 13:45 420次阅读
    应用指导 | CGAN003: <b class='flag-5'>GaN</b> switching behavior analysis

    应用指导 | CGAN005: GaN FET SPICE model simulation

    云镓半导体应用指导CGAN005:GaNFETSPICEmodel&simulation1.前言众所周知,GaN功率器件具有传统功率器件无可比拟的性能优势,如大幅提升的开关速度和显著降低
    的头像 发表于 11-11 13:44 582次阅读
    应用指导 | CGAN005: <b class='flag-5'>GaN</b> FET SPICE model  simulation

    “芯”品发布 | 高可靠GaN专用驱动器,便捷GaN电源设计

    芯品发布高可靠GaN专用驱动器,便捷GaN电源设计GaN功率器件因为其高工作频率和高转化效率的优势,逐渐得到电源工程师的青睐。然而增强型GaN功率器件的驱动电压一般在5~7V,驱动窗口
    的头像 发表于 11-11 11:46 1131次阅读
    “芯”品发布 | 高可靠<b class='flag-5'>GaN</b>专用驱动器,便捷<b class='flag-5'>GaN</b>电源设计

    安森美入局垂直GaNGaN进入高压时代

    电子发烧友网综合报道 近日,安森美发布器垂直GaN功率半导体技术,凭借 GaN-on-GaN 专属架构与多项性能突破,为全球高功率应用领域带来革命性解决方案,重新定义行业在能效、紧凑性与耐用性上
    的头像 发表于 11-10 03:12 7811次阅读

    Leadway GaN系列模块的功率密度

    Leadway GaN系列模块以120W/in³的功率密度为核心,通过材料创新、电路优化与封装设计,实现体积缩减40%、效率提升92%+的突破。其价值在于为工业自动化、机器人、电动汽车等空间受限
    发表于 10-22 09:09

    GaN HEMT器件的结构和工作模式

    继上一篇屏蔽栅MOSFET技术简介后,我们这次介绍下GaN HEMT器件。GaN 半导体材料是一种由镓元素与氮元素组成的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体,在消费电子领域,特别是快速充电器产品的成功商用,昭示其成熟的市场地位与广阔应用前景。
    的头像 发表于 09-02 17:18 4974次阅读
    <b class='flag-5'>GaN</b> HEMT器件的结构和工作模式

    基于米尔瑞芯微RK3576开发板部署运行TinyMaix:超轻量级推理框架

    本文将介绍基于米尔电子MYD-LR3576开发平台部署超轻量级推理框架方案:TinyMaix 摘自优秀创作者-短笛君 TinyMaix 是面向单片机的超轻量级的神经网络推理,即 TinyML
    发表于 07-25 16:35

    如何在RK3576开发板上运行TinyMaix :超轻量级推理框架--基于米尔MYD-LR3576开发板

    本文将介绍基于米尔电子MYD-LR3576开发平台部署超轻量级推理框架方案:TinyMaix摘自优秀创作者-短笛君TinyMaix是面向单片机的超轻量级的神经网络推理,即TinyML推理
    的头像 发表于 07-25 08:03 4415次阅读
    如何在RK3576开发板上运行TinyMaix :超<b class='flag-5'>轻量级</b>推理框架--基于米尔MYD-LR3576开发板

    垂直GaN迎来新突破!

    电子发烧友网综合报道 最近垂直GaN功率器件又迎来新进展。7月10日,广东致能CEO黎子兰博士,在瑞典举办的全球氮化物半导体顶尖会议ICNS(国际氮化物半导体会议)上发表邀请报告,首次报道广东致能
    发表于 07-22 07:46 5128次阅读
    垂直<b class='flag-5'>GaN</b>迎来新突破!

    增强AlN/GaN HEMT

    一种用于重掺杂n型接触的选择性刻蚀工艺实现AlN/GaN HEMT的缩小 上图:原位SiN/AlN/GaN HEMT外延堆叠示意图 俄亥俄州立大学的工程师们宣称,他们已经打开了一扇大门,有望制备出
    的头像 发表于 06-12 15:44 1143次阅读
    增强AlN/<b class='flag-5'>GaN</b> HEMT

    GaN LLC电源EMC优化技巧

    目录 1,整机线路架构 2,初次极安规Y电容接法 3,PFC校正电路参数选取及PCB布具注意事项 4,LLC环路设计注意事项 5,GaN驱动电路设计走线参考 6,变压器输出整流注意事项 一,整体线路图 获取完整文档资料可下载附件哦!!!!如果内容有帮助可以关注、点赞、评论支持一下哦~
    发表于 05-28 16:15

    GaN与SiC功率器件深度解析

    本文针对当前及下一代电力电子领域中市售的碳化硅(SiC)与氮化镓(GaN)晶体管进行了全面综述与展望。首先讨论GaN与SiC器件的材料特性及结构差异。基于对市售GaN与SiC功率晶体
    的头像 发表于 05-15 15:28 2475次阅读
    <b class='flag-5'>GaN</b>与SiC功率器件深度解析