UMC采用0.13微米工艺生产的铜SRAM代工铸造技术

加利福尼亚州圣塔克拉拉 - ***联合微电子公司今天宣布已经生产出功能齐全的产品2兆位SRAM器件采用0.13微米逻辑工艺技术，具有铜互连功能。

在联华电子硅谷年度技术论坛期间，芯片代工厂称其在贴出后于5月2日验证了SRAM芯片的产量。今年第一季度的设计。该公司还表示0.13微米工艺实际上在晶体管和所有布线层上的铜互连上都有0.10微米的栅极长度。

“这个里程碑将UMC放在地图上作为引入先进技术的领跑者逻辑生产技术，“***新竹纯粹铸造公司的首席技术官Fu Tai Liou宣称。 “在大多数其他半导体行业领导者的路线图之前，我们生产的功能齐全的SRAM芯片具有天然良好的裸片产量，差不多整整一年。”

因此，联华电子声称它在比赛中处于领先地位在铸造公司中提供所有铜互连技术和0.10微米栅极长度的技术。然而，联华电子表示尚未将0.13微米工艺技术用于试生产。该公司表示，这将在今年年底之前发生。

但根据联华电子的说法，新的逻辑工艺已经生产出世界上最小的由六个晶体管制成的SRAM存储单元。该公司表示，存储器单元为2.28微米 2 。