华强pcb线路板打样TI将推出基于新BiCom II工艺的器件

德州仪器公司正在准备基于新工艺技术的第一批元件，该公司认为这将使数字逻辑与模拟功能的集成度提高20倍。

第二季度推出，BiCom-II工艺将进行TI先进模拟产品技术人员的高级成员Jim Quarfoot表示，能够将高性能双极性模拟与CMOS逻辑集成，从而以更低的功耗提高混合信号器件的性能。

是我们模拟和混合信号处理发展的下一步，“Quarfoot说。 “过去，模拟和数字技术仍然是世界分开的.TI的BiCom-II工艺将这些世界结合在一起，未来的工艺开发将使它们更加接近。”

新工艺有望受益诸如有线和数字用户线驱动器和接收器，运算放大器和可编程增益放大器等产品。

BiCom-II工艺是TI三年前推出的BiCom-I工艺的扩展。虽然BiCom-I基于30V工艺，并且生产的器件主要工作在15V，但BiCom-II的模拟部分是15V工艺，工作电压为5V。还增加了一个5 V CMOS功能的掩模。

“我们现在可以在任何设备上放置非常紧凑的高密度逻辑，以及高速模拟，”Quarfoot说。

片上CMOS逻辑功能比传统双极逻辑需要更少的硅面积，成本更低，功耗更低，他说。这将使BiCom-II制造的器件能够支持CMOS逻辑功能，其栅极密度是之前工艺的20倍。他说，它将使标准数字功能库与模拟模块集成，以及使用标准数字设计工具。

该过程还使用薄膜电阻，晶体管的介质隔离用于提高模拟和数字电路与激光可调金属链路之间的抗噪性。