关于硅光电应用下的on-chip ESD的性能分析和介绍

2006年前英特尔高级副总裁帕特·基尔辛格说：“今天，光学是一个非常小的细分技术，明天，它将成为我们制造每一个芯片的主流。” 事实上，光互连对于内部和数据中心之间的高速通信是非常重要的。

最近公司接触的项目中，因为所有其他功都能高度集成在一个CMOS芯片上，外部只需要激光二极管。为了让CMOS高速通信芯片和激光二极管之间实现高速通信，片上ESD（静电保护）保护的寄生电容必须尽可能的小。在过去5年当中，公司在不同的光互联项目中，一直使用公司自创的TAKE CHARGE 工具，得到了很好的结果。当通用的或者半导体厂的在片ESD不符合您的需求时，采用公司的TAKE CHARGE是非常理智的选择。因为，TAKE CHARGE在数千个IC商业应用芯片上已经证明，它能提供一个快速，可靠的方式来平衡ESD保护与成本之间的关系，同时发挥最大的IC性能。

设计无约束

保护接口与最敏感的节点，如GATE，核心器件等

高速电路的低寄生电容

200fF，100fF甚至低于15fF

缩短几个月量产和上市的时间

现有低寄生电容可用的on-chip ESD 解决方案ESD

TSMC: 180nm down to 28nm

UMC: 130nm, 65nm, 28nm

GF: 65nm

SMIC: 40nm

Several other foundries, …

针对其他技术节点或者半导体厂的私人定制EOS / ESD解决方案，可在几天内交货

大幅降低IC成本

已经在硅产品上被证明的ESD解决方案有助于降低IC开发成本和时

兼容所有的标准工艺流程

已经和欧洲，美国的大客户在光互连项目方面取得很多合作和经验

公司所有合作的客户：

如果你在硅光电这块或者高速电路这块有涉足，那么公司的on-chip ESD 解决方案，会给贵公司产品带来更多的附加价值。