台积电宣布7nm及5nm增强版新工艺

在日本的2019 VLSI Symposium超大规模集成电路研讨会上，台积电宣布了两种新工艺，分别是7nm、5nm的增强版，但都比较低调，没有过多宣传。

7nm工艺的增强版代号为“N7P”（P即代表性能Performance），在原有第一代N7 7nm工艺的基础上，继续使用DUV深紫外光刻技术而没有7nm+上的EUV极紫外光刻，设计规则不变，晶体管密度也不变，只是优化了前线（FEOL）、后线（BEOL），能在同等功耗下带来7％的性能提升，或者在同等性能下降功耗降低10％。

5nm工艺的增强版代号为“N5P”，也是优化前线和后线，可在同等功耗下带来7％的性能提升，或者在同等性能下降功耗降低15％。

台积电N7P工艺已经可用，但尚未宣布任何具体客户。

台积电此前曾表示，7nm、6nm都是长期工艺节点，会使用多年，5nm则相当于一个升级过渡版本。

再往后，台积电的下一个重大工艺节点3nm也已经取得重大进展，技术研发非常顺利，已经有早期客户参与进来，与台积电一起进行技术定义，预计2022年初步量产。