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台积电宣布7nm及5nm增强版新工艺

半导体动态 来源:工程师吴畏 2019-07-31 15:28 次阅读

在日本的2019 VLSI Symposium超大规模集成电路研讨会上,台积电宣布了两种新工艺,分别是7nm、5nm的增强版,但都比较低调,没有过多宣传。

7nm工艺的增强版代号为“N7P”(P即代表性能Performance),在原有第一代N7 7nm工艺的基础上,继续使用DUV深紫外光刻技术而没有7nm+上的EUV极紫外光刻,设计规则不变,晶体管密度也不变,只是优化了前线(FEOL)、后线(BEOL),能在同等功耗下带来7%的性能提升,或者在同等性能下降功耗降低10%。

5nm工艺的增强版代号为“N5P”,也是优化前线和后线,可在同等功耗下带来7%的性能提升,或者在同等性能下降功耗降低15%。

台积电N7P工艺已经可用,但尚未宣布任何具体客户。

台积电此前曾表示,7nm、6nm都是长期工艺节点,会使用多年,5nm则相当于一个升级过渡版本。

再往后,台积电的下一个重大工艺节点3nm也已经取得重大进展,技术研发非常顺利,已经有早期客户参与进来,与台积电一起进行技术定义,预计2022年初步量产。

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