内存涨价,影响了国产存储器产业的发展

从2016年开始，一路飙升的存储价格正在侵蚀整机厂商的销售利润。不管是DRAM还是NAND FLASH，一年多的是时间里，几乎每个季度价格都在创新高。以金士顿骇客神条8GB DDR4 2400内存为例，在2016年11月时价格仅为339元，仅时隔一年，价格竟涨到了969元。据估计，此种价格涨势将持续至2018年第一季度。

凭借此次内存涨价潮，三星电子一跃成为2017年全球经营利润最高的公司，第四季度的营业利润预计将首次突破约合人民币600亿元，同比增加179%；韩国海力士第三季度的基本盈利达到约合人民币218.1亿元，同比大增415%；美国美光科技第四季度营收为61.4亿美元，比去年同期高91%，并且超出华尔街59.6亿美元的预期。在广大整机厂商为涨价而痛苦不堪时，存储器厂商却迎来了难得的春天。

市场：供不应求是推动内存涨价的根本原因

谈到内存涨价，有人认为是巨头垄断所致，也有人认为是经销商在恶意囤货。但笔者则认为，存储器生产速度满足不了新的市场需求才是推动内存价格持续上涨的真正原因。回顾存储产业发展，十年前，内存主要应用在PC和服务器上，但由于这两大市场的销售量增长平稳，厂商能通过对市场的预测保持供需之间的平衡，使得内存价格保持稳定，甚至随着技术的进步会有下降。因此长期以来，内存在PC和服务器设备购置清单上一直扮演着“白菜党”的角色。

但近年来，随着移动终端、云计算、人工智能、物联网、大数据等新技术逐渐发展成熟，大量的应用开始落地，使得市场出现很多新的产品购买需求。用户需求速度更快、性能更高的存储器产品，如固态硬盘、闪存等。统计显示，仅2016年中国智能手机生产量就达到15亿部，而64G和128G内存已成标配。与此同时，大规模云平台和新一代数据中心的部署也进一步推动了对高性能存储器产品的需求。在PC市场，越来越多的人期望用SSD替代HDD以提高整机性能。

据IC Insights预测，2017年全球DRAM市场规模将增长75%达到 720 亿美元；NAND Flash全球市场将增长了44%达到 498 亿美元。存储器在2020年全球市场规模将达1000亿美元。

一般而言，存储工厂从建厂到投产一般都需要1到2年时间。如果短期内市场出现变化，对高性能存储器产品需求量太大，就会出现供不应求的现象，从而推动存储器价格的快速增长。从2016年开始，存储器厂商开始将产能转向3D NAND这种新型的闪存上，降低了对DRAM和2D NAND 生产计划，而3D NAND产品的良率又非常低，结果导致几乎全系列存储产品的缺货。

挑战：上涨的存储成本蚕食国内电子产业利润

目前，中国是全球最大的集成电路需求市场。数据显示，2016中国集成电路市场规模达到11985.9亿元，其中存储器市场规模为2843亿元，占据全球54.1%的份额。存储器作为应用最广泛的半导体核心器件，是集成电路的支柱产品之一。然而不得不接受的现状是，时至今日中国的存储器产品仍然严重依赖进口。

目前，在全球半导体存储器产业中，韩国三星、海力士和美国镁光科技三家占据DRAM市场93%的份额，中国份额为零；闪存市场被三星、海力士、东芝、闪迪、美光和英特尔六家瓜分，中国份额仍然为零；只有中国兆易创新2016年在Nor Flash芯片占到7%市场份额。据统计，2013到2016年，中国半导体存储器进口量在四年间增长了47.5%，进口金额从461.7亿美元增长到681.3亿美元，预计2017 年将突破 700 亿美元。半导体存储器产业的控权权仍然掌握在国外少数企业手中。

此次内存涨价，不断极大的蚕食了电子整机企业的利润，而且对产业的发展也带来影响。以手机行业为例，小米、华为作为国内最大的手机生产商之一，从2016年开始，存储器采购成本大幅增加，利润被严重压缩。面对内存涨价的不利局面，既要能够拿到货，又要维持基本利润，不得不调高手机价格，结果涨价的成本又转移到了消费者身上。内存涨价对本来就萎靡不振的PC市场来说更是雪上加霜。许多消费者表示由于内存涨价太厉害，不得不暂时放弃大内存配备；部分装机店主表示，受到内存涨价影响，电脑装机量下降20%，其中来自网吧的订单至少下降50%。内存涨价的结果最后还是由中国电子产业链上的企业、经销商和消费共同买了单。

中国科学院微电子研究所所长叶甜春在国际集成电路产业发展高峰论坛上呼吁：“未来3０年，如果中们不解决存储芯片自己制造的问题，所谓的信息化时代会失去一个非常重要的依托和基础。”

政府：积极引导国产存储器产业发展

存储器对中国信息产业发展至关重要。发展国产存储器不仅可以满足国内巨大需求市场，带动整个集成电路产业链的良性发展，还可以彻底改变存储器受制于人的不利局面，也是在半导体产业发展方面赶超发达国家的有效途径。

党和国家领导人对集成电路产业的发展高度重视，将其提升至国家战略高度。******指示，集中国家优势力量和资源，尽快在集成电路、核心电子元器件、基础软件等核心关键技术领域实现突破。

各地方政府通过设立大规模的投资基金，支持存储产业。截至2017年上半年，地方政府设立的集成电路投资基金规模已超过3000亿元。2016-2017年之间，全球确定新建的19座晶圆厂有10家位于中国大陆。今年10月，国家发展改革委、工信部联合下达2017年集成电路重大专项投资计划，福建晋华DRAM存储器项目获批2亿元，厦门三安通讯微电子器件项目获批0.5亿元。总规模300亿元的安徽省集成电路产业投资基金于18日正式设立。安徽省计划到2020年，建设3条12英寸晶圆生产线和3条以上8英寸特色晶圆生产线，综合产能超20万片／月，产值达到500亿元。

存储企业积极产业布局，重点技术创新与突破。紫光国芯600亿元人民币定增资金用于Flash Memory的投资建设，武汉新芯拟投资240亿美元打造国内集成电路存储器产业基地，以及一期投资额370亿人民币的福建省晋华存储器集成电路生产线项目。另外在武汉，今年３月下旬，总投资约１６００亿元人民币的存储器基地项目在东湖高新区正式启动，计划到２０２０年实现月产能３０万片晶圆的生产规模。以此测算，这三家企业在存储器芯片方面的投资总额将超过２55０亿人民币。

同时，各个存储厂商对未来产能进行预测，在未来三年内用上国产存储芯片将指日可待。

长江存储在今年12月研发出了32层64G的完全自主知识产权的3D NAND芯片，2018将实现量产，预计到 2020 年达到月产30万片的规模。

合肥长鑫投资72亿美元兴建12寸晶圆厂以发展DRAM产品，预计在2018年实现量产，最大月产将高达12.5万片规模。

福建晋华的 12 寸DRAM生产线已 于 今年11 月封顶，1 期总计将投入 53 亿美元，预计 2018 年第 3 季正式导入32纳米制程的12寸晶圆月产能，预计达到 6 万片的规模。

企业：存储器国产化将是旷日持久战

国外存储巨头不论是在性能还产性能上都远远超过中国企业。据韩国专家估计，中国存储器芯片的技术力与韩国仍有10~15年的差距。今年，三星、海力士仍然在不断扩产，5月，三星在韩国华城工厂投资27亿美元增设DRAM产线；8月，三星宣布未来三年投资70亿美元，在中国最大的西安工厂扩充NAND Flash产能；11月，SK海力士与无锡市政府签约，计划投资86亿美元扩充DRAM产能，估计新厂房每月产能为20万片，制程技术锁定以10纳米。存储器芯片面临高技术壁垒和激烈的全球化竞争，之前就有许多涉足存储器芯片领域的厂商最后被“自杀式反周期法则”逼迫退出市场的先例。

尽管拥有巨大内需市场支撑，但中国存储行业起步较晚，技术薄弱，想从牢牢占据90%以上份额的三巨头手中争夺市场，这是注定是一场没有硝烟的“战争”，难度之大可想而知。中国存储企业在规模上不能盲目跟风扩产，应结合自身市场特点，布局整体产业发展，避免与国外强手正面竞争和冲突；重视新产品研发创新，重点突破关键核心技术领域；同时做好心理和资金的准备，打一场从无到有、从弱到强的旷日持久战。相信在未来5到10年内，在中国的存储企业中，一定会出现像第二个“京东方”，再创行业辉煌。