深度好文：不对称竞争格局下，国产存储器产业如何突围

下一代半导体存储器专利分析评议

一、中国存储器产业发展需要跨过“融入市场”与 “自主可控”两道门槛

(一） 发展传统存储器是要快速融入市场，是中国产业积累经验的探索之路

在目前的存储体系中，WUM内存和1UND闪存占主导地 位，产业规模超过整体存储产业的90%。然而全球市场规模超7⑽亿美元的DRAM市场被韩、美企业所瓜分，NAND市场也被韩、美、日企业所瓜分，我国存储产业严重受制于人。虽然随着实现摩尔定律的脚步放缓，DRAM和NAND技术发展都面临严重瓶颈，但未来一定时期内仍将占据市场主导地位。因此，我国此时发展传统存储器DRAM和NAND可以快速融入市场，积累技术和人才的同时，实现国内存储产业全面国产化，缩小和国外龙头企业之间的差距，逐步实现存储产业弯道超车。

 

(二） 发展新型存储器是中国未来具备技术独立和产业 独立的必经之路

大数据、云计算和人工智能的出现要求容量大、速度快的非易失存储器。然而在现有的存储体系中，DRAM虽然数据访问速度快，但容量太小，而且断电后数据丢失。NAND虽然 容量大，但访问速度太慢，无法适应新兴产业的需求。在此情况下，基于新的存储机理的新型存储器不断涌现，目前业界主要的新型存储器包括相变存储器、阻变存储器以及磁阻存储器。对于上述三种新型存储器类型，各大存储器大厂也 都在纷纷参与布局，不断推出产业化产品及测试芯片，都希望能在未来成为存储产业新的主导。对于这些有望在未来改变存储产业格局的新型存储技术，大力加强产业投入，逐步实现技术自主可控，是我国未来具备技术独立和产业独立的必经之路。

 

(三）传统存储器关注专利风险防范与化解，新型存储器关注专利战略谋划与布局

目前我国已经开始投入大量资金和人力用于研发制造DRAM和NAND芯片。之前的分析表明我国NAND产业存在知识产权风险。在DRAM存储器领域，各公司之间专利诉讼非常频繁，相较于国外DRAM寡头近万件的专利储备，我国企业的专利储备相当薄弱。2017年12月存储寡头美国美光已经向我国DRAM企业发起诉讼，可见我国发展传统存储器DRAM和NAND专利风险的防范与化解迫在眉睫。

 

另一方面，新型存储器可能成为未来产业新的主导，国内发展该产业势在必行。但是，我国目前在新型存储产业投入较少，主要是科研院所进行研究，企业介入程度较低，产业化进程滞后；同时，新型存储器类型多，产业化进程各不相同，产业路径和模式还不明确。如何基于国内已有的技术和人才资源，合理进行专利战略谋划与布局，在新型存储时代逐步实现我国存储产业的自主可控是目前亟待解决的问 题。

 

二、传统DRAM存储器产业化存在风险，需有效化解

(一)全球DRAM专利布局基本完成

1、全球专利申请量达十万余件，申请由美曰韩主导，技术步入成熟期

 

图1 DRAM全球专利申请趋势

 

图1是DRAM全球专利申请趋势图，可以看出，自上世 纪六七十年代DRAM技术出现开始，DRAM技术的发展经历了技术萌芽期，至八十年代进入快速发展期，形成稳定的技术 格局。自本世纪开始，DRAM技术专利申请量呈现断崖式下降，在2010年左右，该项技术的申请量有过短时间的波动，但是整体依然呈现下降趋势。同时，图1还显示出美曰韩三国企业历年申请趋势，其与全球整体趋势基本一致。此外，虽然当前DRAM主场份额主要由美国美光以及韩国三星、海力 士占据，但是就专利申请来看，曰本企业仍在布局DRAM专利技术，以维持在该产业中的威慑力。

 

2、国内专利申请平稳有降，国内申请人布局力度不足

 

图2 DRAM国内专利申请趋势

 

图2是DRAM国内专利申请趋势图，整体专利趋势平稳有降。国内申请人从2000年之后才开始进行专利申请，且每年专利申请占比较小，布局力度明显不足。

 

3、三星、海力士、美光处于领先地位，我国专利储备极其薄弱

 

图3 DRAM全球重要专利申请人