静态ram和动态ram的区别是什么

　　随机存取存储器（random access memory，RAM）又称作“随机存储器”，是与CPU直接交换数据的内部存储器，也叫主存（内存）。它可以随时读写，而且速度很快，通常作为操作系统或其他正在运行中的程序的临时数据存储媒介。

　　存储单元的内容可按需随意取出或存入，且存取的速度与存储单元的位置无关的存储器。这种存储器在断电时将丢失其存储内容，故主要用于存储短时间使用的程序。 按照存储单元的工作原理，随机存储器又分为静态随机存储器（英文：Static RAM，SRAM）和动态随机存储器（英文Dynamic RAM，DRAM）。

　　什么是静态RAM

　　存储器是计算机的记忆部件。CPU 要执行的程序、要处理的数据、处理的中间结果等都存放在存储器中。

　　目前微机的存储器几乎全部采用半导体存储器。存储容量和存取时间是存储器的两项重要指标，它们反映了存储记忆信息的多少与工作速度的快慢。半导体存储器根据应用可分为读写存储器（RAM）和只读存储器（ROM）两大类。

　　

　　读写存储器（RAM）

　　读写存储器又称随机存取存储器（Random Access Memory）简称RAM，它能够在存储器中任意指定的地方随时写入或读出信息；当电源掉电时，RAM 里的内容即消失。根据存储单元的工作原理，RAM 又分为静态RAM 和动态RAM。静态RAM 用触发器作为存储单元存放1 和0，存取速度快，只要不掉电即可持续保持内容不变。一般静态RAM 的集成度较低，成本较高。

　　动态RAM 的基本存储电路为带驱动晶体管的电容。电容上有无电荷状态被视为逻辑1 和0。随着时间的推移，电容上的电荷会逐渐减少，为保持其内容必须周期性地对其进行刷新（对电容充电）以维持其中所存的数据，所以在硬件系统中也得设置相应的刷新电路来完成动态RAM 的刷新，这样一来无疑增加了硬件系统的复杂程度，因此在单片机应用系统中一般不使用动态RAM。

　　静态RAM 的基本存储电路为触发器，每个触发器存放一位二进制信息，由若干个触发器组成一个存储单元，再由若干存储单元组成存储器矩阵，加上地址译码器和读／写控制电路就组成静态RAM。与动态RAM 相比，静态RAM 无须考虑保持数据而设置的

　　刷新电路，故扩展电路较简单。但由于静态RAM 是通过有源电路来保持存储器中的数据，因此，要消耗较多功率，价格也较高。

　　RAM 内容的存取是以字节为单位的，为了区别各个不同的字节，将每个字节的存储单元赋予一4个编号，该编号就称为这个存储单元的地址，存储单元是存储的最基本单位，不同的单元有不同的地址。在进行读写操作时，可以按照地址访问某个单—元。

　　由于集成度的限制，目前单片RAM 容量很有限，对于一个大容量的存储系统，往往需要若干RAM 组成，而读／写操作时，通常仅操作其中一片（或几片），这就存在一个片选问题。RAM 芯片上特设了一条片选信号线，在片选信号线上加入有效电平，芯片即被选中，可进行读／写操作，末被选中的芯片不工作。片选信号仅解决芯片是否工作的问题，而芯片执行读还是写则还需有一根读写信号线，所以芯片上必须设读／写控制线。

　　下面是几种常用静态RAM：

　　在8031 单片机应用系统中，最常用的静态数据存储器RAM 芯片有6116（2Kx8）和6264（8Kx8）两种。

　　

　　什么是动态RAM

　　在动态RAM芯片内部，每个内存单元保存一位信息。单元由下面两部分组成：一个晶体管和一个电容器。当然这些部件都非常地小，因此一个内存芯片内可以包含数百万个。电容器保存信息位——0或1（有关位的信息，请参见位和字节）。

　　晶体管起到了开关的作用，能让内存芯片上的控制线路读取电容上的数据，或改变其状态。电容器就像一个储存电子的小桶。在存储单元中写入1，小桶内就充满电子；写入0，小桶就被清空。这只“桶”的问题在于：它会泄漏。只需大约几毫秒的时间，一个充满电子的小桶就会漏得一干二净。因此，为了确保动态存储器能正常工作，必须由CPU或是由内存控制器对所有电容不断地进行充电，使它们在电子流失殆尽之前保持“1”值。

　　为此，内存控制器会先行读取存储器中的数据，再把数据写回去。这种刷新操作每秒钟会自动进行数千次。动态RAM正是得名于这种刷新操作。它需要不间断地进行刷新，否则就会丢失所保存的数据。这一刷新动作的缺点就是费时，并且会降低内存速度。静态RAM使用了截然相反的技术。静态RAM用某种形式的触发器来保存内存的每个位（有关触发器的详细信息，请参阅布尔逻辑的应用）。

　　内存单元的触发器由4个或6个晶体管以及一些线路组成，但从来不需要刷新。这使得静态RAM比动态RAM要快得多。但是，由于它所含的部件较多，静态内存单元在芯片上占用的空间会远远超过动态内存单元，使得每个芯片上的内存较小。

　　静态ram和动态ram的区别

　　静态RAM（SRAM）速度非常快，只要电源存在内容就不会自动消失。其基本存储电路为6个MOS管组成1位，因此集成度相对较低，功耗也较大。一般高速缓冲存储器用它组成。

　　动态RAM（DRAM）的内容在10-3或l0-6秒之后自动消失，因此必须周期性的在内容消失之前进行刷新。由于它的基本存储电路由一个晶体管及一个电容组成，因此它的集成度高，成本较低，另外耗电也少，但它需要一个额外的刷新电路。DRAM运行速度较慢，SRAM比DRAM要快2~5倍，一般，PC机的标准存储器都采用DRAM组成。