面向高端智能手表！佰维BIWIN推出基于LPDDR4X 144球的ePOP存储芯片，已通过高通5100平台认证

智能穿戴设备不断向多功能集成、持久续航、使用体验流畅等方向发展与升级，对存储芯片在尺寸、功耗、性能和应用调校等诸多方面提出了更高要求，ePOP存储芯片凭借小尺寸、低功耗、高性能和高可靠等特点，成为智能穿戴设备的绝佳选择。佰维存储基于前代LPDDR3 ePOP产品的成功经验，面向高端智能手表推出了基于LPDDR4X 144球的ePOP存储芯片，方案相较前代产品频率提升了128.6%、体积减少了32%，并正式通过高通5100平台认证。

佰维基于LPDDR4X 144球的ePOP采用eMMC5.1与LPDDR4X合封的形式，芯片尺寸仅为8.0mm× 9.5mm×0.8mm，ROM顺序读写速度分别高达310MB/s、240MB/s，RAM频率高达4266Mbps，容量组合最高至32GB+16Gb（未来将推出容量64GB+16Gb），是佰维面向高端智能手表推出的新一代旗舰存储解决方案。

佰维基于LPDDR4X 144球的ePOP优势：

1、符合JEDEC标准，集成eMMC5.1和LPDDR4X，且通过直接贴装在SoC芯片上，赋能智能手表轻薄设计。
2、基于低功耗LPDRAM和固件优化降低功耗，且相较前代ePOP产品频率提升128.6%，兼顾低功耗、高性能。
3、具有全局磨损平衡管理、LDPC纠错算法、支持FFU升级等功能，且支持-20℃~85℃宽温工作环境，护航数据完整、可靠存储。
4、通过高通5100 SoC平台认证，助力终端客户简化系统设计、加速终端产品上市。

佰维基于LPDDR4X 144球的ePOP产品凭借高性能、低功耗、高可靠等特性，从存储端提升智能手表等智能穿戴设备的整体使用体验。其中，ePOP的高性能特性，可为设备提供高效快速的数据存储支撑，助力提升设备开关机、APP启动关闭、熄屏锁屏等操作的流畅性，同时能够高效处理不同传感器差异化负载和多线程存储需求，确保快速响应用户的操作和指令；ePOP的低功耗特性，在设备多线程、高负载、长时间工作的场景中，助力减少设备发热，防止设备宕机以及产品过热影响用户体验；ePOP的高可靠特性，能够从容应对设备蓝屏、冷启动、复位等异常情况，保证数据完整存储的同时，助力设备稳定、可靠运行。

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相较于通用型的手机存储芯片而言，智能穿戴存储在通用型存储解决方案的基础上对于厂商的快速响应和客制化能力也相应的提出了更高的要求。佰维ePOP存储芯片则集中体现了公司研发封测一体化布局的优势：凭借在研发能力支持下的高性能、低功耗优势，以及在专精的存储器封测能力支持下小尺寸、高可靠等优势，公司的ePOP等智能穿戴存储产品已进入全球TOP级客户的供应链体系，并占据优势份额。在实际的合作案例中，佰维协同终端客户一起，展开了SOC平台、存储、系统、应用等多方联动的调校支持与赋能，洞悉用户使用场景并不断优化，致力于让终端设备体验更流畅和丝滑，打造终端产品的强势竞争力。