受5G的影响 DRAM与NAND将迎来增长

12 月 22 日讯，据韩媒报道，市场研究公司预测，基于固态硬盘密度和性能提升，明年全球 NAND 闪存需求将增加，5G 通信、人工智能、深度学习和虚拟现实将引领明年全球 DRAM 和 NAND 闪存市场的增长。

目前存储器合约价格不一定会出现急涨，但整体存储器供应链库存水位降低至尾声，随着需求稳健上扬，5G 及服务器应用在第 2 季成长力道转强，预计 2020 年下半 DRAM 与 NAND Flash 将出现产能吃紧。

相较于 2018 年第 4 季，2019 年底 NAND Flash 及 DRAM 市场价格已大幅下跌 6 成，其中，有一半的跌幅都在 2019 年第 2 季发生，第 3 季起市场开始需求回升，根据近期系统厂商陆 2020 年订单展望，预期 2020 年整体 ASP 价格将可望明显优于 2019 年，预期价格回升将可达到 3 成，NANDFlash 的回涨速度将比 DRAM 价格更快反应。

IC Insights 预估，2019 年 NAND Flash 与 DRAM 市场分别衰退 27%和 37%，在 2020 年将分别迎来 19%与 12%的年成长表现，NAND Flash 预期将成为 2020 年 33 款 IC 产品类别中，增幅度最高的产品。

此前世界半导体贸易统计组织 （WSTS）预测，明年存储芯片行业和全球半导体市场整体将分别增长 4.1%和 5.9%。乐观的前景是基于 5G 服务对移动芯片的需求增加，以及英特尔下一代 Ice Lake 服务器芯片需求增加。

根据调研机构 DRAMeXchange 的数据，移动设备芯片需求占去年 DRAM 总需求的 32%，预计此比例今年将增长到 34%。随着 5G iPhone 的发布以及华为在 5G 智慧型手机的发展。Kiwoom Securities 估计，到 2020 年，全球 5G 智慧型手机销量将达到 1.77 亿部，高端移动 DRAM 需求将增长 45%，整体行动 DRAM 需求增长 22％。

长江存储预期武汉新厂至 2020 年底，单月晶圆产能可提升至 6 万片，约占全球产能 5%；长鑫储存预期投资 80 亿美元兴建的合肥厂，单月 DRAM 芯片产能可达 4 万片晶圆，约占全球 DRAM 产能 3%。

全球 DRAM 年产能约达 140 万片左右，目前合肥长鑫的规划，一个厂房进入全产能的市占率仅约 3%，未来 3 个厂区全面投产的市占率约 9%，对于整体 DRAM 市场的供需影响及价格冲击仍然很有限。

由于 2020 年 5G 带动相关需求回升，国际大厂扩产保守，国内两大新进厂商产能占全球比重仍低，预期存储器报价维持稳中有升的格局。