据集邦咨询最新报告,全球DRAM内存与NAND闪存市场正迎来前所未有的繁荣期。受市场需求强劲增长、供需结构持续优化、价格显著上扬以及HBM(高带宽内存)技术兴起的共同驱动,两大存储芯片行业预计在2024年将实现爆炸性增长。
具体而言,DRAM内存行业预计在2024年将实现75%的惊人收入增长,而NAND闪存行业也不甘落后,预计增幅将达到77%。尽管2025年增速有所放缓,但DRAM内存仍有望保持51%的增长势头,NAND闪存也将实现29%的稳健增长。
价格方面,DRAM内存芯片的平均售价预计将在2024年飙升53%,并在2025年继续攀升35%,进一步巩固了市场的繁荣态势。这一连串积极信号直接推动了DRAM内存行业的营收规模迅速扩大,预计2024年将突破907亿美元大关,而到了2025年,这一数字将跃升至1365亿美元,创下近十年来的历史新高。
总体而言,DRAM与NAND闪存市场的强劲表现不仅反映了全球科技产业对高性能存储解决方案的迫切需求,也预示着未来几年内,存储芯片行业将持续成为推动科技进步和经济增长的重要力量。
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