投资减少 预计明年DRAM产出增幅创十年新低

集邦咨询半导体研究中心（DRAMeXchange）表示，八月 DRAM 合约价与前月持平，DDR4 8GB 均价来到 25.5 美元，而九月合约价格虽然仍在议定当中，但继续持平的可能性高。

从市场面来观察，随着日本政府批准关键半导体原料出口，七月开始的日韩贸易问题已正式落幕。但期间 OEM 客户受不确定因素与预期心理影响，已纷纷拉高备货库存，使得 DRAM 原厂的高库存水位逐步下降，并往正常水位迈进。此外，第三季适逢传统旺季，再加上美国将在 12 月初开始对部分中国出口的电子产品课征关税，也产生提前出货的效应，需求力道超过预期，这让 DRAM 原厂在价格议定时态度更为坚定，亦让整体第三季价格扭转原先的跌势，转为持平。

原厂调整资本支出以稳固获利，明年 DRAM 产出增幅创十年新低

展望 2020 年，由于三大 DRAM 原厂仍以获利为导向，资本支出预估将较今年减少至少 10%，明年的产出年成长亦是近十年来新低，仅 12.5%，为价格反弹奠定一定的基础。

集邦咨询调查显示，DRAM 原厂的扩厂计划转趋保守，如三星的平泽二厂已经接近完工，但最快要到 2020 年第二季才会进入商转，且新增的设备仅是支持未来 1Znm 制程的转进，整体投片量将与今年大致相同。SK 海力士最新 M16 工厂最快明年下半年完工，产出增加最快要等到 2021 年，加上旧工厂 M10 逐步转做代工，预估明年整体 DRAM 投片量将不增反减。

美光今年在广岛厂旁增设的 F 栋工厂，也是为了支援 1Znm 制程转进，整体广岛厂产能并无增加。而***美光内存目前正在兴建的 A3 新厂，初期也是支援 1Znm 制程转进，短期增产机会并不大。但 A3 厂基地面积不小，未来还是有新增产能的可能。

明年中国 DRAM 投片占全球不到 3%，对产业长期影响仍待观察

中国目前有两个 DRAM 生产基地，规模较大的合肥长鑫存储（CXMT）已经初步投产，初期产品以 DDR4 8Gb 为主，明年上半年将会有 LPDDR4 8Gb 的产品，持续往量产迈进，但预计要到 2021 年，产能才有机会达到满载的 100K 甚至以上。福建晋华（JHICC）虽然受到美国禁令影响，美系设备无法有工程人员驻厂维护，但内部仍试图自行将参数调整至最佳化，预计明年投片有 10K 之内的水平。

因此集邦咨询预估，2020 年中国 DRAM 投片量占全球投片量的比重低于 3%，自主生产成果仍有限。展望未来，中国内存产业仍需克服良率、机台建置以及 IP 相关限制等挑战，对整体 DRAM 供给产生明显冲击的确切时间点，仍需持续观察。